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公开(公告)号：CN101807545A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010130588.4
申请日：2010-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8222 , H01L21/329 , H01L21/324 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种二极管及电阻转换存储器的制造方法，其中的单晶硅的制备是通过在特定金属上沉积多晶硅薄膜，采用退火工艺，利用特定金属对多晶硅结晶的诱导作用，在较低温度下使多晶硅薄膜结晶形成单晶硅，随后采用半导体工艺制造二极管阵列及基于该种二极管的电阻转换存储器。本发明的特点在于可在较低的温度下制造二极管，且能在多层堆叠的集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN101794808A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010127295.0
申请日：2010-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/763
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器装置及其制造工艺，所述电阻转换存储器装置通过双浅沟道隔离形成二极管阵列，深度不同的第一浅沟道与第二浅沟道非正交相交；第一浅沟道将第一导电类型的重掺杂导电半导体线分隔开，形成多根半导体线；第二浅沟道则在同一重掺杂导电半导体线上方隔离形成多个二极管；二极管对应所需选通的电阻转换存储器单元。
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公开(公告)号：CN101661992A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810042218.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；4.整个相变存储单元的相变材料除电极外被高密度的SiO 2 等介质材料包覆。优势在于：减小相变存储单元的热扩散，提高加热效率，降低操作电流，减小功耗；防止原子扩散，保证相变材料成分稳定；提高可逆相变区域材料的成核生长速率，提高存储速度，提高其与小电极接触的有效性与可重复性；解决相变材料与顶层金属粘附性差的问题；简化工艺步骤，提高工艺的可集成性。
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公开(公告)号：CN101586005A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910054391.4
申请日：2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液，包括如下组分：0.2-30wt％含氧化物抛光颗粒、0.01-5wt％氧化剂、0.01-4wt％表面活性剂、0.01-3wt％有机添加剂，其余为pH调节剂和水性介质。利用本发明的化学机械抛光液对SiSb基相变材料速率可控、表面质量好且低损伤的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。通过该化学机械抛光浆液，SiSb基相变材料的抛光速率可控制在5～2000nm/min，同时表面粗糙度降低到了0.7nm以下。
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公开(公告)号：CN101510584A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910047721.7
申请日：2009-03-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的电阻变化显著的多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：下电极层；处于下电极层表面且为导电材料的加热电极层；处于加热电极层表面的组合层，组合层包括自层表面向层内扩散成第一锥状和自第一锥状锥底部处继续向层内收缩成第二锥状的相变材料区、及和相变材料区组合形成层结构的绝缘材料区，其中，第一锥状和第二锥状的锥顶部的宽度都处于加热电极层宽度的0.01倍至0.03倍之间；处于组合层表面的上接触电极层；处于上接触电极层表面的上电极层。而制备方法包括：首先在半导体衬底上制备下电极通孔，并往所述下电极通孔内沉积导电材料以形成金属栓塞，接着溅射沉积相变材料，并化学机械抛光表面，最后再沉积导电材料以形成金属塞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101465383A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810205004.8
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/82
Abstract: 本发明揭示一种多晶硅肖特基二极管及其制造方法、电阻转换存储器的制造方法。多晶硅肖特基二极管包括多晶硅半导体层、及与多晶硅形成肖特基接触的金属层。所述半导体层为通过金属诱导法、或气相沉积法、或准分子激光脉冲法制备得到的多晶硅材料。所述金属层与多晶硅层之间形成稳定的肖特基接触，所述金属层为金属单质、或为合金。本发明通过多晶硅的沉积辅助以退火处理，使其与特定金属形成肖特基接触制造肖特基二极管，成本上具有竞争力，更有望在三维的立体电阻转换存储电路中得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN101459129A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810207298.8
申请日：2008-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种采用自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，此方法用较少的工艺步骤制造二极管阵列，有效节省了光刻次数，采用特定的金属与半导体，使两者之间形成稳定的肖特基接触，用于肖特基二极管的形成，进而对存储器件进行选通。作为本发明的一部分，还包括基于自对准肖特基二极管阵列的电阻转换存储器的制造方法。
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公开(公告)号：CN101364043A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044607.X
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米结构套刻的模极设计和实现方法，属于微纳电子领域。其特征在于将不同层结构定义在同一块模板上，通过特定的改变模板与基底相对位置，重复使用来实现多层纳米结构的套刻。这种方法不需要配置精密对准系统就可实现纳米级套刻。传统的套刻技术采用精密对准和多块模板，面对纳米级线宽加工需求，定位对准系统和光刻模板的成本越来越高。即使对于纳米压印这些新型的微纳加工技术，由于技术本身尚处研发，设备本身匮乏定位能力，对准和模板同样是研发的瓶颈问题。本发明提出的方法，不仅可以节约多层纳米结构加工研发成本，提高研发效率，而且可以有效解决纳米级结构套刻难题，具有研发实用价值。
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公开(公告)号：CN101329909A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040952.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种提高相变存储器编程速度的系统及方法，对存储单元进行编程操作的同时，对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作后，对上一或多个存储单元再进行一次编程操作。如此循环往复，将读反馈与编程操作并行进行，在提高存储其编程操作可靠性的同时，不影响整体编程速度。
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公开(公告)号：CN101329907A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810040950.1
申请日：2008-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，在进行当前编程操作的同时，预读下一位或多位待编程的地址位，将其数据与待编程数据相比较：如果待写入数据与存储器原始存入数据相同，则不进行编程操作；如果待写入数据与存储器原始存入数据不同，则进行编程操作。由于存储器的状态处于“0”与“1”两种状态，按照概率理论，待写入数据与存储器原始数据相同的概率为50％，故该方法能够降低存储芯片50％的功耗，提高了存储单元的存储寿命，同时擦、写时间比读的时间要长，因此该发明也可提高芯片的存储速度。
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