公开(公告)号：CN1297473C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN03136649.X

申请日：2003-05-22

Applicant: 日本酸素株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 矢崎隆一 ,  川井雅人 ,  君岛哲也 ,  松田州央 ,  大见忠弘

IPC: C01B23/00

CPC classification number: C01B21/0466 ,  B01D53/04 ,  B01D53/26 ,  B01D53/75 ,  B01D53/86 ,  B01D2253/108 ,  B01D2257/80 ,  C01B5/00 ,  C01B21/0416 ,  C01B21/0422 ,  C01B23/0021 ,  C01B23/0026 ,  C01B2210/0035 ,  C01B2210/0037 ,  C01B2210/0053 ,  C01B2210/0075 ,  Y02C20/10

Abstract: 一种气体精制方法及装置，能够有效率的除去使用氪气或氙气的各种过程的排放气体中所含有的不纯物，而且可以实现在半导体制造装置附近设置能够将排气中的稀有气体连续的分离、回收再利用的小型系统。此方法是为从以稀有气体与氮气作为主成分，且含有以氢气、氮与氢所组成的反应生成物、水蒸气作为微量不纯物的气体混和物中除去上述微量不纯物的气体精制方法，包括能够除去由氮与氢所形成的反应生成物与水蒸气的吸附过程、使氢气在氧气存在下经由氢气氧化触媒反应而能够转换成水蒸气的氢气氧化过程以及除去在氢气氧化过程中所生成的水蒸气的干燥过程，而且，在含有作为微量不纯物的氮氧化物的情况下，在吸附过程的前段，进行使氮氧化物在还原物质存在下经由脱氮触媒反应而能够转换成氮气与水蒸气的脱氮过程。

公开(公告)号：CN1875467A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480032469.8

申请日：2004-11-02

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  野泽俊久 ,  森田治 ,  汤浅珠树 ,  小谷光司

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。

公开(公告)号：CN1285896C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN02808689.9

申请日：2002-11-22

Applicant: 株式会社富士金 ,  东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  宇野富雄 ,  中村修 ,  池田信一 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  松本笃咨 ,  杉山一彦

IPC: G01L19/04 ,  G01L9/00 ,  G01D3/028

CPC classification number: G05D7/0635 ,  G01D3/022 ,  G01F1/50 ,  G01F15/046 ,  G01L9/025

Abstract: 一种压力传感器、压力控制装置及流量控制装置，可以自动地修正压力传感器的温度漂移，且即使温度变动，仍可正确地检测出压力。本发明的压力式流量控制装置的温度漂移修正装置是在压力式流量控制装置上使用，该压力式流量控制装置在节流装置(4)与控制阀(22)之间设有检测上游侧压力(P1)用的上游侧压力传感器(10)，在根据上游侧压力(P1)运算通过节流装置(4)的流量的同时，还通过控制阀(22)的开闭来控制通过节流装置(4)的流量，该压力式流量控制装置的温度漂移修正装置由测定流体温度的温度传感器(14)、存储流体温度(T)与上游侧压力传感器(10)的输出漂移的关系的存储机构(64)、以及温度漂移修正机构构成，其中，温度漂移修正机构是在流体温度(T)发生变化的情况下，根据存储机构(64)的数据运算上游侧压力传感器(10)的输出漂移量，根据该运算的输出漂移量消除上游侧压力传感器(10)的输出漂移，从而修正温度漂移。利用该结构，可自动地修正压力传感器的温度漂移，进行正确的流量控制。

公开(公告)号：CN1864112A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029178.3

申请日：2004-09-14

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  宇野富雄 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  中村修 ,  松本笃咨 ,  永濑正明 ,  池田信一

IPC: G05D7/06

CPC classification number: G05D16/208 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/8741 ,  Y10T137/87507

Abstract: 本发明提供一种腔室内压控制装置，通过防止流量的控制精度在小流量范围大幅下降，并在整个流量控制范围可以进行高精度的流量控制，来调节向腔室供给的气体流量并在较大压力范围高精度控制腔室内压。具体来说，向腔室供给气体的装置，由并列状连接的多台压力式流量控制装置，和控制多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成，一边控制流量一边向由真空泵排气的腔室供给所希望的气体，其中，把一台压力式流量控制装置作为控制向腔室供给的最大流量的至多10％的气体流量范围的装置，把其余的压力式流量控制装置作为控制其余的气体流量范围的装置，进而在腔室上设置压力检测器并且向控制装置输入该压力检测器的检测值，调节向压力式流量控制装置的控制信号来控制向腔室的气体供给量，由此来控制腔室内压。

公开(公告)号：CN1829830A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480021852.3

申请日：2004-07-07

Applicant: 艾德麦普株式会社 ,  三井造船株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  佐野纯央

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C30B29/36 ,  H01L21/3148 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。

公开(公告)号：CN1267576C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN01143879.7

申请日：2001-12-14

Applicant: 夏普株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 钟筑律夫 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/32136

Abstract: 按照一种等离子体处理方法，送入处理腔体(1)内的处理气体产生等离子体并且借助等离子体对处理腔体(1)内放置的衬底(8)进行处理。衬底(8)包括至少两种类型被等离子体刻蚀的堆叠薄膜(21，22)，并且根据被刻蚀的薄膜类型，改变等离子体产生期间内的处理气体。因此可以缩短除主等离子体处理以外的任何过程所需时间从而可以缩短整个等离子体处理的总计时间以改善处理速度。

公开(公告)号：CN1799132A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015408.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在具有多个结晶面的立体构造的硅基板表面，使用等离子体形成栅极绝缘膜。等离子体栅极绝缘膜，即使在多个结晶面中也不会增加界面水平，且立体构造的角部中也具有均匀的膜厚。由此，通过由等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，能够得到特性良好的半导体装置。

公开(公告)号：CN1795547A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014594.6

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN1255574C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN01112386.9

申请日：2001-01-13

Applicant: 夏普公司 ,  大见忠弘

Inventor： 山本达志 ,  冈本昌也 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: C23C16/513 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511

Abstract: 在反应容器1的上壁1a上配置多个微波导入窗2a、2b。向与反应容器1的侧壁1b的位置关系中处于等效位置配置的例如2个微波导入窗2a投入相同功率的微波，而向处于非等效位置关系的例如2个微波导入窗2a、2b投入不同功率的微波。从而，能够得到即使在反应室内生成等离子体的负载阻抗不同时，仍能实现均匀的等离子体处理，成本低廉的等离子体处理装置。

公开(公告)号：CN1768431A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480009209.9

申请日：2004-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  若松秀利 ,  小林保男

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/318 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 为了提供一种由于将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态从而具有良好特性的半导体器件，或者为了提供一种能够将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态的半导体器件的制造方法，在本发明中，配有硅基板、栅电极层和栅绝缘膜，其中所述栅绝缘膜配置在所述硅基板与所述栅电极层之间。而且，所述栅绝缘膜是通过氮化处理金属与硅的混合物而形成的高相对介电常数(high－K)膜。通过使High－K膜本身成为氮化物，可以防止SiO2的生成。