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公开(公告)号：CN104867982A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510142874.5
申请日：2010-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底之上的栅电极层；所述栅电极层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层中的每一个与所述氧化物半导体层接触；所述源电极层和所述漏电极层之上的绝缘层，所述绝缘层包含氧和硅；以及所述氧化物半导体层和所述绝缘层之间的第一区域，其中，所述第一区域包含氧、硅和包含于所述氧化物半导体层中的至少一种金属元素。
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公开(公告)号：CN103137496A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210506180.1
申请日：2012-11-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/0692 , H01L29/24 , H01L29/36 , H01L29/41733 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78693
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置，并且提供该半导体装置的制造方法。以高成品率制造可靠性高的半导体装置，而可以实现高生产化。在具有接触于氧化物半导体膜上地设置源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置中，抑制杂质混入到该氧化物半导体膜的侧面端部中、以及发生氧缺陷。由此在该氧化物半导体膜的侧面端部形成寄生沟道而防止该晶体管的电特性变动。
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公开(公告)号：CN102668096A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080048595.8
申请日：2010-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一个目的是提供一种具有稳定的电特性的包括氧化物半导体的半导体装置。在氧化物半导体层之上形成具有很多以悬挂键为典型代表的缺陷的绝缘层，并在其间插入氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层，由此使氧化物半导体层中的诸如氢或湿气(氢原子或者含有氢原子的化合物(诸如H2O))的杂质移动通过所述氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层，并扩散到所述绝缘层中。因而，降低了所述氧化物半导体层的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102484139A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039662.X
申请日：2010-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的目的之一是提供一种具有适合用于半导体装置的新的结构的氧化物半导体层。此外，本发明的目的之一是提供一种使用具有新的结构的氧化物半导体层的半导体装置。本发明是一种氧化物半导体层，包括：以非晶为主要结构的非晶区域以及表面的附近的包含In2Ga2ZnO7的晶粒的结晶区域，其中，晶粒被取向为其c轴成为大体上垂直于表面的方向。此外，本发明是一种使用这种氧化物半导体层的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102354731A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110339426.6
申请日：2007-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 高桥正弘
Abstract: 本发明揭示一种发光器件及电子设备，其目的在于提高电致发光元件等发光元件的光取出效率。在衬底100上方形成第一电极101、发光层102、第二电极103，来一部分构成发光元件。将在发光层102发出的光从第二电极103取出。与第二电极103的表面接触地提供多个立体的物体104。通过提供物体104，在第二电极103和空气之间被全反射的光入射于物体104，而可以将光从物体104所具有的不平行于物体和第二电极103的界面的侧面发出。
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公开(公告)号：CN100452477C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510008322.1
申请日：2001-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法，从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法，其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层，并借助于继续蒸发发光材料，同时停止蒸发掺杂剂，而制作由发光材料构成的第二发光层。结果，提高了各个发光层的连续性，从而能够得到优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN100377292C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03132892.X
申请日：2003-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5206
Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。
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公开(公告)号：CN1642373A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510008322.1
申请日：2001-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法，从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法，其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层，并借助于继续蒸发发光材料，同时停止蒸发掺杂剂，而制作由发光材料构成的第二发光层。结果，提高了各个发光层的连续性，从而能够得到优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN1197436C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN01119049.3
申请日：2001-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法，从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法，其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层，并借助于继续蒸发发光材料，同时停止蒸发掺杂剂，而制作由发光材料构成的第二发光层。结果，提高了各个发光层的连续性，从而能够得到优异的发光性能。
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