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公开(公告)号：CN111373762B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201880075213.7
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/438 , H04N21/458 , H04N21/434 , H04N21/431
Abstract: 本公开提供了一种广播接收装置及其控制方法，广播接收装置包括：存储器；接收机；处理器，被配置为：关于广播信号的多个频带执行扫描操作；通过扫描操作，将关于多个频带的服务映射信息存储在存储器中，服务映射信息指定多个频带中的频带内的多个子帧之中的提供信令信息的子帧，信令信息是用于获得与一个信道相对应的广播服务数据的信息；接收选择信道的用户输入；基于所存储的服务映射信息在与所选择的信道相对应的频带内识别第一子帧；基于由第一子帧提供的信令信息，从广播信号获得广播服务数据；以及响应于识别到信令信息不是由第一子帧提供的，通过重新扫描频带，以频带内的第二子帧更新服务映射信息。
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公开(公告)号：CN101473444A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780022377.5
申请日：2007-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 半导体器件可以包括由以下化学式(1)表示的作为有源层的复合物，化学式1为x(Ga2O3)·y(In2O3)·z(ZnO)，其中约0.75≤x/z≤约3.15且约0.55≤y/z≤约1.70。通过调整与氧化锌(Zn)混合的氧化镓(Ga)和氧化铟(In)的含量并改善光学灵敏度，可以提高显示器的开关性能和驱动晶体管的驱动性能。
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公开(公告)号：CN101202314A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710307771.5
申请日：2007-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/12 , H01L29/43 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/22 , H01L29/26 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种ZnO型二极管及其形成方法。该ZnO型二极管可包括彼此分开的第一电极和第二电极、以及位于该第一电极和第二电极之间的由MXIn1－XZnO(所述M为第Ⅲ族金属)形成的有源层。该第一电极的功函数可低于该有源层的功函数。该第二电极的功函数可高于该有源层的功函数。
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公开(公告)号：CN112513790A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050186.2
申请日：2019-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/038 , G06F3/0354 , G06F3/0481 , H02J7/00
Abstract: 一种电子装置包括：充电电路；通信电路；显示器；处理器；以及存储器，被配置为存储指令，其中，所述指令在被处理器执行时使处理器进行以下操作：通过使用通信电路从与电子装置相关的触控笔接收关于触控笔的可再充电电池的剩余电量的信息；基于识别出所述电池的剩余电量小于参考值，通过使用显示器来显示用于引导需要对所述电池进行充电的第一指示；并且响应于在显示第一指示时识别出触控笔与显示器接触，通过使用充电电路向触控笔提供用于对所述电池进行充电的电力，并通过使用显示器将第一指示改变为用于指示所述电池正被充电的第二指示。
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公开(公告)号：CN112262364A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201980039047.X
申请日：2019-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0481 , G06F3/00 , G06F3/0346 , G06F3/0354 , G06F3/038 , G06F3/0488 , G06F3/041 , G06T11/20 , G06T19/20
Abstract: 公开了电子装置和系统。该电子装置包括：壳体；设置在壳体内并通过壳体的至少一部分暴露的触摸屏显示器；相机；设置在壳体内的无线通信电路；位置传感器；运动传感器；设置在壳体内并可操作地连接到显示器、相机、无线通信电路、位置传感器和运动传感器的处理器；以及设置在壳体内并可操作地连接到处理器的存储器，其中，该存储器被配置为存储指令，该指令在被执行时使得该处理器：利用相机来捕获图像，从相机接收所捕获的图像，从位置传感器接收与所捕获的图像相关联的位置数据，从运动传感器接收与所捕获的图像相关联的方位数据，通过显示器接收用于向所捕获的图像添加对象的用户输入，并且通过无线通信电路向外部服务器发送对象、捕获的图像、位置数据和方位数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101257048B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200810080659.7
申请日：2008-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜东勋 , 斯蒂法诺维奇·金里克 , 宋利宪 , 朴永洙 , 金昌桢
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。
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公开(公告)号：CN100533744C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610004871.6
申请日：2006-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C2213/17 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7887 , H01L29/7923 , H01L51/0048 , H01L51/0554 , Y10S977/938 , Y10S977/943
Abstract: 本发明涉及使用碳纳米管沟道的多位非易失性存储器件及其操作方法。该多位非易失性存储器件包括：由至少一个碳纳米管形成且在一方向上延伸的沟道；源极和漏极，其沿该沟道延伸的该方向彼此隔开布置，且接触该沟道的不同部分；形成在该沟道之下的第一存储节点；形成在该沟道上的第二存储节点；形成在该第一存储节点之下的第一栅极电极；以及形成在该第二存储节点上的第二栅极电极。
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公开(公告)号：CN101414608A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810129778.7
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/8258 , H01L27/092 , H01L29/1054 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)装置及其制造方法。该CMOS装置包括：外延层，可形成在基底上；第一半导体层和第二半导体层，可分别形成在外延层的不同区域上；PMOS晶体管和NMOS晶体管，可分别形成在第一半导体层上和第二半导体层上。
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公开(公告)号：CN100481502C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510106780.9
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L51/0048 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管，所述晶体管通过为纳米管提供诸如氧气分子的载流子俘获材料，例如通过纳米管吸收或在邻近纳米管的位置处提供含有载流子俘获材料的材料层的方法，将双极纳米管场效应晶体管转化为单极纳米管场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN101335301A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810088615.9
申请日：2008-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。
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