公开(公告)号：CN107004599B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201580065169.8

申请日：2015-12-14

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  小野升子 ,  田中博文 ,  井上浩二 ,  和知浩子

IPC: H01L21/3205 ,  C01B33/12 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/14 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明提供一种基板中间体，其具备：在厚度方向具有配置导电体的孔的基板，以及在所述孔的壁面形成的密合层，所述密合层包含具有阳离子性官能团且重均分子量为2000以上1000000以下的聚合物(A)、与1分子中具有2个以上羧基的多元羧酸化合物(B)或其衍生物的反应物。

公开(公告)号：CN106537564A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038048.4

申请日：2015-08-05

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  田中博文 ,  小野升子 ,  井上浩二 ,  和知浩子 ,  铃木常司

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明涉及一种密封组合物，其含有：具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物(A)、以及苯并三唑化合物，所述聚合物(A)的含量相对于密封组合物100质量份为0.05质量份～0.20质量份，所述密封组合物中的所述苯并三唑化合物的含量为3质量ppm～200质量ppm，所述密封组合物的pH为3.0～6.5。

公开(公告)号：CN108292604A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680066750.6

申请日：2016-11-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  田中博文 ,  和知浩子 ,  小野升子

IPC: H01L21/312 ,  C08K5/092 ,  C08L101/02

CPC classification number: C08K5/092 ,  C08L101/02

Abstract: 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

公开(公告)号：CN107431016A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680018934.5

申请日：2016-03-24

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 田中博文 ,  茅场靖刚 ,  和知浩子 ,  井上浩二 ,  小野升子

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/76

Abstract: 本发明是一种填埋平坦化膜的制造方法，其具有下述工序：第1涂布工序，在具有凹部的构件的包含上述凹部的区域，涂布包含多元胺和第1溶剂的第1涂布液而在上述凹部填埋第1涂布液；以及第2涂布工序，在包含填埋有第1涂布液的上述凹部的区域，涂布包含具有2个以上羧基的有机物和沸点为200℃以下且SP值为30(MPa)1/2以下的第2溶剂的第2涂布液。

公开(公告)号：CN104412376A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380036029.9

申请日：2013-07-12

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  茅场靖刚 ,  田中博文 ,  高村一夫 ,  铃木常司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C09D179/02 ,  C09K13/00 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02093 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其包括：于具备具有凹部的层间绝缘层、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含铜的配线的半导体基板上赋予半导体用密封组合物，至少在凹部的底面及侧面形成密封层的工序，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基准计为10质量ppb以下；以及于温度200℃以上425℃以下的条件下对半导体基板的形成有密封层之侧的面进行热处理，将形成于配线的露出面上的密封层的至少一部分去除的工序。

公开(公告)号：CN104081503A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380005535.1

申请日：2013-01-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  茅场靖刚 ,  田中博文 ,  高村一夫 ,  铃木常司 ,  三尾茂

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/04 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: C08G73/0206 ,  C08G73/0213 ,  C08G73/0226 ,  C08G2190/00 ,  C09J179/02 ,  C09K3/1006 ,  C09K2003/1087 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/2982 ,  H01L2924/00

Abstract: 在本发明中提供一种半导体用密封组合物，其含有下述聚合物，且钠和钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～1000000，支化度为48％以上。

公开(公告)号：CN104412376B

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201380036029.9

申请日：2013-07-12

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  茅场靖刚 ,  田中博文 ,  高村一夫 ,  铃木常司

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C09D179/02 ,  C09K13/00 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02093 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明中提供一种半导体装置的制造方法，其包括：于具备具有凹部的层间绝缘层、以及其至少一部分在凹部的底面的至少一部分上露出的包含铜的配线的半导体基板上赋予半导体用密封组合物，至少在凹部的底面及侧面形成密封层的工序，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能基且重均分子量为2000～1000000的聚合物，Na及K的含量以元素基准计为10质量ppb以下；以及于温度200℃以上425℃以下的条件下对半导体基板的形成有密封层之侧的面进行热处理，将形成于配线的露出面上的密封层的至少一部分去除的工序。

公开(公告)号：CN104081503B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201380005535.1

申请日：2013-01-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  茅场靖刚 ,  田中博文 ,  高村一夫 ,  铃木常司 ,  三尾茂

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/04 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: C08G73/0206 ,  C08G73/0213 ,  C08G73/0226 ,  C08G2190/00 ,  C09J179/02 ,  C09K3/1006 ,  C09K2003/1087 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/2982 ,  H01L2924/00

Abstract: 在本发明中提供一种半导体用密封组合物，其含有下述聚合物，且钠和钾的含量以元素基准计分别为10重量ppb以下，所述聚合物具有包含叔氮原子和季氮原子中的至少一方的2个以上阳离子性官能团，且重均分子量为2000～1000000，支化度为48％以上。

公开(公告)号：CN103081076B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180040488.5

申请日：2011-09-08

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 小野升子 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: H01L21/312 ,  C09K3/10 ,  H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/02334 ,  C09K3/1006 ,  C09K2200/0645 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及该制造方法中使用的冲洗液，上述半导体装置的制造方法依次包括以下工序：密封组合物赋予工序，对半导体基板的表面的至少一部分赋予半导体用密封组合物而形成半导体用密封层，上述半导体用密封组合物含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～600000的树脂，并且钠及钾的含量分别以元素基准计为10质量ppb以下；以及洗涤工序，利用25℃时的pH值为6以下的冲洗液，将半导体基板的形成有上述半导体用密封层的面进行洗涤。

公开(公告)号：CN105051872A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480017656.2

申请日：2014-03-11

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 茅场靖刚 ,  小野升子 ,  田中博文 ,  铃木常司 ,  三尾茂 ,  高村一夫

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/02 ,  C08K5/09 ,  C08L79/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C08K5/0091 ,  C08L79/02 ,  C09J179/04 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/56 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。