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公开(公告)号:CN103562202A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201280017060.3
申请日:2012-01-24
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: C07D403/10 , C07D403/14 , A61K31/496 , A61P35/00
CPC classification number: C07D239/28 , C07D207/34 , C07D231/12 , C07D233/28 , C07D233/56 , C07D261/08 , C07D401/12 , C07D401/14 , C07D403/12 , C07D403/14 , C07D471/04 , C07D207/335 , C07D231/14 , C07D233/90 , C07D307/68 , C07D401/06 , C07D403/06 , C07D403/10 , C07D487/04
Abstract: 披露了Bcl-2/Bcl-xL的抑制剂和含有这些抑制剂的组合物。还披露了在其中Bcl-2/Bcl-xL的抑制提供益处的疾病和病症(像癌症)的治疗中使用这些Bcl-2/Bcl-xL抑制剂的方法。
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公开(公告)号:CN103003294A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201180019615.3
申请日:2011-02-10
Applicant: 密执安大学评议会
CPC classification number: C07K14/4702 , A61K38/00 , C07K7/06 , C07K14/82
Abstract: 本发明涉及用于癌症治疗的组合物和方法,所述癌症治疗包括但不限于癌标记的靶向性抑制。具体地讲,本发明涉及用作前列腺癌的临床靶的复发基因融合。
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公开(公告)号:CN102947710A
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:CN201180017131.5
申请日:2011-01-28
CPC classification number: C12N5/0062 , B01L3/50853 , B01L3/50857 , B01L3/5088 , B01L2200/025 , B01L2200/141 , B01L2200/142 , B01L2300/0829 , B01L2300/161 , B33Y80/00 , C12M23/12 , C12M25/01 , G01N35/028 , G01N2035/1046
Abstract: 本公开一般涉及用于产生和处理流体悬滴的装置、系统以及使用此类装置来产生和处理流体悬滴的方法。本公开还涉及细胞培养装置、方法和/或使用此类装置的系统以及细胞培养装置例如用于研发和高通量筛选的用途。
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公开(公告)号:CN101552275B
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN200910129917.0
申请日:2009-04-01
Applicant: 密执安大学评议会
Inventor: Y·李 , M·J·维科夫斯基 , D·T·布劳夫 , D·M·C·赛尔韦斯特
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L29/92 , H01L29/94 , G11C16/10 , G11C16/26
CPC classification number: G11C16/0416 , G11C16/0441 , G11C2216/10 , H01L27/0629 , H01L27/0805 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L28/40
Abstract: 本发明涉及一种存储器单元结构,使用该存储器单元结构的存储器件以及具有该存储器件的集成电路。该存储器单元结构包含具有浮置栅极节点的读取晶体管;连接至该浮置栅极节点且具有第一编程端子的隧穿电容器;连接至该浮置栅极节点及具有第二编程端子的耦合电容器叠柱,该耦合电容器叠柱包含串联布置在该浮置栅极节点及该第二编程端子之间的至少两个耦合电容器,该耦合电容器叠柱具有比该隧穿电容器更大的电容;在编程操作期间,在该第一编程端子及该第二编程端子间建立电压差,以造成发生电荷隧穿通过该隧穿电容器,以致在该编程操作后,电荷储存在该浮置栅极节点中;在读取操作期间,该读取晶体管被激活以产生指示储存在该浮置栅极节点中的电荷的输出信号。
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公开(公告)号:CN101795869B
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN200780051691.6
申请日:2007-11-13
Applicant: 普林斯顿大学托管委员会 , 密执安大学评议会
IPC: B41J29/377 , H01L51/00 , C23C14/12
CPC classification number: H01L51/0008 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C16/4412 , C23C16/4551 , C23C16/45563
Abstract: 提供了用于有机蒸气喷射沉积的方法和系统,其中在相邻喷嘴(310,320)之间设置排气管(300)。该排气管可降低喷嘴中以及喷嘴与基底(110)之间的压力积聚,造成改进的沉积轮廓、分辨率和改进的喷嘴-喷嘴间均匀性。该排气管可以与环境真空流体连通或可以直接连向真空源。
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公开(公告)号:CN102265398A
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN200980152693.3
申请日:2009-10-20
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1253 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/005 , G11C2013/0071 , G11C2213/11 , G11C2213/33 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本申请描述了一种交叉存储阵列。该交叉存储阵列包括第一材料的平行纳米线的第一阵列和第二材料的平行纳米线的第二阵列。第一阵列和第二阵列彼此以一定角度定向。阵列还包括在两个阵列的每个交叉点处沉积在第一材料的纳米线与第二材料的纳米线之间的多个纳米结构的非晶硅。纳米结构与第一材料和第二材料的纳米线一起形成电阻存储单元。
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公开(公告)号:CN102056759A
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200980121849.1
申请日:2009-04-08
Applicant: 通用汽车环球科技运作公司 , 密执安大学评议会
CPC classification number: B60J10/84 , B60J10/244 , B60J10/246 , B60J10/248
Abstract: 适于在封闭面板与周界之间产生可变密封力和/或闭合力的活性密封架构,包括:安装夹;柔性外层,其固定地连接至夹,限定内部空间并沿周界纵向延伸;以及内部结构,其包括设置在空间内的活性材料并可由设置在空间内的活性材料重新构造,并且可操作以分别在材料激活和失活时向层和面板施加不同的第一力和第二力。
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