公开(公告)号：CN107658243A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710619640.4

申请日：2017-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜三默 ,  金峻渊 ,  卓泳助 ,  金美贤 ,  朴永洙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: C30B25/165 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/221 ,  C23C14/54 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/52 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/68785

Abstract: 本申请提供了一种用于制造衬底的设备，包括：沉积室壳体，其容纳生长衬底；供给喷嘴，其将用于在生长衬底上形成目标大尺寸衬底的沉积气体供应至沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并且将生长衬底的后表面暴露于蚀刻气体；以及内衬，其连接至基座。内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离，并且将蚀刻气体引向生长衬底的后表面。基座包括暴露生长衬底的后表面的中心孔以及支撑生长衬底的支撑突出物，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。