-
公开(公告)号：CN118053467A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310907998.2
申请日：2023-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C29/42
Abstract: 提供了一种存储器件、存储器件的操作方法和存储系统。所述存储器件包括：包括多个存储单元行的存储单元阵列；刷新控制电路，其被配置为输出刷新行地址以控制将对所述多个存储单元行中的至少一个存储单元行执行的刷新操作；以及控制逻辑电路，其被配置为从存储控制器接收与多个模式中的模式相对应的错误检查和清理(ECS)设定数据，将所述ECS设定数据存储在模式寄存器中，并且响应于从所述存储控制器提供的刷新命令，基于所述ECS设定数据的值向所述刷新控制电路提供要被刷新的存储单元行的目标行地址。
-
公开(公告)号：CN108008805B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201711045809.6
申请日：2017-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/3234
Abstract: 本发明提供一种控制多个低功率状态的方法和存储器装置。所述方法包含：进入低功率模式状态，其中响应于低功率状态进入命令刷新存储器装置的存储器单元行并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗；以及基于在存储器装置的模式寄存器中设置的低功率模式退出时延时间，或警报信号和低功率模式退出命令中的至少一个，退出所述低功率模式状态。通过使用多个低功率状态，可最大化节省存储器装置的功率消耗。
-
公开(公告)号：CN107402901B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201710351716.X
申请日：2017-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F15/167
Abstract: 提供由第一处理器和第二处理器共享的公共存储设备。公共存储设备包括：存储单元阵列，包括分配用于第一处理器的第一存储区域和分配用于第二处理器的第二存储区域；刷新屏蔽信息存储电路，被配置为存储刷新屏蔽信息，刷新屏蔽信息指示对第一存储区域和第二存储区域中的至少一个是否执行刷新；以及刷新电路，被配置为根据刷新屏蔽信息对第一存储区域和第二存储区域选择性地执行刷新。
-
公开(公告)号：CN107545915B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201710501634.9
申请日：2017-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种操作半导体存储器装置的方法和半导体存储器装置。在操作包括存储器单元阵列和被配置为控制对存储器单元阵列的访问的控制逻辑电路的半导体存储器装置的方法中，从外部存储器控制器接收与差分数据时钟信号同步的数据，基于从差分数据时钟信号分频出的分频数据时钟信号将所述数据存储在存储器单元阵列中，响应于来自存储器控制器的读取命令和目标地址从存储器单元阵列读取数据，根据半导体存储器装置的选通模式使用单选通信号和差分选通信号之一将读取数据发送到存储器控制器。
-
公开(公告)号：CN111352881A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201911130434.2
申请日：2019-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F13/40
Abstract: 提供了一种信号发送和接收设备、存储器件及操作它们的方法。所述信号发送和接收设备包括：第一片上端接电路，所述第一片上端接电路连接到通过其发送或接收第一信号的第一引脚，当所述第一片上端接电路被启用时，所述第一片上端接电路被配置为将第一端接电阻提供给与所述第一引脚连接的信号线；第二片上端接电路，所述第二片上端接电路连接到通过其发送或接收第二信号的第二引脚，当所述第二片上端接电路被启用时，所述第二片上端接电路被配置为将第二端接电阻提供给与所述第二引脚连接的信号线；以及片上端接控制电路，所述片上端接控制电路被配置为：独立地控制所述第一片上端接电路和所述第二片上端接电路中的每一个的启用时间和停用时间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109994138A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201810730845.4
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4093
Abstract: 本申请提供了一种半导体存储装置、存储器系统和电子装置。所述半导体存储装置被配置为：响应于模式设置命令而输入模式设置代码并设置在线数据；利用写命令处理数据位数信息以产生第一数据信号；利用读命令处理数据位数信息以产生第二数据信号；基于使用行地址和激活命令产生的字线选择信号和使用列地址和写命令或读命令产生的列选择信号来存取所选存储器单元；响应于第一数据信号，处理第一数量的数据位并将第一数量的数据位发送到所选的存储器单元，并且响应于第二数据信号，处理从所选的存储器单元接收的数据并输出第二数量的数据位。
-
公开(公告)号：CN106409324A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610621144.8
申请日：2016-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/12 , G11C5/141 , G11C5/145 , G11C7/062 , G11C7/065 , G11C7/08 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C7/1075 , G11C8/16
Abstract: 一种半导体存储器件包括多个存储单元、多条字线和多条位线，其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线。半导体存储器件包括多个读出放大器，其中每个读出放大器耦合到两条位线。半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压，并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。
-
公开(公告)号：CN117075795A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310429947.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种存储器系统以及包括其的计算系统。存储器系统包括存储器资源和智能控制器。存储器资源包括半导体存储器件，针对多个通道中的每个通道，半导体存储器件被分为第一半导体存储器和第二半导体存储器，第一半导体存储器和第二半导体存储器属于不同区块。智能控制器通过通道连接到多个半导体存储器件，通过经计算快速链路(CXL)接口与多个主机通信来控制半导体存储器件，多个主机中的每个主机驱动至少一个虚拟机。智能控制器在没有多个主机干预的情况下，通过以区块级别管理多个半导体存储器件的多个存储器区域之中的空闲存储器区域来控制存储器资源的功率模式，多个存储器区域存储数据。
-
公开(公告)号：CN110310681B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910202222.4
申请日：2019-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种存储装置、一种操作存储装置的方法、一种存储控制器和一种操作存储控制器的方法。操作布置在多区块存储设备的不同区块中并共享信号线的存储装置的方法包括：在多区块存储设备中包括的所有存储装置中，接收信号线的片内终结(ODT)状态信息。所述方法还包括：在多区块存储设备中的每个存储装置中，将信号线的ODT状态信息存储在模式寄存器中。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，基于存储在模式寄存器中的信号线的ODT状态信息产生控制信号。所述方法还包括：在多区块存储设备的每个存储装置中，响应于控制信号而改变信号线的ODT设置。
-
公开(公告)号：CN115905105A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210470516.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 吴起硕
IPC: G06F15/78 , G06F12/0868
Abstract: 提供了电子装置及其操作方法。所述电子装置包括：片上系统(SoC)，所述SoC包括处理器、由所述处理器控制的近存储器控制器和由所述处理器控制的远存储器控制器；近存储器器件，所述近存储器器件包括第一存储通道和第二存储通道，所述第一存储通道被配置为与所述近存储器控制器通信并且在多种模式中的第一模式下操作，所述第二存储通道被配置为与所述近存储器控制器通信并且在所述多种模式当中的与所述第一模式不同的第二模式下操作；以及远存储器器件，所述远存储器器件被配置为与所述远存储器控制器通信。所述第一存储通道还被配置为基于来自所述近存储器控制器的命令，将操作模式从所述第一模式改变为所述第二模式。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.031 seconds)
