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公开(公告)号：CN102827549A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210324122.7
申请日：2012-09-04
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/3105
Abstract: 本发明关于一种化学机械抛光液，尤其涉及一种氧化硅介电材料用化学机械抛光液，可有效应用于半导体中氧化硅介电材料。所述氧化硅介电材料用化学机械抛光液，含有氧化物抛光颗粒、盐组份、鳌合剂、pH调节剂及水性介质；其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化物抛光颗粒0.2-50wt%；盐组份，其通式为MXn，M为金属元素，X为卤素0.1-5wt%，n=1、2或3；螯合剂0.05-5wt%；余量为pH调节剂和水性介质。本发明所提供的化学机械抛光液，通过盐组份及螯合剂的独特组合，在适当的pH的条件下，大大提高了二氧化硅薄膜去除速率。
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公开(公告)号：CN102757732A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210219203.0
申请日：2012-06-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光液，尤其涉及一种可有效应用于Al衬底化学机械抛光工艺的抛光液。本发明提供一种Al衬底用化学机械抛光液,包含抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、腐蚀抑制剂、表面活性剂、pH调节剂及水性介质。其中以抛光液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：抛光颗粒0.1-50wt%；氧化剂0.01-10wt%；螯合剂0.01-5wt%；腐蚀抑制剂0.0001-5wt%；表面活性剂0.001-2wt%；余量为pH调节剂和水性介质。可显著降低化学机械抛光后Al衬底表面的桔皮坑等缺陷,从而大大改善抛光后Al衬底表面质量。
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公开(公告)号：CN101924069B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010172878.5
申请日：2010-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的薄膜转移到衬底晶圆上。随后在转移后的晶圆上进行刻蚀、薄膜沉积和化学机械抛光等工艺得到所需的二极管单元、加热电极、电阻转换存储单元及上电极等。本发明中二极管结构层薄膜的转移可以重复实施，从而可集成得到多层1D1R结构存储单元，多层结构中的垂直互连可以有效减少互连线的RC延迟，因此本发明制备三维电阻变换存储结构的方法可以适用于高密度、高速存储芯片设计。
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公开(公告)号：CN101465324B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810204987.3
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L27/24
Abstract: 本发明揭示一种实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法，该方法首先采用室温等离子体活化键合技术将有外围电路的硅片与外延了pn结的SOI片键合；并在150℃-400℃下低温退火，以加强键合强度；然后用KOH溶液腐蚀掉SOI片的体硅部分，并且腐蚀自动停止在埋氧层，用稀释的HF酸溶液漂掉埋氧层，从而使pn结外延层转移到有外围电路的硅片上，在硅外延层上沉积阻挡层、相变材料，最后通过反应离子刻蚀得到想要的单元器件结构，该结构适用于高密度、高速存储。本发明通过室温等离子活化键合技术使得在低于400℃的退火条件下即可得到较强的键合强度，避免了硅片上已有的电路结构受到高温退火的影响而引起的性能衰变。
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公开(公告)号：CN102064134A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010572456.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，并使用机械减薄和化学腐蚀的方法实现低温下薄膜材料层转移；然后沉积电阻转换存储材料和导电薄膜，再经过光刻、刻蚀以及化学机械抛光等工艺，获得立体的选通管-电阻存储单元阵列。重复实施上述过程即可实现立体多层结构的电阻存储阵列，本发明中利用等离子体活化室温键合技术可以避免已有电路结构以及下层电阻存储单元因高温而产生的性能退化，因而该工艺适用于高速高密度存储芯片的开发。
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公开(公告)号：CN101604666B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910053513.8
申请日：2009-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/00 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，公开了一种蓝宝石衬底及其抛光方法与应用，本发明的蓝宝石衬底表面抛光，且抛光表面具有随机无序的凹陷图案结构。本发明的蓝宝石衬底表面只有局部平坦化。这样的蓝宝石衬底大大降低了加工成本，增加了抛光效率。
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公开(公告)号：CN101924069A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010172878.5
申请日：2010-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的薄膜转移到衬底晶圆上。随后在转移后的晶圆上进行刻蚀、薄膜沉积和化学机械抛光等工艺得到所需的二极管单元、加热电极、电阻转换存储单元及上电极等。本发明中二极管结构层薄膜的转移可以重复实施，从而可集成得到多层1D1R结构存储单元，多层结构中的垂直互连可以有效减少互连线的RC延迟，因此本发明制备三维电阻变换存储结构的方法可以适用于高密度、高速存储芯片设计。
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公开(公告)号：CN101642893A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910194558.7
申请日：2009-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不锈钢衬底的精密抛光方法，包括：按比例配制抛光液；将待抛光的不锈钢衬底5固定于抛光头4底部，加压装置7将抛光头4作用于抛光台6上，并且抛光台6、抛光头4在转动装置带动下旋转，同时抛光液2被输送至抛光垫1表面，使抛光液2、抛光垫1及不锈钢衬底5三者充分接触；将不锈钢衬底5表面进行化学机械抛光至表面完全成镜面，立即清洗即可。经本发明抛光后的不锈钢衬底，其表面平整光滑，均方根粗糙度仅0.7纳米，克服了其他抛光方法所无法满足的平坦度及粗糙度的要求。
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公开(公告)号：CN101299453A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810038906.7
申请日：2008-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及纳米复合相变材料以及其制备方法。其特征在于：(1)纳米复合相变材料中具有相变能力的区域被不具备相变能力的稳定功能材料分散成尺寸为纳米量级的微小区域。(2)纳米复合相变材料中功能材料和相变材料层交替生长，功能材料层将各层相变材料层分隔开，形成多层结构。本发明还包含了纳米复合材料的制备方法与纳米加工的方法。功能材料的分散作用有效地限制了相变存储器件中相变材料的可逆相变区域，有效降低了晶粒尺寸；功能材料的存在又降低了复合材料的电导率和热导率，从而提高了器件的加热效率，降低了器件的功耗，并提升了数据保持能力和疲劳特性等。
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