公开(公告)号：CN106252417A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610833928.7

申请日：2013-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴昌佑 ,  闵信喆 ,  李钟昱 ,  李忠浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种具有不同鳍宽的半导体器件。半导体器件，包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；第一鳍部，其布置在第一区域上并且从衬底的顶表面突出；第二鳍部，其布置在第二区域上并且从衬底的顶表面突出；第一隔离件，其接触第一鳍部；以及第二隔离件，其接触第二鳍部。第一鳍部的上部从第一隔离件突出，第二鳍部的上部从第二隔离件突出，N型晶体管位于第一区域中，P型晶体管位于第二区域中，并且第一鳍部的上部的宽度不同于第二鳍部的上部的宽度。

公开(公告)号：CN103325833A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310089305.X

申请日：2013-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴昌佑 ,  姜明吉 ,  金范洙 ,  尹钟植

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及包括其的半导体器件和集成电路器件。根据该场效应晶体管，源极区和漏极区被提供在衬底上以及鳍部被提供为从衬底突出。鳍部将源极区和漏极区彼此连接。栅电极图案设置在鳍部上并且延伸以交叉鳍部。栅电介质层设置在鳍部和栅电极图案之间。半导体层设置在鳍部和栅电介质层之间。半导体层和鳍部分别具有彼此不同的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN103325736A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310087395.9

申请日：2013-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴昌佑 ,  闵信喆 ,  李钟昱 ,  李忠浩

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了具有不同鳍宽的鳍式场效应晶体管的制作方法。该方法包括：准备具有第一区域和第二区域的衬底；在第一区域和第二区域上形成鳍部，每个鳍部从所述衬底上突出且具有第一宽度；形成第一掩模图案，以暴露第一区域上的鳍部并覆盖第二区域上的鳍部；以及改变第一区域上的鳍部的宽度。

公开(公告)号：CN101369578B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810171446.5

申请日：2008-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴昌佑 ,  朴东健

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7841 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有浮体元件和基体元件的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括具有基体元件区和浮体元件区的衬底。还设置了限定衬底的基体元件区的有源区和限定衬底的浮体元件区的第一元件区上的顺次堆叠的第一埋层图案和第一有源图案的隔离区。也设置了插设在第一埋层图案和衬底之间以及第一埋层图案和第一有源图案之间的第一埋层电介质层。

公开(公告)号：CN100550418C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200410001940.9

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  吴昌佑 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  赵慧珍 ,  尹恩贞 ,  李信爱 ,  崔晶东

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。

公开(公告)号：CN101174632A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710167796.X

申请日：2007-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓南均 ,  宋基焕 ,  吴昌佑 ,  赵佑荣

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

Abstract: 一种单晶体管浮体动态随机存取存储器(DRAM)装置，包括设置在半导体基板上的浮体和设置在浮体上的栅极电极，浮体包括过量载流子存储区域。DRAM装置还包括分别设置在栅极电极两侧的源极和漏极区域，以及设置在浮体与源极和漏极区域之间的泄漏屏蔽图案。每个源极和漏极区域都接触浮体，浮体可以设置在源极和漏极区域之间。浮体还可以在泄漏屏蔽图案下横向延伸，该泄漏屏蔽图案可以设置在栅极电极的外侧。