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公开(公告)号：CN105845789A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610219660.8
申请日：2016-04-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007
Abstract: 本发明公开一种提高背光源亮度的衬底制作方法，一种提高背光源亮度的衬底制作方法，包括以下步骤：一，提供衬底，在衬底上通过掩膜、光刻，形成凸起的立体状光刻胶图形；二，采用ICP蚀刻，把立体状光刻胶图形转移至衬底表面，形成凸起的立体图案；三，在衬底上通过掩膜、光刻，形成凹陷的立体状光刻胶图形；四，采用ICP蚀刻，把立体状光刻胶图形转移至衬底表面，形成凹陷的立体图案，形成相邻凸起的立体图案之间设置凹陷的立体图案的衬底。本发明可以获得更好的单向性光源，且有效提高发光效率。
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公开(公告)号：CN105789396A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610273690.7
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/005
Abstract: 本发明公开一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延片制作方法，在衬底上表面蒸镀AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上外延生长复合缓冲层，反应温度至1000℃左右；复合缓冲层由GaN缓冲层和多层缓冲层构成；生长完复合缓冲层再升高外延生长温度至1050℃以上依次进行外延生长非故意掺杂层及第一型导电层；降低外延生长温度至低于800℃在第一型导电层上外延生长有源层；升高温度至900℃以上，在有源层上依次生长第二型导电层及欧姆接触层。本发明解决采用大尺寸衬底生长外延片过程中因温度变化导致翘曲变大而引起外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN105762264A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610273817.5
申请日：2016-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管，衬底上表面由下至上依次生成缓冲层、非故意掺杂层及第一部分第一型导电层；第一部分第一型导电层上生成微米孔洞制作层，微米孔洞制作层上设置上宽下窄的倒梯形微米孔洞，在孔洞内由下至上依次生成第二部分第一型导电层、有源区、电子阻挡层、第一部分第二型导电层，第二部分第一型导电层与第一部分第一型导电层连接；微米孔洞制作层上生成第二部分第二型导电层与第一部分第二型导电层连接；第二部分第二型导电层上表面由下至上依次生成欧姆接触层和导电层；在第一部分第一型导电层上设置第一电极，在导电层上设置第二电极。本发明可以多维度提高二极管发光效率，且制作工艺简单。
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公开(公告)号：CN105762247A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610117133.6
申请日：2016-03-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02505 , H01L21/02458 , H01L21/0251 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开一种具有复合结构的氮化物缓冲层制作方法：一，在衬底上制作AlN缓冲层；二，在AlN缓冲层上依次生长多组复合结构缓冲层，每组复合结构缓冲层中的AlN层和GaN层都使用脉冲法生长，并且生长AlN层时TMAl和NH3的脉冲周期都比生长上一个AlN层时的TMAl和NH3的脉冲周期递减1个，而生长GaN层时TMGa和NH3的脉冲周期都比生长上一个GaN层时的TMGa和NH3的脉冲周期递增1个，直至生长最后一组复合结构缓冲层中的AlN层时，TMAl和NH3的脉冲周期减小为0。本发明可以避免在GaN外延层中产生失配位错，从而提高器件的性能和寿命，同时能够精确控制外延层的厚度，提高原子的表面迁移率。
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公开(公告)号：CN105720153A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610219667.X
申请日：2016-04-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种提高背光源亮度的衬底，在衬底表面设置多个凸起的立体图案，在多个凸起的立体图案之间的衬底表面上设置凹陷的立体图案，从而在衬底表面设置多个凹陷的立体图案。本发明可以获得更好的单向性光源，且有效提高发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105355768A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510912084.0
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/005 , H01L33/44 , H01L33/52
Abstract: 一种具有高发光效率的发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，在朝向缓冲层的衬底表面设置形貌不同的PSS表面图形，在p电极下方设置位错阻挡层，所述位错阻挡层设置在p电极设置区域内的ITO透明导电层以下至部分n型导电层；在位错阻挡层下方设置位错线密集区，所述位错线密集区设置在p电极设置区域内的部分n型导电层以下至非故意掺杂层。本发明在位错阻挡层下设置位错集合区，减少发光区域的位错密度，改善了发光区域的外延晶体质量，减弱大工作电流下Efficiency-Droop效应及提高了发光二极管的可靠性；采用位错阻挡层起到了增加P电极的电流扩展效果，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105355732A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510912092.5
申请日：2015-12-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/38
Abstract: 一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法，涉及发光二极管的生产技术领域，本发明工艺特点是：在制作第一型欧姆接触层时，采用不同三五族化合物外延生长形成至少两层第一型欧姆接触结构层；对各第一型欧姆接触结构层依次刻蚀，裸露出具有台阶状的第一型欧姆接触结构层；在步骤5）中第一电极分别与各第一型欧姆接触结构层连接。本发明通过在外延生长结构，设置不同材料的第一型欧姆接触层，通过芯片结构设置台阶式第一型欧姆接触面，形成有效地电流扩展趋势，增强了第一型电流扩展效果，降低了工作电压，有效提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105355728A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510774057.1
申请日：2015-11-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 一种发光表面有周期性图案的高光效倒装LED的制作方法，涉及LED生产技术领域，本发明通过在硅衬底上蒸镀AlN，然后刻蚀出图形，再在图形上生长氮化物材料，最终做成倒装的LED器件且剥离掉硅衬底，使背发射LED芯片达到了提高出光效率的效果。
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公开(公告)号：CN105206729A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510717801.4
申请日：2015-10-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种提升取光效率的GaN-LED芯片，涉及LED芯片的生产技术领域，包括设置在外延片上的芯片区域和切割道区域，其特征在于在所述切割道区域设置点阵排列的若干锥形台，各锥形台的底部连接在外延片的N-GaN层上，各锥形台具有能够将外延片的多量子阱层发出的侧向光反射至芯片正面的侧面。本发明通过在LED芯片切割道设计的锥形台，增加LED芯片侧出光的反射渠道，以此来增加LED芯片取光效率，使正向光的出光量增加，从而提升LED芯片亮度。本发明芯片区域的设计适用于现有的正装、倒装或垂直结构等。
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公开(公告)号：CN105161590A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510627550.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明公开一种氮化物系发光二极管，包括一衬底，在所述衬底上依次设置有非掺层u-GaN、n型导电层n-GaN、有源区和限制层P-AlGaN，在所述限制层P-AlGaN上设置有V型坑蚀刻层，在所述V型坑蚀刻层上设置有V型坑成核层，在所述V型坑成核层上设置有V型坑三维快速层，在所述V型坑三维快速层上设置有V型坑二维快速层，在所述V型坑二维快速层上依次设置有P型导电层、P型接触层和ITO导电层。本发明增加P型区域空穴注入有源区的数量，提高内量子效率；减少V型坑形成漏电通道，提高发光二极管的可靠性，能够提高蓝绿光芯片的内量子效率。
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