公开(公告)号：CN117790519A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311228969.X

申请日：2023-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田钟珉 ,  林夏珍 ,  金起园 ,  尹琪重 ,  全宅洙 ,  许在成

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括设置在基板上并包括多个光感测单元的光检测器、设置在光检测器上并被配置为透射光的夹层器件、以及包括在夹层器件上彼此间隔开的第一纳米柱和第二纳米柱且被配置为将光聚集到光检测器上的纳米棱镜，第一纳米柱包括掺有第一掺杂浓度的铝的第一折射层以及围绕第一折射层的底表面和侧表面并掺有第二掺杂浓度的铝的第二折射层，第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度。

公开(公告)号：CN117012792A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310456735.4

申请日：2023-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠涓 ,  权炯根 ,  金范锡 ,  金智恩 ,  朴巨成 ,  李允基 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：第一衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括像素阵列区域和边缘区域；在第二表面上的抗反射结构；像素分离部分，在第一衬底中并将像素彼此分离；以及在抗反射结构上的微透镜阵列。该抗反射结构包括顺序堆叠的第一电介质层、钛氧化物层、第二电介质层和第三电介质层。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包括彼此不同的材料。在边缘区域上，第三电介质层穿透第二电介质层和钛氧化物层以与第一电介质层接触。

公开(公告)号：CN116525630A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310102510.9

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳制亨 ,  林夏珍 ,  全宅洙

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，该图像传感器包括第一像素和与第一像素相邻设置的第二像素。像素分离结构设置在第一像素和第二像素之间。后抗反射层设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上。栅栏结构设置在后抗反射层上并定位成在平面图中与像素分离结构叠置。栅栏结构包括阻挡金属层和栅栏。阻挡金属层的高度小于栅栏的高度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。

公开(公告)号：CN111430389B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201911423578.7

申请日：2019-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许在成 ,  金振均 ,  金局泰 ,  李荣彬 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  洪守珍

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。

公开(公告)号：CN115995474A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211267956.9

申请日：2022-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许在成 ,  尹琪重 ,  林夏珍 ,  田钟珉 ,  全宅洙 ,  赵寅成

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括：基板；多个单位像素，提供在基板的像素区上；多个器件隔离图案，在像素区上限定所述多个单位像素；遮光层，提供在基板的顶表面上并包括限定多个光透射区的栅格结构；多个滤色器，提供在遮光层的所述多个光透射区上；以及多个微透镜，提供在所述多个滤色器上。遮光层包括：遮光图案；提供在遮光图案上的低折射图案；以及保护层，提供在基板上并覆盖遮光图案和低折射图案。低折射图案包括多孔硅化合物。在低折射图案中的每个孔具有约0.2nm至约1nm的直径。

公开(公告)号：CN111430389A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201911423578.7

申请日：2019-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许在成 ,  金振均 ,  金局泰 ,  李荣彬 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  洪守珍

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器可以包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个光电转换器件，所述多个光电转换器件在所述衬底内彼此不直接接触；第一沟槽，所述第一沟槽被构造为从所述衬底的所述第一表面延伸到所述衬底的内部并且在所述多个光电转换器件中的相邻光电转换器件之间延伸；第一支撑件，所述第一支撑件在所述第一沟槽内；以及第一隔离层，所述第一隔离层在所述第一沟槽内至少部分地覆盖所述第一支撑件的两个侧壁，其中，所述第一支撑件的下表面与所述衬底的所述第一表面共面。

公开(公告)号：CN111029364A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201910535319.7

申请日：2019-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严祥训 ,  尹琪重 ,  全宅洙

IPC: H01L27/30 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

Abstract: 一种半导体图像传感器包括基板和在基板上具有沟槽的隔离绝缘图案。下透明电极提供在沟槽内。该下透明电极包括第一层和在第一层上的不同的第二层。有机光电层提供在下透明电极上，上透明电极提供在有机光电层上。第一层可以接触沟槽的底部和侧表面，并且可以在其中具有接缝，该接缝由第二层的一部分至少部分地填充。第一层可以相对于第二层具有更高的透光效率，并且相对于第二层具有更低的电阻。