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公开(公告)号：CN107644934B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201710497491.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种存储器件包括可变电阻层和电连接到可变电阻层的选择器件层。存储器件还包括减少漏电流并且具有例如根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1‑a)Z](1‑U)[N]U‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。
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公开(公告)号：CN110896087A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910857500.X
申请日：2019-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种开关元件、可变电阻存储器装置和制造该开关元件的方法。所述开关元件包括：设置在衬底上的下阻挡电极；设置在下阻挡电极上的开关图案；以及设置在开关图案上的上阻挡电极。开关图案包括第一开关图案和第二开关图案，所述第二开关图案设置在第一开关图案上并具有与第一开关图案的密度不同的密度。
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公开(公告)号：CN107123734A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710089322.1
申请日：2017-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/144 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/00 , H01L45/122 , H01L45/16
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：选择图案；中间电极，接触选择图案的第一表面；可变电阻图案，相对于选择图案在中间电极的相反侧；以及第一电极，接触选择图案的第二表面并包括n型半导体材料，选择图案的第二表面与其第一表面相反。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN115482851A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210423496.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 电阻式存储器装置，其包括电阻式存储器图案；和电连接至所述电阻式存储器图案的选择元件图案，所述选择元件图案包括硫属化物开关材料和至少一种金属材料，所述硫属化物开关材料包括锗、砷和硒，且所述至少一种金属材料包括铝、锶或铟，其中所述选择元件图案包括非均匀材料层，在所述非均匀材料层中所述至少一种金属材料在所述选择元件图案中的含量根据在所述选择元件图案内的位置是可变的。
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公开(公告)号：CN111192613B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201911050560.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了存储器器件和存储器单元。该存储器器件包括字线、与字线交叉的位线、以及在字线和位线的交叉处的存储器单元。该存储器单元包括连接到字线的第一电极、连接到位线的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的选择元件层。该选择元件层包括Ge‑Se‑Te、Ge‑Se‑Te‑As和Ge‑Se‑Te‑As‑Si中的一种，并且Ge‑Se‑Te‑As和Ge‑Se‑Te‑As‑Si中的每种的砷(As)成分的组分比率大于0.01且小于0.17。
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公开(公告)号：CN118695600A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410330568.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有极性相关阈值电压偏移特性的自选择存储器件和/或包括该自选择存储器件的存储装置。该存储器件包括第一电极、远离并面对第一电极的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的存储层。存储层具有双向阈值开关特性，并且被配置为使得存储层的阈值电压随着存储层中的活性陷阱的密度改变而改变，阈值电压根据施加到存储层的偏压的极性和强度而改变。此外，元素成分分布被配置为响应于存储层的阈值电压改变而在存储层中保持恒定。
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