-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687732A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010337504.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
-
公开(公告)号：CN120035165A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202410780055.2
申请日：2024-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种示例半导体器件包括：沟道层；阻挡层，所述阻挡层位于所述沟道层上并且包括与所述沟道层中包括的材料比具有不同的能带隙的材料；栅电极，所述栅电极位于所述阻挡层上；栅极半导体层，所述栅极半导体层位于所述阻挡层与所述栅电极之间；保护层，所述保护层位于所述阻挡层和所述栅电极上；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述栅电极的两侧并且延伸穿过所述保护层，以覆盖所述沟道层和所述阻挡层的侧表面；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述保护层内，覆盖所述阻挡层和所述栅电极并且包括氮。
-
公开(公告)号：CN117855262A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311031978.X
申请日：2023-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可包括沟道层上的势垒层、势垒层上的栅电极、势垒层与栅电极之间的栅极半导体层、以及沟道层上的彼此间隔开的源极和漏极。势垒层可具有比沟道层大的能带隙。栅极半导体层可包括接触势垒层的第一表面、接触栅电极的第二表面、以及连接第一表面与第二表面的侧壁。栅极半导体层的第二表面的区域可比第一表面的区域窄。栅极半导体层的侧壁可包括具有不同斜率的多个表面。
-
公开(公告)号：CN117768802A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310813178.7
申请日：2023-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了视觉传感器和包括视觉传感器的图像处理装置。视觉传感器的像素包括：光电转换器，被配置为将光信号转换为电流；电流‑电压转换器，被配置为将所述电流转换为第一电压；放大器，被配置为通过放大第一电压的电压电平来生成输出电压；至少一个比较器，被配置为基于将输出电压与至少一个阈值电压进行比较来识别是否发生事件，并且基于识别到发生事件来生成事件信号；以及至少一个计数器，被配置为从至少一个比较器接收事件信号，通过对事件信号进行计数来获得计数值作为关于照度变化量的信息，并且发送包括计数值的输出数据。
-
公开(公告)号：CN114584721A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111428062.9
申请日：2021-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种视觉传感器，包括：像素阵列，包括以矩阵形式设置的多个像素；事件检测电路，被配置为检测在所述多个像素中是否已发生了事件，并且生成与所述多个像素之中的已发生了事件的像素相对应的事件信号；图数据处理器，被配置为基于所述事件信号来生成时间戳图；以及接口电路，被配置为向外部处理器发送包括所述事件信号和所述时间戳图中的至少一项的视觉传感器数据，其中，所述时间戳图包括时间戳信息，所述时间戳信息指示包括在与像素相对应的事件信号中的所述像素的极性信息、地址信息和事件发生时间。
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.021 seconds)
