-
公开(公告)号：CN106876585A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710043631.5
申请日：2017-01-19
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/05 , H01L51/0001 , H01L51/0026
Abstract: 本发明公开了一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，包括以下具体步骤：首先制备具有聚合物修饰层的栅绝缘基片；对所述栅绝缘基片进行快速退火操作；在聚合物修饰层上蒸镀有机半导体层及源漏电极，制备有机场效应晶体管；测试所述晶体管的转移特性曲线，提取对应的迁移率，并计算平均迁移率。本发明进一步提出一种根据上述通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法制备的有机场效应晶体管。本发明还提供了上述有机场效应晶体管的制备方法。本发明通过简单的溶液加工工艺，有效地提高有机场效应晶体管的迁移率，便于推广、应用。
-
公开(公告)号：CN106768338A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611127508.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: G01J3/30 , G01J3/0208 , G01J3/0229 , G01J3/027
Abstract: 本发明涉及一种基于滤波效应的太赫兹波谱测量装置及测量方法，避开采用傅里叶变换的方法，因此无需先得到待测太赫兹波的时域谱，也不需要使用机械延迟装置，其结构和光路较为简单，因此整个装置的成本较低；而且对于各种预设滤波条件所对应的滤波单元来说，太赫兹波在滤波单元各个出射部位和出射的各个方向上，具有相同的透射波谱，它们都是经过相同的滤波作用，能够提高光谱测量的稳定性，并且所设计基于滤波效应的太赫兹波谱测量装置，通过解方程组复原太赫兹波谱的方法，使得光谱复原范围和分辨率不再受机械装置移动范围和飞秒激光器重复频率的限制，因此分辨率较高、光谱复原范围较宽。
-
公开(公告)号：CN104134448B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410306921.0
申请日：2014-06-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了多波长叠层荧光数据存储器及其器件制作与读取方法，属于光信息存储技术。本发明的思路是利用入射激光照射在荧光存储器的待读的信息层上，当所述信息层上信息位的凹槽中的荧光介质吸收能量时产生荧光信号。该荧光信号，由于其不同于其他波长，最后在CCD探测器利用一个滤波片滤出除所待读的信息层激发的荧光波长以外的波长，确保CCD接收到只有待读信息层的荧光信号；在读完一层信息后，利用计算机控制滤波器切换至待读的信息层相对应滤波片。确保CCD接收到的荧光信号只有待读信息层的信号，从而达到选层的目的。
-
公开(公告)号：CN106601909A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611186337.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括氧化物缓冲层，以提供离子源。本发明还提出一种制备上述卟啉忆阻器的方法，包括以下步骤：首先制备所述阳极，然后在阳极上制备阻变层，随后在阻变层上制备阴极，氧化物缓冲层通过低真空度原位方法形成，以提高所述阻变层的质量，保证含氧量低于整数比。本发明具有适合柔性器件、可以实现大面积、低成本制作等优点。本发明的卟啉忆阻器是由真空蒸镀制备得到，具有易于设计，工艺简单，器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势。
-
公开(公告)号：CN106098942A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610622661.7
申请日：2016-07-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米柱结构有机场效应晶体管存储器及其制备方法，涉及半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。所述纳米柱结构有机场效应晶体管存储器包括源漏电极、有机半导体层、第二类栅绝缘层、第一类栅绝缘层、栅电极以及衬底，所述有机半导体层与第二类栅绝缘层之间设有纳米柱薄膜层。本发明的有益效果是，通过简单的旋涂工艺制备形貌可控的纳米柱薄膜且改进了器件的存储性能，使其存储容量、存储速度、存储稳定性及其反复擦写可靠性能得到很大提升，并且降低了器件制备成本，具有很大的商业应用价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105823972A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610145044.2
申请日：2016-03-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 本发明涉及一种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法，属于半导体行业存储器技术领域。所述方法包括：制备具有一定厚度的驻极体型有机场效应晶体管存储器；测试并提取所述存储器在不同的编程电压下的存储窗口数据；将所述存储窗口数据进行线性拟合，计算聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压；根据所述最小编程电压计算聚合物驻极体中的电场强度；根据有机半导体层材料与聚合物驻极体材料的能级差，计算最小隧穿势垒；根据所述最小隧穿势垒和电场强度，计算得出聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度。本发明可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的有机场效应晶体管存储器。
-
公开(公告)号：CN105646529A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610029902.7
申请日：2016-01-15
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D495/22 , C07D487/22 , H01L51/54 , C09K11/06 , G01N21/64
CPC classification number: C07D495/22 , C07D487/22 , C09K11/06 , C09K2211/1029 , C09K2211/1092 , G01N21/64 , H01L51/0072 , H01L51/0074
Abstract: 本发明涉及一类芴基风车格子及其制备和应用方法，属于有机分子材料与光电高新技术领域。该类芴基风车格子是以芴基小分子为单体的环状寡聚物，具体通式结构如下：该类材料具有以下特点：(1)芴基风车格子表现兼有孔与半导体光电特征；(2)原料廉价、易得，反应条件温和、容易操作；(3)具有纳米材料优良的机械特性；(4)具有较好的溶解度，方便进行纳米薄膜或纤维化加工；(5)刚性骨架具有高玻璃化转变温度、高热学、电化学稳定性、光谱稳定性等优点。因此，芴基风车格子有希望成为新一代实用有机小分子光电材料，这类芴基风车格子在有机电子、自旋电子、光电子、机械电子以及纳米生物等领域具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN104993052A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510359744.7
申请日：2015-06-25
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/001 , H01L51/0516 , H01L51/0533
Abstract: 本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层，所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片，所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能，使其反复擦写可靠性得到很大提升；并且采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。
-
公开(公告)号：CN103728019B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310706216.5
申请日：2013-12-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01J3/433
Abstract: 本发明公开了一种基于声光调制的光谱测量装置，属于光学测量技术领域。本发明的光谱测量装置包括沿入射光方向依次设置的声光调制器、光探测器。本发明还公开了一种基于声光调制的光谱测量方法，首先测量不同声场强度下光探测器所检测到的光功率，并以得到的光功率数据作为增广矩阵，结合所述光探测器在不同声场强度下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵，建立线性方程组；对该线性方程组求解，得到待测入射光中各频率分量的光功率，然后对其进行线性拟合，并经光谱辐射定标，得到待测入射光的光谱。相比现有技术，本发明具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等显著优点。
-
公开(公告)号：CN104835922A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510206659.7
申请日：2015-04-27
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/05 , H01L51/0032 , H01L51/10
Abstract: 本发明公开了基于光致变色化合物的双向异性的有机二极管电存储器，属于有机半导体电子器件领域。该器件是将一种光致变色化合物蒸镀在ITO的底电极上，光致变色化合物在不同波长的光照条件下能够发生可逆环合反应，并改变化合物的物理性质，从而改变其器件的存储特性。在紫外线或可见光等不同波长的光照射下，有机二极管的存储性质表现为不同的存储类型，其存储性质可以可逆的转换。本发明还公开了基于光致变色化合物的双向异性的有机二极管电存储器的制备方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
176
records
(took 0.029 seconds)
