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公开(公告)号：CN102177584A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980139738.3
申请日：2009-10-08
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失性固态电阻器件，所述非易失性固态电阻器件包括第一电极、p型硅第二电极、和电连接在所述电极之间的非结晶硅纳米结构。所述纳米结构具有响应于通过所述电极施加到所述纳米结构的电压可调的电阻。所述纳米结构可以被形成为被嵌入位于所述电极之间的绝缘层中的纳米柱。第一电极可以是银或其它导电金属电极。第三（金属）电极可以在邻近纳米结构的位置处连接到p型多晶硅第二电极以允许所述两个金属电极连接到其它电路。电阻器件可以被用作数字非易失性存储器件的单位存储单元以通过在两个或更多个值之间改变它的电阻来存储一位或更多位数字数据。
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公开(公告)号：CN102177584B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980139738.3
申请日：2009-10-08
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失性固态电阻器件，所述非易失性固态电阻器件包括第一电极、p型硅第二电极、和电连接在所述电极之间的非结晶硅纳米结构。所述纳米结构具有响应于通过所述电极施加到所述纳米结构的电压可调的电阻。所述纳米结构可以被形成为被嵌入位于所述电极之间的绝缘层中的纳米柱。第一电极可以是银或其它导电金属电极。第三（金属）电极可以在邻近纳米结构的位置处连接到p型多晶硅第二电极以允许所述两个金属电极连接到其它电路。电阻器件可以被用作数字非易失性存储器件的单位存储单元以通过在两个或更多个值之间改变它的电阻来存储一位或更多位数字数据。
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公开(公告)号：CN102265398B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN200980152693.3
申请日：2009-10-20
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1253 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/005 , G11C2013/0071 , G11C2213/11 , G11C2213/33 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本申请描述了一种交叉存储阵列。该交叉存储阵列包括第一材料的平行纳米线的第一阵列和第二材料的平行纳米线的第二阵列。第一阵列和第二阵列彼此以一定角度定向。阵列还包括在两个阵列的每个交叉点处沉积在第一材料的纳米线与第二材料的纳米线之间的多个纳米结构的非晶硅。纳米结构与第一材料和第二材料的纳米线一起形成电阻存储单元。
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公开(公告)号：CN102265398A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152693.3
申请日：2009-10-20
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1253 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/005 , G11C2013/0071 , G11C2213/11 , G11C2213/33 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本申请描述了一种交叉存储阵列。该交叉存储阵列包括第一材料的平行纳米线的第一阵列和第二材料的平行纳米线的第二阵列。第一阵列和第二阵列彼此以一定角度定向。阵列还包括在两个阵列的每个交叉点处沉积在第一材料的纳米线与第二材料的纳米线之间的多个纳米结构的非晶硅。纳米结构与第一材料和第二材料的纳米线一起形成电阻存储单元。
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