公开(公告)号：CN119342799A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410548260.6

申请日：2024-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知雄 ,  金珍圭 ,  南润锡 ,  李教旭

IPC: H10B10/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件，包括具有背面电力输送网络(BSPDN)的半导体器件。示例半导体器件包括：衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有源图案，在第一表面上；第一栅极结构，与第一有源图案交叉；以及第一后布线图案和第二后布线图案，设置在第二表面上距衬底相同的高度处。第一后布线图案包括均沿第一方向延伸的第一延伸部分和第二延伸部分、以及连接部分，该连接部分沿与第一方向交叉的第二方向延伸以将第一延伸部分连接到第二延伸部分。第二后布线图案在第二方向上与第一延伸部分间隔开，并且在第一方向上与连接部分间隔开。

公开(公告)号：CN119108428A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410738404.4

申请日：2024-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知雄 ,  福留秀畅 ,  金珍圭 ,  南润锡 ,  李东润

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置可包括：在第一方向和与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的绝缘图案；设置在绝缘图案在第一方向上的侧表面上的衬底绝缘层；设置在绝缘图案在第二方向上的侧表面上的器件隔离层；设置在绝缘图案上并且在垂直于器件隔离层的上表面的竖直方向上彼此间隔开的多个沟道层；栅极结构，其被配置为与绝缘图案竖直地重叠并围绕多个沟道层中的每一个，并且在第二方向上延伸；设置在栅极结构外部的源极/漏极区；以及在源极/漏极区下方电连接到源极/漏极区的背面接触结构，其中，绝缘图案包括从器件隔离层的上表面沿竖直方向突出的突起，多个沟道层中最下面的沟道层的下表面与突起的上表面之间的竖直距离大于多个沟道层之间的竖直距离。

公开(公告)号：CN118198031A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311525559.1

申请日：2023-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东翼 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  金珍圭 ,  罗相喆 ,  南润锡 ,  李敬雨 ,  福留秀畅

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：电力传输网络层；绝缘层，在电力传输网络层上，并且该绝缘层中具有开口；半导体层，填充开口并且覆盖绝缘层；第一通孔，延伸穿过半导体层并且电连接到电力传输网络层；第二通孔，延伸穿过绝缘层和半导体层并且电连接到电力传输网络层；逻辑元件，在半导体层上并且电连接到第一通孔；以及无源元件，在半导体层上并且电连接到第二通孔。