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公开(公告)号:CN112925740A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN202011399390.6
申请日:2020-12-02
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: G06F15/78
摘要: 在包括共用数据总线以传递数据的多个存储器单元的存储器系统中控制裸片上终结(ODT)的方法中,使得多个存储器单元的ODT电路进入初始状态,在对多个存储器单元当中的写入目标存储器单元的写入操作期间,将多个存储器单元当中的至少一个非写入目标存储器单元ODT电路的电阻值设置为第一电阻值,并且在对多个存储器单元当中的读取目标存储器单元的读取操作期间,将多个存储器单元当中的至少一个非读取目标存储器单元的ODT电路的电阻值设置为第二电阻值。
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公开(公告)号:CN110890118B
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN201910393323.4
申请日:2019-05-13
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: G11C11/403 , G11C11/4072 , G11C11/409
摘要: 提供一种半导体存储器装置和具有其的存储器系统。所述半导体存储器装置包括:上电信号生成器,被配置为响应于存储器电压达到目标电压电平生成上电信号;初始化器,被配置为响应于上电信号和复位信号生成初始化信号,并响应于初始化操作的完成生成初始刷新命令;以及存储器单元阵列,包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元,存储器单元阵列被配置为:响应于初始刷新命令对所述多个存储器单元执行初始刷新操作。
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公开(公告)号:CN106409324A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610621144.8
申请日:2016-08-01
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: G11C7/12 , G11C5/141 , G11C5/145 , G11C7/062 , G11C7/065 , G11C7/08 , G11C11/4074 , G11C11/4091 , G11C11/4094 , G11C7/1075 , G11C8/16
摘要: 一种半导体存储器件包括多个存储单元、多条字线和多条位线,其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线。半导体存储器件包括多个读出放大器,其中每个读出放大器耦合到两条位线。半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压,并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。
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公开(公告)号:CN110890118A
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201910393323.4
申请日:2019-05-13
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: G11C11/403 , G11C11/4072 , G11C11/409
摘要: 提供一种半导体存储器装置和具有其的存储器系统。所述半导体存储器装置包括:上电信号生成器,被配置为响应于存储器电压达到目标电压电平生成上电信号;初始化器,被配置为响应于上电信号和复位信号生成初始化信号,并响应于初始化操作的完成生成初始刷新命令;以及存储器单元阵列,包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元,存储器单元阵列被配置为:响应于初始刷新命令对所述多个存储器单元执行初始刷新操作。
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公开(公告)号:CN115565571A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202210774336.8
申请日:2022-07-01
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 一种装置,包括:主机和通过总线连接到主机的存储器设备。总线用于在由存储器设备执行的写入操作期间,传送控制数据写入定时的数据时钟,并且在由存储器设备执行的读取操作期间,传送控制数据读取定时的读取时钟。存储器设备执行第一占空比监测,其监测数据时钟的占空比,生成第一结果,并且提供调整定时的数据时钟;执行第二占空比监测,其监测读取时钟的占空比,生成第二结果,并且提供调整定时的读取时钟;基于调整定时的数据时钟、第一结果和第二结果来计算读取时钟的偏移;以及,使用从读取时钟的偏移得到的读取时钟偏移代码来校正读取时钟的占空比误差。
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公开(公告)号:CN106409324B
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN201610621144.8
申请日:2016-08-01
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 一种半导体存储器件包括多个存储单元、多条字线和多条位线,其中每个存储单元耦合到各自的字线和位线。半导体存储器件包括多个读出放大器,其中每个读出放大器耦合到两条位线。半导体存储器件被配置为接收第一正供电电压、第二正供电电压和负供电电压,并且在放大存储单元中的数据的操作中基于负供电电压来确定放大电压的低电平。
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