公开(公告)号：CN101881914A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010210445.4

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2202/02

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN100416754C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200510055765.6

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  李永旭 ,  崔熙焕

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。

公开(公告)号：CN100381920C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN02827158.0

申请日：2002-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳昇熙 ,  洪雯杓 ,  卢水贵 ,  卢南锡 ,  宋根圭 ,  崔熙焕 ,  金保成 ,  金湘甲 ,  姜聖哲 ,  朴弘植

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

Abstract: 首先，利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后，顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着，沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏，而不增加黑色亮度。因此，无需在滤色器面板上设置单独的黑阵，从而可获得像素的纵横比和高对比度。

公开(公告)号：CN1828914A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610057753.1

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN1607169A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410033824.5

申请日：2004-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金甲 ,  崔熙焕 ,  姜聖哲

IPC: B65G49/06

CPC classification number: G03F7/70791 ,  B65G49/061 ,  B65G2249/02 ,  G02F2001/133302

Abstract: 本发明涉及一种传送液晶显示器基片的装置，该装置具有1500mm×1800mm以上的大小，包括：一对平行支撑臂，呈棒状且支撑该基片的两端区域；以及至少一个辅助臂，设置在支撑臂之间。通过这种配置，本发明提供了一种传送装置，该传送装置使用于液晶显示器的大型基片的形变最小化同时传送该基片，从而防止由于形变而致缺陷并稳定制造工序。

公开(公告)号：CN1828914B

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200610057753.1

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN1879054A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033271.1

申请日：2004-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金湘甲 ,  李帝珉 ,  赵宽英 ,  郑钟台 ,  宋仁虎 ,  崔熙焕 ,  姜圣哲 ,  妻镐民 ,  崔凡洛 ,  崔埈厚

IPC: G02F1/136

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器及其制造方法。用于LCD的薄膜晶体管阵列面板用于以独立方式驱动各个像素的电路板。本发明提供了像素电极和把栅极线和数据线的扩展部分连接到外部电路的接触辅助，它们具有包括IZO层和ITO层的双层结构。ITO层设置在IZO层上。在本发明中，像素电极形成为具有IZO层和ITO层的双层以避免在总体测试过程中布线被ITO蚀刻剂破坏并防止探针上的异物堆积。在本发明中，可以仅接触辅助形成为具有IZO层和ITO层的双层，以防止在总体测试过程中探针上的异物堆积。由于减小了ITO的消耗，降低了制造成本。

公开(公告)号：CN1267769C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200410037201.5

申请日：2004-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙焕 ,  金湘甲 ,  姜聖哲 ,  宋仁虎

IPC: G02F1/133 ,  H05H1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082

Abstract: 本发明涉及一种等离子箱体，该等离子箱体包括下部电极和上部电极，并用于干蚀刻液晶显示器，包括：主电源部，包括用于产生具有预定主频率的主电压的主电源和用于阻抗匹配主电压的第一阻抗匹配电路；偏压电源部，包括用于产生具有预定偏压频率的偏电压的偏压电源和用于阻抗匹配偏电压的第二阻抗匹配电路；以及混频器，与第一阻抗匹配电路和第二阻抗匹配电路连接、接收并混合主电压和偏电压，且向下部电极和上部电极中的一个电极输出的混合电压。就这种配置而言，本发明提供一种等离子箱体，其中将诸如蚀刻率、蚀刻剖面、选择比等这类的工艺条件进行精确调整。

公开(公告)号：CN1794431A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510129428.7

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔熙焕 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  秦洪基

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。

公开(公告)号：CN1670909A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055765.6

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  李永旭 ,  崔熙焕

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。