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公开(公告)号：CN118039727A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410057181.5
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本申请实施例涉及一种钽酸锂‑氮化硅光电芯片的制备方法及光电芯片，制备方法包括：提供绝缘体上钽酸锂材料；绝缘体上钽酸锂材料包括上下分布的钽酸锂薄膜层和衬底层；采用晶圆键合法在钽酸锂薄膜层上制备氮化硅薄膜层；去除部分氮化硅薄膜层，形成图案化氮化硅薄膜层；在钽酸锂薄膜层上制备金属电极，形成钽酸锂‑氮化硅光电芯片；金属电极和图案化氮化硅薄膜层的位置分离。本申请实施例中，通过采用晶圆键合法形成钽酸锂‑氮化硅异质结构，避开高温沉积氮化硅工艺，确保钽酸锂的极化完整性；通过刻蚀氮化硅形成钽酸锂‑氮化硅异质波导，避开刻蚀钽酸锂这一复杂工艺，充分利用钽酸锂低成本、微波特性和电光属性优良的优势，满足了光电芯片需求。
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公开(公告)号：CN117997301A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410004876.7
申请日：2024-01-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振器、声表面波滤波器和双工器，其中，声表面波谐振器包括：衬底；压电薄膜，设置在所述衬底上；叉指换能器，形成在所述压电薄膜上；还包括：电场施加装置，用于对所述压电薄膜的晶体施加电场，在所述叉指换能器的孔径边界处形成能够对压电声波强反射的铁电畴壁，所述铁电畴壁使得朝向孔径边界正向传播的行波和朝向孔径边界反向传播的行波的相位相等。本发明在实现横向模抑制的同时，没有影响主模的谐振特性，并且也没有改变原有的IDT的工艺以及参数空间。
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公开(公告)号：CN112530855B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202011412909.X
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种复合异质集成半导体结构、半导体器件及制备方法，可集成具有不同功能、不同特性的材料层，实现复合异质集成，且根据不同材料层所具有的特点，从而可发挥各材料层的不同优势，以获得高质量、高性能的半导体器件；进一步的，半导体单晶晶片可以回收循环利用，从而可大大降低成本。
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公开(公告)号：CN114362719B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111466267.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种单片集成声波滤波阵列及其制备方法，单片集成声波滤波阵列包括：支撑衬底；支撑衬底包括多个支撑区域，多个支撑区域包括至少一个第一支撑区域，第一支撑区域对应的部分支撑衬底经过局部或整体改性处理；位于支撑衬底上表面的压电层；多个支撑区域中每个支撑区域在对应的区域表面(如压电层内)上能够激发预设声波模式和/或预设声波频率，多个支撑区域对应多个不同的预设声波模式和/或预设声波频率；位于压电层上表面的电极阵列；电极阵列包括多个电极，多个电极与多个支撑区域一一对应。如此，可以实现多频段声学器件的单片集成，解决实际需求中声表面波谐振器、体声波谐振器等协同工作带来的体积大、工艺复杂、成本高等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117153674A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311213692.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种异质集成结构制备方法、异质集成结构及半导体集成器件。方案包括获取预设数量的第一晶片，将每个第一晶片进行图形化切割，得到预设数量的第二晶片；将预设数量的第二晶片的第一面按照预设排列方式贴合在晶片载具上；朝向每个第二晶片进行离子注入，形成缺陷层；获取支撑衬底，将预设数量的第二晶片的第二面分别与支撑衬底进行键合，得到第一异质集成结构；将第一异质集成结构沿每个第二晶片的缺陷层进行剥离，以去除每个第二晶片的部分以及晶片载具，得到目标异质集成结构。本发明能减小离子注入引起的形貌变化，减小热失配应力，避免解键合，解决小尺寸晶片工艺不兼容的问题，实现异质集成。
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公开(公告)号：CN116837463A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310739417.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及信息功能材料技术领域，尤其涉及一种基于碳化硅的调制器件制备方法及调制器件。方法包括：在碳化硅外延基底上制备外延碳化硅薄膜层；对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域中制备调制器件结构；制备第一器件保护层，并将第一支撑衬底与第一器件保护层进行键合；去除碳化硅外延基底；将第二支撑衬底与调制器件结构键合，去除第一支撑衬底和第一器件保护层，得到基于碳化硅的调制器件。通过对外延碳化硅薄膜层中的预设区域进行重掺杂，并在重掺杂区域进行调制器件结构制备，从而可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅在集成光系统中的高效、高速光调制。
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公开(公告)号：CN111431501B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202010245302.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。本申请实施例提供的兰姆波谐振器通过设置两层不同晶体取向的压电膜，在一定范围内定量调控压电材料的弹性常数和压电常数，减小与低阶模的激发相关的压电常数，从而在保证高阶模的谐振频率和机电耦合系数的同时，使得低阶模被有效抑制，避免了在高阶模兰姆波滤波器的通带外存在其它低阶模所引起的不必要的通带。
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公开(公告)号：CN116736600A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310641469.2
申请日：2023-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微环型声光调制器及制备方法，所述调制器包括：衬底、异质集成薄膜，其中异质集成薄膜包括键合的SiC薄膜与LN压电薄膜；所述异质集成薄膜与衬底键合；所述声光调制器还设有光波导结构和声学组件。本发明利用两种便利的绝缘体上薄膜制备工艺使LN和SiC二者的优良特性相结合，将高质量SiC薄膜、LN薄膜转移到绝缘衬底上，极大地优化了多层薄膜结构的集成难度，同时在SiC/LN/绝缘层结构上得到可适配光学微环谐振腔的弯曲对称叉指电极结构。所述设计可以有效地兼容传统加工工艺，实现单一、高效的声光耦合调制，预计可为实现片上光频梳、光孤子等非线性效应的多维调控提供新的解决途径。
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