公开(公告)号：CN1176483C

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02113085.X

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐剑 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/00

Abstract: 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用准分子激光器：激光波长所对应的能量小于蓝宝石带隙能，但是大于GaN的带隙能，激光辐照透过蓝宝石衬底，辐照蓝宝石-氮化镓界面处的GaN，然后加热或弱酸腐蚀，将GaN和蓝宝石分离开米，得到GaN自支撑衬底。尤其是先将氮化镓表面粘在一基片上，再进行激光辐照，将GaN和蓝宝石分离开来后，再以加热方法将基片粘接层分离。

公开(公告)号：CN1545130A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN200310106425.2

申请日：2003-11-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  汪峰 ,  于英仪 ,  谢自力 ,  俞慧强 ,  李斌斌 ,  顾书林 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34

Abstract: 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善薄膜的表面形貌和质量，直接添加至衬底的HCl流量为4－10sccm。与其他的方法相比，不会引入额外的杂质，这是该发明的一大技术特点。此外，将HCl引入生长区，改变了局域的反应平衡，也会改善GaN薄膜的表面形貌和质量。

公开(公告)号：CN1389904A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02113084.1

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群 ,  郑有炓

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C23C16/34

Abstract: 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法,用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层;在GaN籽晶层上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜,利用光刻方法蚀刻出一定的图形,对于平行长条状,掩摸区宽度2－20μm,GaN窗口区宽度0.2－20μm,平行长条状的开口方向是沿GaN的[1100]取向;对于正六边形的开口,使GaN的[1100]取向垂直于正六边形的边,然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN,直至掩模层被GaN铺满,继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。HVPE生长速率很快。由于在远离界面处位错密度比较低,所以在横向外延薄膜上HVPE厚膜外延,可得到位错密度更低的GaN薄膜。

公开(公告)号：CN1383161A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02113081.7

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐晓峰 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  沈波 ,  江若琏 ,  施毅 ,  韩平 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/00 ,  H01L21/00

Abstract: 溶胶—凝胶(Sol－Gel)法制备ZnO基稀释磁性半导体的方法:采用溶胶—凝胶法并结合掺杂铁磁性离子如Fe、Co或Mn、Ni等制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜:先制备ZnO胶体溶液,将一定量分析纯醋酸锌和磁性金属盐,铁和锌的原子浓度比为1～15%,溶解在无水乙醇中,均匀搅拌,最终得到ZnO胶体溶液,ZnO胶体溶液滴加匀涂覆在旋转的Si片上,将薄膜在室温～100℃下放置一段时间后,然后在240～300℃热处理数分钟后,在500～900℃,氮气气氛下热处理0.5－1.5小时。溶胶—凝胶法制备薄膜材料具有技术简单,低耗费,易于获得大面积的薄膜等优点。可以制得多组分均匀混合物。

公开(公告)号：CN1363725A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01108247.X

申请日：2001-02-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  郑有炓 ,  汪峰 ,  刘建林 ,  陆阳 ,  吴军 ,  张荣 ,  顾书林 ,  胡立群 ,  韩平 ,  江若琏 ,  朱顺明

IPC: C23F1/24 ,  C23F1/02

Abstract: 一种对硅/锗硅化学选择腐蚀方法,采用NH4OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀。本发明所提出采用NH4OH溶液从锗硅上选择腐蚀硅的方法。此方法不仅具有很高的选择腐蚀比,而且与常规微电子集成电路工艺兼容,且溶液无毒、还具有工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN206076241U

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201620088085.8

申请日：2016-01-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  程丽娜 ,  朱顺明 ,  汤琨 ,  任芳芳 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/363

Abstract: 一种采用三明治结构的ZnON薄膜，三明治结构的ZnON薄膜的基底上的夹层为富氮ZnON薄膜，富氮ZnON薄膜厚度为20‑150纳米，夹层上部的覆盖层为富氧ZnON薄膜，富氧ZnON薄膜层厚为5‑30纳米，基底为硅片、石英、玻璃或柔性衬底。三明治结构中夹层富氮ZnON和原位制备覆盖层富氧ZnON，提高了晶体管沟道层的稳定性，抑制后续晶体管器件的功能老化衰退。