公开(公告)号：CN111430207B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN201910964482.5

申请日：2019-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承润 ,  朴赞训 ,  宣钟宇 ,  成正模 ,  韩济愚 ,  朴珍荣

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了等离子体处理方法和等离子体处理装置。在等离子体处理方法中，将衬底装载到腔室内的下电极上。施加等离子体功率以在所述腔室内形成等离子体。产生具有DC脉冲部分和斜坡部分的非正弦波的电压函数。产生电压函数可以包括设定所述斜坡部分的斜率以及设定所述斜坡部分与所述电压函数的循环的持续时间比，以控制在所述衬底的表面处产生的离子能量分布。将所述非正弦波的偏置功率施加到所述下电极。

公开(公告)号：CN111128666B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201910825086.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成正模 ,  宣钟宇 ,  韩济愚 ,  朴赞训 ,  宋承润 ,  明涩荷

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理装置包括：腔体外壳；设置在腔壳体中的静电卡盘，静电卡盘被配置成保持半导体晶片；围绕静电卡盘的边缘环，边缘环包括设置在边缘环内的环电极；以及环电压源，被配置成向环电极供应环电压，环电压具有非正弦周期波形，其中，非正弦周期波形的每个周期包括在第一时段期间施加的正电压以及在第二时段期间施加的负电压，并且其中，负电压的大小在第二时段期间增大。

公开(公告)号：CN109427529B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201810722273.5

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪定杓 ,  宣钟宇 ,  成正模

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理设备和制造半导体器件的方法。所述等离子体处理设备包括：处理室，其具有内部空间；静电卡盘，其在处理室中并且衬底被安装在其上；气体注入单元，其在处理室的一侧将处理气体注入到处理室中；等离子体施加单元，其将注入到处理室的处理气体转变为等离子体；以及等离子体调节单元，其设置在静电卡盘周围并且可操作以调节衬底上的等离子体的密度。

公开(公告)号：CN107527782B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201710325905.X

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  洪定杓 ,  宣钟宇 ,  成德镛 ,  林龙浩 ,  全允珖 ,  郑和俊

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：腔室；窗口板，设置在腔室的上部分中并在其中限定有紧固孔；注入器，具有包括多个喷嘴并构造为被紧固到紧固孔的主体部、和从主体部径向地延伸以在主体部被紧固到紧固孔时部分地覆盖窗口板的底表面的凸缘部；和制动器，构造为在窗口板的上表面上被紧固到主体部以在主体部被紧固到紧固孔时将注入器保持在紧固孔中。

公开(公告)号：CN111180303A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910883431.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩雨 ,  金教赫 ,  金晓星 ,  宣钟宇 ,  沈承辅 ,  李炅勋 ,  李在铉 ,  任志洙 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理设备包括基板卡盘、聚焦环和边缘块，基板卡盘具有用于支撑基板的第一表面、与第一表面相对的第二表面及侧壁，聚焦环用于包围基板的周界；边缘块用于支撑聚焦环。所述边缘块包括位于基板卡盘的侧壁上的侧电极和位于基板卡盘的第二表面上的底电极。

公开(公告)号：CN109786201A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811215149.6

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成正模 ,  吴相录 ,  李恩雨 ,  金光男 ,  宣钟宇 ,  洪定杓

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32724 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/0266 ,  H01J2237/032 ,  H01J2237/327 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735

Abstract: 提供了一种等离子体处理装置，用于在等离子体工艺期间控制腔室的边缘区域处的等离子体分布，从而对半导体基板可靠地执行等离子体工艺。该等离子体处理装置包括：腔室，包括限定反应空间的外壁和覆盖外壁的上部的窗口；线圈天线，设置在窗口之上并包括至少两个线圈；以及静电吸盘(ESC)，设置在腔室的下部中，其中电极位于ESC内，其中该电极包括第一电极和至少一个第二电极，该第一电极用于吸附，该至少一个第二电极提供在ESC的内部的边缘处从而相对于ESC的顶表面具有倾斜。

公开(公告)号：CN109427529A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810722273.5

申请日：2018-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪定杓 ,  宣钟宇 ,  成正模

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供了一种等离子体处理设备和制造半导体器件的方法。所述等离子体处理设备包括：处理室，其具有内部空间；静电卡盘，其在处理室中并且衬底被安装在其上；气体注入单元，其在处理室的一侧将处理气体注入到处理室中；等离子体施加单元，其将注入到处理室的处理气体转变为等离子体；以及等离子体调节单元，其设置在静电卡盘周围并且可操作以调节衬底上的等离子体的密度。

公开(公告)号：CN111430208B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010012899.4

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  沈承辅 ,  陈厦东 ,  许敏宁 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。

公开(公告)号：CN111128667B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201910932187.1

申请日：2019-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨俊 ,  金光男 ,  金成妍 ,  宣钟宇 ,  吴相录 ,  洪定杓

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置。一种等离子体处理装置被提供有腔室，该腔室包括配置为执行晶片的处理工艺的空间。支撑构件设置在腔室内部并配置为支撑晶片。气体供应单元配置为在不同的方向上朝向支撑构件注入混合气体。混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制。

公开(公告)号：CN109659228B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN201811126880.1

申请日：2018-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩雨 ,  吴相录 ,  成正模 ,  宣钟宇

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/3065

Abstract: 本申请提供了一种图案形成方法和一种衬底蚀刻方法。一种形成半导体器件图案的方法，包括：在衬底上形成包含第一碳化合物的光刻胶图案；改良所述光刻胶图案的顶表面，以在所述光刻胶图案上形成包含不同于所述第一碳化合物的第二碳化合物的上掩模层；以及使用所述上掩模层和所述光刻胶图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述衬底的一部分。