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公开(公告)号：CN101217058A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710087954.0
申请日：2007-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4078
Abstract: 提供了一种根据外部命令信号和刷新模式而改变存取共享存储区域的存取权限的半导体存储设备及其方法。所述半导体存储设备包括：多个输入/输出端口，用来输入第一或第二模式刷新操作的命令信号；存储阵列，其包括可以通过多个输入/输出端口中的至少两个端口存取的共享存储区域，所述存储阵列划分为多个不同的存储区域；以及授权控制块，用来响应于外部命令信号分配存取所述共享存储区域的存取权限，其中所述授权控制块产生授权控制信号，其用于将存取所述共享存储区域的存取权限优先地分配给用来输入第一模式刷新操作的命令信号的输入/输出端口。能够更高效率地执行所述共享存储区域的刷新操作或普通操作。
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公开(公告)号：CN117995257A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311094693.0
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和裸片上纠错码(ECC)引擎。在写入操作期间，裸片上ECC引擎通过利用随机二进制码对第一主数据进行编码来生成第二主数据，对第二主数据执行ECC编码以生成奇偶校验数据，并且将第二主数据和奇偶校验数据存储在存储器单元阵列中的目标页中。在读取操作期间，裸片上ECC引擎从目标页读取第二主数据和奇偶校验数据，与通过利用随机二进制码对第二主数据进行编码来生成第一主数据并行地，基于奇偶校验数据对第二主数据执行ECC解码以生成校验子，并且基于校验子来校正第一主数据中的至少一个错误位。
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公开(公告)号：CN117095734A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310563032.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 提供了一种存储器系统、一种操作存储器系统的方法和一种存储器控制器。该存储器系统包括主机系统，其具有存储器控制器，该存储器控制器被配置为生成命令地址信号。该存储器控制器包括：第一比特生成器，其被配置为生成作为多个数据比特的数据信号；第二比特生成器，其被配置为生成具有高逻辑电平或低逻辑电平的命令地址总线反转比特(CABIB)，该高逻辑电平或低逻辑电平是数据信号内具有预定逻辑电平的数据比特的数量的函数；以及奇偶校验比特生成器，其被配置为当数据信号和CABIB内具有高逻辑电平的数据比特的总数是偶数时，将奇偶校验信号设置为第一逻辑电平。该存储系统被配置为响应于从主机系统接收的命令地址信号来写入或读取数据。
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公开(公告)号：CN116961828A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211636997.0
申请日：2022-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L1/00
Abstract: 一种发送器，包括：编码器，被配置为将输入数据信号的第一数量的二进制输入比特划分为第一比特组和第二比特组，通过基于第一比特组的值不同地操纵第一比特组和第二比特组来生成第一中间比特组和第二中间比特组，并且通过对第一中间比特组和第二中间比特组进行编码来生成第一符号组和第二符号组，第一符号组和第二符号组中的每一个包括多个符号，并且多个符号中的每一个具有三个不同的电压电平。该发送器包括：驱动器，被配置为通过将第一符号组和第二符号组级联来生成输出数据信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107591174A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710554739.0
申请日：2017-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10 , H01L25/065 , H01L23/48
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/14 , H05K1/115
Abstract: 一种半导体存储器封装包括：基底层，与存储器控制器通信；至少一个存储器层，堆叠在基底层上；以及至少一个硅通孔，穿过所述至少一个存储器层，其中，用于与存储器控制器交换信号的至少一个信号凸块设置在基底层的与存储器控制器相邻的第一区域中，以及其中第一区域对应于基底层的边缘区域，以及用于从半导体存储器封装的外部接收用于对信号执行信号处理操作的电力的电源凸块设置在基底层的接触所述至少一个硅通孔的第二区域中，其中第二区域对应于基底层的除边缘区域以外的区域。
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公开(公告)号：CN1262420A
公开(公告)日：2000-08-09
申请号：CN99119530.2
申请日：1999-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: F25D29/00
CPC classification number: F25B5/04 , F25B47/022 , F25B2600/112 , F25B2600/2511 , F25D17/065 , F25D2317/0682 , F25D2700/02 , Y02B30/743
Abstract: 有方向控制阀的电冰箱控制方法,在切换制冷剂通道使制冷剂先通过冷藏蒸发器时,将冷藏风扇驱动预定时间并向冷藏室输送蒸发器剩余冷空气。包括步骤:(a)确定温度传感器测出的冷藏室温度是否达到设置温度以确定冷藏室的稳定状态;(b)如果确定其为稳定状态,切换方向控制阀,使制冷剂先通过冷藏蒸发器;(c)如果切换了方向控制阀,则将冷藏风扇驱动预定时间并同步驱动冷冻风扇;(d)冷藏风扇被驱动一预定时间后被停止。
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公开(公告)号：CN115148251A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210095098.8
申请日：2022-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4093
Abstract: 提供了一种经由信号线连接到外部装置的设备和电子设备。所述设备经由信号线连接到外部装置，并包括：片内终结(ODT)电路，被设置在第一ODT状态下；多个信号引脚，所述多个信号引脚中的每个信号引脚连接到信号线；和ODT控制电路，被配置为：识别外部装置的第二ODT状态是否与第一ODT状态对应，并且基于所述设备是第一ODT状态和第二ODT状态不同的非对称ODT，向外部装置提供非对称ODT参数码，并在信号未通过信号线被传输时禁用ODT电路。
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公开(公告)号：CN110098163A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201811580255.4
申请日：2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供了一种包括分布电流的硅通孔的半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体裸片至第M半导体裸片，堆叠在第一方向上。第一半导体裸片至第M半导体裸片中的每个半导体裸片包括：基底；第一硅通孔至第K硅通孔，在第一方向上穿过基底；以及第一电路，通过电连接到第一硅通孔的电源线接收电力。第N半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的每个硅通孔电连接到第N+1半导体裸片的第一硅通孔至第K硅通孔中的在平面图中与其间隔开的硅通孔。
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