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公开(公告)号：CN111095304B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201880057625.8
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备及其方法被提供用于执行深度学习。所述电子设备包括：存储器，被配置为存储目标数据和核数据；以及处理器，包括以矩阵形状布置的多个处理元件。所述处理器被配置为：将目标数据中包括的多个第一元素中的第一非零元素输入到所述多个处理元件中的每个，并将核数据中包括的多个第二元素中的第二非零元素顺序地输入到所述多个处理元件中的第一行中包括的多个第一处理元件中的每个。所述多个第一处理元件中的每个被配置为基于第一非零元素的深度信息和第二非零元素的深度信息执行输入的第一非零元素与输入的第二非零元素之间的运算。
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公开(公告)号：CN111819581B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980017006.0
申请日：2019-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备。所述电子设备包括：存储器，存储对象数据和核数据；以及处理器，包括以矩阵形式布置的多个处理元件，其中，所述处理器被配置为：将对象数据中包括的多个第一元素中的相应第一元素输入到所述多个处理元件中的布置在第一行中的处理元件，并将核数据中包括的多个第二元素顺序地输入到布置在第一行中的处理元件，以执行所述相应第一元素与所述多个第二元素之间的运算；识别第一元素和第二元素具有非零值的深度；并且将与识别出的深度相应的第一元素和第二元素输入到布置在第一行中的处理元件中的每一个处理元件中所包括的计算器，以执行卷积运算。
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公开(公告)号：CN112687732B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202010337504.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
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公开(公告)号：CN117476832A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310858488.0
申请日：2023-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种发光结构、显示装置和显示装置的制造方法。该发光结构包括：基板；第一外延结构，设置在基板上；第二外延结构，设置在第一外延结构上；以及第三外延结构，设置在第二外延结构上。第一外延结构、第二外延结构和第三外延结构中的每个以依次堆叠结构包括第一导电性的第一半导体层、载流子阻挡层、有源层和第二导电性的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN111133457B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880062220.3
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/08 , G06N3/0464 , G06N20/00
Abstract: 公开了一种电子设备。电子设备包括存储装置和处理器，该处理器基于步幅信息对目标数据和内核数据执行卷积处理，该步幅信息指示内核数据被应用于存储在存储装置中的目标数据的间隔，其中，该处理器基于第一步幅信息将目标数据划分为多条子数据，基于不同于第一步幅信息的第二步幅信息对多条子数据和分别与多条子数据相对应的多条子内核数据执行卷积处理，并且组合多个处理结果。通过基于第一步幅信息划分内核数据来获得多条子内核数据，并且，第二步幅信息可以指示内核数据被应用于目标数据的间隔是1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115346981A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210285504.7
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L21/8232 , H01L29/10 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体集成电路器件，包括：沟道层、势垒层、在势垒层上彼此间隔开的第一p型半导体层和第二p型半导体层；以及在第一p型半导体层和第二p型半导体层上的钝化层。钝化层可以使第一p型半导体层和第二p型半导体层中的至少一个的掺杂剂部分地失活。
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公开(公告)号：CN112909073A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202010637763.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体结构包括：衬底；至少一个掩模层，在第一方向上与衬底间隔开；在衬底与至少一个掩模层之间的第一导电类型的第一半导体区域；在至少一个掩模层上的第二导电类型的第二半导体区域；以及在第一半导体区域上的第一导电类型的第三半导体区域。第三半导体区域可以接触第二半导体区域以在不同于第一方向的第二方向上形成PN结结构。该半导体结构可以应用于垂直功率器件，并且能够提高耐受电压性能和降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN111819581A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017006.0
申请日：2019-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备。所述电子设备包括：存储器，存储对象数据和核数据；以及处理器，包括以矩阵形式布置的多个处理元件，其中，所述处理器被配置为：将对象数据中包括的多个第一元素中的相应第一元素输入到所述多个处理元件中的布置在第一行中的处理元件，并将核数据中包括的多个第二元素顺序地输入到布置在第一行中的处理元件，以执行所述相应第一元素与所述多个第二元素之间的运算；识别第一元素和第二元素具有非零值的深度；并且将与识别出的深度相应的第一元素和第二元素输入到布置在第一行中的处理元件中的每一个处理元件中所包括的计算器，以执行卷积运算。
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公开(公告)号：CN111095304A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880057625.8
申请日：2018-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子设备及其方法被提供用于执行深度学习。所述电子设备包括：存储器，被配置为存储目标数据和核数据；以及处理器，包括以矩阵形状布置的多个处理元件。所述处理器被配置为：将目标数据中包括的多个第一元素中的第一非零元素输入到所述多个处理元件中的每个，并将核数据中包括的多个元素中的第二非零元素顺序地输入到所述多个处理元件中的第一行中包括的多个第一处理元件中的每个。所述多个第一处理元件中的每个被配置为基于第一非零元素的深度信息和第二非零元素的深度信息执行输入的第一非零元素与输入的第二非零元素之间的运算。
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公开(公告)号：CN118299481A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311854676.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物基半导体发光器件和包括其的显示装置，该氮化物基半导体发光器件包括：第一半导体层，其中第一半导体层是氮化物基的并且具有第一导电类型；提供在第一半导体层上的发光层，其中发光层可以包括包含铟(In)的氮化物基半导体；提供在发光层上的第二半导体层，其中第二半导体层是氮化物基的并且具有第二导电类型；以及应变弛豫层，提供在第一半导体层和发光层之间，并且包括具有突起的AlGaN层，该突起的水平截面面积随着突起在从第二半导体层到第一半导体层的垂直方向上延伸而减小。
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