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公开(公告)号：CN110172348A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910140377.X
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体纳米晶体颗粒、其制造方法、和包括其的量子点群及发光器件。所述半导体纳米晶体颗粒包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；包围所述芯的第一壳，所述第一壳包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括与所述第一半导体纳米晶体不同的组成；包围所述第一壳的第二壳，所述第二壳包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第一半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第三半导体纳米晶体包括锌和硫；其中所述第二半导体纳米晶体的能带隙小于所述第一半导体纳米晶体的能带隙和小于所述第三半导体纳米晶体的能带隙；和其中所述半导体纳米晶体颗粒不包括镉。
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公开(公告)号：CN110065931A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910062615.X
申请日：2019-01-23
Abstract: 本发明涉及半导体纳米晶体颗粒、多个半导体纳米晶体颗粒的群、其制造方法、和电子设备，所述半导体纳米晶体颗粒包括由化学式1表示的过渡金属硫属化物，所述半导体纳米晶体颗粒具有小于或等于约100纳米的尺寸，其中M1为Ca、Sr、Ba或其组合，M2为Ti、Zr、Hf或其组合，和Cha为S、Se、Te或其组合。化学式1M1M2Cha3。
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公开(公告)号：CN110028968A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910026869.6
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开不含镉的量子点、包括其的量子点-聚合物复合物、和显示装置，所述不含镉的量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，其中所述量子点不包括镉并且包括铟和锌，所述量子点具有在红色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半峰全宽(FWHM)小于或等于约40nm，所述量子点的紫外-可见吸收光谱在约450nm和第一吸收峰波长之间具有谷部，并且通过以下方程定义的谷深度(VD)大于或等于约0.2：(Abs第一-Abs谷)/Abs第一＝VD，其中，Abs第一为在第一吸收峰波长处的吸收强度并且Abs谷为在所述谷部的最低点处的吸收强度。所述显示装置包括所述量子点-聚合物复合物。
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公开(公告)号：CN110028963A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910027235.2
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点、量子点-聚合物复合物、和显示装置，所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉；所述第一半导体纳米晶体包括III-V族化合物，所述多层壳包括：围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层，所述第一层包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括II-V族化合物；和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包括第三半导体纳米晶体，所述第三半导体纳米晶体包括与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成。
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公开(公告)号：CN109817772A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811207676.2
申请日：2018-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括阳极、在所述阳极上的空穴注入层、在所述空穴注入层上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点层、和在所述量子点层上的阴极，其中所述量子点层的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于或等于约5.6电子伏(eV)，所述空穴传输层的HOMO能级与所述量子点层的最高占据分子轨道能级之间的差值小于约0.5eV，所述空穴注入层具有接触所述阳极的第一表面和接触所述空穴传输层的第二表面，和所述空穴注入层的第一表面的HOMO能级不同于所述空穴注入层的第二表面的HOMO能级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109652076A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811189402.5
申请日：2018-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了组合物、量子点聚合物复合物、以及包括其的层状结构和电子装置。所述组合物包括：多个量子点；多个发光碳纳米颗粒；包含羧酸基团的粘结剂；包括碳-碳双键的能聚合的单体；和引发剂，其中所述多个量子点包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、或其组合，所述多个发光碳纳米颗粒具有小于或等于约10nm的尺寸，并且在其拉曼光谱中呈现出D带和G带两者，和所述多个发光碳纳米颗粒的至少一部分吸收具有大于或等于约400nm的波长的光且其最大发光峰波长大于或等于约480nm。
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公开(公告)号：CN108102640A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711175767.8
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C07C391/00 , C07F3/08 , B82Y20/00 , G03F7/004 , G03F7/027 , B32B17/06 , B32B27/36 , B32B27/34 , B32B27/30 , B32B27/28 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B38/00 , B32B38/16 , G02F1/13357
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K11/703 , C09K11/883 , C09K2211/188 , G02B6/005 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0092 , H01L51/5012 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H05B33/14 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95 , Y10T428/1036 , Y10T428/1041 , C09K11/02 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B17/06 , B32B27/06 , B32B27/28 , B32B27/308 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B33/00 , B32B38/00 , B32B38/164 , B32B2038/0052 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2305/55 , B32B2307/42 , B32B2315/08 , B32B2333/12 , B32B2367/00 , B32B2369/00 , B32B2377/00 , B32B2379/08 , B32B2383/00 , B32B2457/202 , C07C391/00 , C07F3/003 , G02F1/1336 , G02F2001/133614 , G03F7/004 , G03F7/027
Abstract: 公开量子点、包括其的组合物或复合物、和包括其的装置。所述量子点包括半导体纳米晶体颗粒和结合至所述半导体纳米晶体颗粒的表面的配体。所述配体包括第一配体和第二配体。所述第一配体包括由化学式1表示的化合物且所述第二配体包括由化学式2表示的化合物，其中M、n和A与说明书中定义的相同；和其中，R1、L1、Y1、R、k1和k2与说明书中定义的相同。化学式1MAn化学式2
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公开(公告)号：CN107433746A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710294080.X
申请日：2017-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , B32B27/00 , C08F222/26 , C08G75/045 , C08K3/346 , C08K3/36 , C09D181/00 , G02F1/1336 , G02F2001/133614 , G02F2202/36 , H01L27/322 , H01L33/502 , H01L51/502 , B32B9/00 , B32B9/045 , B32B27/06 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B2457/20
Abstract: 公开层状结构体和量子点片材以及包括其的电子装置。所述层状结构体具有第一层，所述第一层包括包含如下的单体组合的聚合产物：在其末端处具有至少两个硫醇基团的第一单体、和在其末端处具有至少两个包含碳-碳不饱和键的基团的第二单体，其中所述第一单体包括：包含巯基乙酸酯部分的由化学式1-1表示的第一硫醇化合物、和由化学式1-2表示的第二硫醇，和其中所述第二单体包括由化学式2表示的烯化合物，其中在化学式1-1、1-2、和2中，基团和变量与说明书中描述的相同。化学式1-1 化学式1-2化学式2
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公开(公告)号：CN107369754A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710330399.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/0026 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
Abstract: 提供了光转换装置、其制造方法、包括该光转换装置的光源模块以及包括光转换装置的背光单元。光转换装置包括：框架，通过该框架，入射光从光源接收并且转换的光从光转换装置发射，该框架包括开口和围绕开口的壁，通过该开口，从光源接收第一颜色的光，并且从该开口，第二颜色的光从光转换装置发射；基板，在开口中并由壁支撑；光转换层，设置在基板上并从光源接收第一颜色的光，光转换层包括将第一颜色的光转换成第二颜色的光的光转换颗粒；第一无机层，设置在光转换层上；以及第一有机层，设置在第一无机层上。
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公开(公告)号：CN106893136A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201611165946.9
申请日：2016-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B05D3/007 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08K3/16 , C08K3/32 , C08K9/04 , C08K2201/001 , C08K2201/005 , C08K2201/011 , C08L23/0869 , C09K11/02 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , C08K3/30 , C08J3/12 , C08J2323/08 , C08K3/22 , C08K3/346 , C08K2003/2227 , C08L2203/20
Abstract: 提供量子点‑聚合物微粉化复合物、其制造方法、以及包括其的制品和电子器件。所述量子点‑聚合物微粉化复合物包括：第一聚合物基体；分散在所述第一聚合物基体中的多个量子点；以及选自如下的添加剂的至少一种：嵌入所述第一聚合物基体中的粘土颗粒和分散在所述第一聚合物基体中的金属卤化物，其中所述量子点‑聚合物微粉化复合物具有小于或等于约100微米的平均粒度。
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