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公开(公告)号：CN100383147C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410076698.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。
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公开(公告)号：CN1629222A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410089606.3
申请日：2004-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31695
Abstract: 本发明披露了用于形成介电膜的组合物，其通过将含有羟基或烷氧基的硅氧烷类前体和成孔材料以及能够固化该硅氧烷类树脂前体的缩合催化剂产生剂一起溶解于有机溶剂中而制备。本发明还披露了具有低介电常数和改进的物理性质的多孔介电膜，其中通过将该组合物涂覆到基底上，接着通过曝光在低温下引起缩聚而形成介电膜。本发明还披露了在不使用光致抗蚀剂的情况下形成多孔介电膜的负片的方法，其包括通过掩膜对涂覆后的膜曝光，然后用显影剂除去未曝光区域。
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公开(公告)号：CN1576299A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410069858.X
申请日：2004-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/48 , H01L21/312
CPC classification number: H01L23/5329 , C08G77/50 , C08G77/58 , C08L83/14 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本文披露含有锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂形成的半导体器件用间层绝缘膜。除优异的机械性能以外，硅氧烷基树脂具有低介电常数使得它们是半导体器件的互连层之间绝缘膜的有用材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103872138B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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公开(公告)号：CN103872138A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L27/1214 , H01L29/1033 , H01L29/66742
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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公开(公告)号：CN100393777C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410061735.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/04 , C09D183/04 , H01B3/46
CPC classification number: H01B3/46 , C08G77/50 , C09D183/14 , Y10T428/2962 , Y10T428/2995 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。
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公开(公告)号：CN1657530A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410100231.6
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/18 , C08G77/04 , H01L21/312
CPC classification number: C08G77/50 , C07F7/0838 , C07F7/1804
Abstract: 本发明涉及一种新型多功能线型硅氧烷化合物、用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物，以及用该硅氧烷聚合物制备介电膜的方法。该线型硅氧烷聚合物具有高的机械性能(如模量)、超级热稳定性、低碳含量和低吸湿性；它是线型硅氧烷化合物通过均聚或者该线型硅氧烷化合物与其他单体通过共聚制备的。制备介电膜的方法是将含有高反应性的硅氧烷聚合物的涂布液热固化。用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物不仅具有令人满意的机械性能、热稳定性和抗裂性，而且吸湿性低，与成孔材料有优异的相容性，从而导致低的介电常数。另外，硅氧烷聚合物能够保持较低的碳含量和较高的SiO2含量，从而能够改善其在半导体器件中的适用性。因此，该硅氧烷聚合物能够有利地用作半导体器件的介电膜的材料。
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公开(公告)号：CN1616468A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410076698.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。
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