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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117437966A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310594310.X
申请日：2023-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、片上纠错码(ECC)引擎和控制逻辑电路。片上ECC引擎包括第一锁存器和第二锁存器。控制逻辑电路响应于第一模式寄存器设置命令而将所述半导体存储器装置设置为测试模式。在测试模式下，片上ECC引擎切断与存储器单元阵列的连接，接收测试数据，将测试数据存储在第一锁存器中，响应于读取命令，对存储在第一锁存器中的测试数据和存储在第二锁存器中的测试奇偶校验数据执行ECC解码，并且向外部装置提供严重度信号，严重度信号指示测试数据和测试奇偶校验数据是否包括至少一个错误位并且所述至少一个错误位是否可校正。
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公开(公告)号：CN117316216A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310091427.6
申请日：2023-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体装置。所述半导体装置包括序列数据生成器和码元改变器，序列数据生成器被配置为生成关于多条数据线的序列数据。码元改变器被配置为通过针对所述多条数据线中的每条用替代码元替换序列数据内具有预定码元的每个位流来从序列数据生成训练模式。序列数据生成器可包括序列生成器，序列生成器被配置为基于每个时钟循环的种子值来生成伪随机二进制序列(PRBS)。
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公开(公告)号：CN117995257A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311094693.0
申请日：2023-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和裸片上纠错码(ECC)引擎。在写入操作期间，裸片上ECC引擎通过利用随机二进制码对第一主数据进行编码来生成第二主数据，对第二主数据执行ECC编码以生成奇偶校验数据，并且将第二主数据和奇偶校验数据存储在存储器单元阵列中的目标页中。在读取操作期间，裸片上ECC引擎从目标页读取第二主数据和奇偶校验数据，与通过利用随机二进制码对第二主数据进行编码来生成第一主数据并行地，基于奇偶校验数据对第二主数据执行ECC解码以生成校验子，并且基于校验子来校正第一主数据中的至少一个错误位。
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公开(公告)号：CN117095734A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310563032.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 提供了一种存储器系统、一种操作存储器系统的方法和一种存储器控制器。该存储器系统包括主机系统，其具有存储器控制器，该存储器控制器被配置为生成命令地址信号。该存储器控制器包括：第一比特生成器，其被配置为生成作为多个数据比特的数据信号；第二比特生成器，其被配置为生成具有高逻辑电平或低逻辑电平的命令地址总线反转比特(CABIB)，该高逻辑电平或低逻辑电平是数据信号内具有预定逻辑电平的数据比特的数量的函数；以及奇偶校验比特生成器，其被配置为当数据信号和CABIB内具有高逻辑电平的数据比特的总数是偶数时，将奇偶校验信号设置为第一逻辑电平。该存储系统被配置为响应于从主机系统接收的命令地址信号来写入或读取数据。
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公开(公告)号：CN117095715A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310561642.8
申请日：2023-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C29/18
Abstract: 一种存储器装置、该存储器装置的操作方法以及包括该存储器装置的测试系统。存储器装置可包括：解码器组，其被配置为从存储器装置外部接收包括多个符号的多个码字，并且被配置为将多个码字解码为数据图案；存储器单元阵列，其被配置为从解码器组接收数据图案并且包括多个存储器单元；以及编码器，其被配置为将数据图案编码为包括多个符号的多个码字。多个码字可包括非法码字和正常码字，并且解码器组还可被配置为将多个码字中的非法码字转换为固定图案，并且编码器可被配置为将多个码字输出至存储器装置之外。
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