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公开(公告)号：CN107657920B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201710886201.X
申请日：2003-10-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233
Abstract: 本发明是一种显示设备及其控制方法。一个传统的设定电压是带有一个发光元件的特征变化的估计容限的值。因此在驱动晶体管的源极和漏极间的电压Vds必须要设定得较高(Vds＞Vgs‑VTh+a)。这就造成了由施加给发光元件的电压所产生的高发热和高能耗。本发明的特点是，根据由于发光元件的老化，反馈一个电流值的变化，并且有一个电源压控器，它可以改变设定电压。即，根据本发明，可以将设定电压设定在饱和区域和线性区域的边界(临界部分)附近，而针对初始设定电压不再需要对老化的电压容限。
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公开(公告)号：CN106972031B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201710232434.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , H01L21/82
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置、EL显示装置以及其制造方法。本发明的课题是不增加在具有晶体管的显示装置的制造工序中使用的光掩模个数而提高晶体管的可靠性。在该晶体管中，省略用来形成岛状半导体层的光刻工序及蚀刻工序，不增加光掩模个数而制造岛状半导体层。具体地说，通过形成栅电极的工序、形成用来减少蚀刻工序等所造成的损伤的保护层的工序、形成源电极及漏电极的工序、形成接触孔的工序、形成像素电极的工序的五个光刻工序制造液晶显示装置。并且本发明的一个方式的液晶显示装置具有在形成接触孔的工序同时形成且用来断开半导体层的沟槽部分。
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公开(公告)号：CN107104107B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710266365.2
申请日：2009-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 半导体器件及其制造方法。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。
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公开(公告)号：CN106887437B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201610890269.0
申请日：2012-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种包括具有相同极性晶体管的半导体装置功耗低且能够防止输出的电位的幅度变小。该半导体装置，包括：具有第一电位的第一布线；具有第二电位的第二布线；具有第三电位的第三布线；具有相同极性的第一晶体管及第二晶体管；以及用来选择是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第一电位还是对第一晶体管及第二晶体管的栅极供应第三电位以及用来选择是否对第一晶体管及第二晶体管的漏极端子供应一个电位的多个第三晶体管。第一晶体管的源极端子与第二布线连接，并且第二晶体管的源极端子与第三布线连接。
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公开(公告)号：CN106057144B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610399585.8
申请日：2011-06-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及液晶显示装置及驱动液晶显示装置的方法。本发明的目的之一是抑制通过场序制方法进行显示的液晶显示装置的图像质量的劣化以及减少背光灯的耗电量。像素中的第一颜色光的最高亮度被检测。进行伽马校正来将显示第一颜色光的最高亮度的区域的像素的透光率设定为最大值并根据第一颜色光强度的降低使该区域的另一个像素的透光率减少，并且第一颜色光的最高亮度对该区域进行照射。同样地，在与第一颜色光的照射的同时，将第二颜色光照射到另一个区域，由此在像素部的每个区域中同时进行图像信号的输入及背光灯的点亮。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108054175A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810004958.6
申请日：2013-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1362 , G02F1/1339 , G02F1/1343 , G02F1/1345
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/1339 , G02F1/134363 , G02F1/13454 , G02F1/13458 , G02F1/136204 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G02F2201/40 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3265 , H01L29/7869
Abstract: 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。
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公开(公告)号：CN103069717B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201180038709.5
申请日：2011-07-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
IPC: H03K19/00 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/10 , H01L29/786
CPC classification number: H03K3/012 , G11C5/147 , G11C8/04 , H01L21/823412 , H01L21/8258 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H03K3/0372 , H03K3/0375 , H03K19/0008
Abstract: 降低半导体集成电路的耗电量，并降低半导体集成电路中的工作延迟。包括在存储电路中的多个时序电路分别包括：晶体管，该晶体管的沟道形成区使用氧化物半导体形成；以及电容器，该电容器的一个电极电连接到当所述晶体管截止时成为浮动状态的节点。通过将氧化物半导体用于晶体管的沟道形成区，可以实现断态电流（泄漏电流）极小的晶体管。因此，通过在不向存储电路供应电源电压的期间中使该晶体管截止，可以将该期间中的与电容器的一个电极电连接的节点的电位保持为恒定或大致恒定。结果，可以实现上述目的。
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公开(公告)号：CN104681568B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510122784.X
申请日：2010-09-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
CPC classification number: G09G3/3208 , G09G3/2003 , G09G3/3233 , G09G2330/021 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体，并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此，即使在显示静止图像的情况下，也能容易地执行稳定的操作。此外，可以延长驱动器电路的操作间隔，这使得显示装置的功耗降低。而且，在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光，由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。
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公开(公告)号：CN104700890B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510101702.3
申请日：2010-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C14/00 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L27/12 , H03K3/356 , H03K19/173
CPC classification number: H03K19/1733 , G11C14/0063 , G11C16/02 , H01L21/8258 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H03K3/356008 , H03K3/35606
Abstract: 提供一种新的非易失性锁存电路以及使用非易失性锁存电路的半导体装置。锁存电路具有循环结构，其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入，并且第二元件的输出通过第二晶体管电连接至所述第一元件的输入。使用氧化物半导体作为沟道形成区的半导体材料的晶体管用作开关元件，并且设置有电连接至晶体管的源电极或漏电极的电容器，由此锁存电路的数据能保存，并且因此能形成非易失性锁存电路。
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公开(公告)号：CN103578442B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201310316646.6
申请日：2013-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G02F1/1362
CPC classification number: G09G3/3614 , G09G3/3406 , G09G3/36 , G09G2310/0245 , G09G2320/0261 , G09G2320/046 , G09G2320/0626 , G09G2330/021 , G09G2330/027
Abstract: 本发明可以提供一种即使在动态图像显示时也可以降低耗电量的液晶显示装置。尤其是可以提供一种即使在动态图像显示时也可以降低耗电量并能够抑制液晶元件劣化的液晶显示装置。一种液晶显示装置，包括：具有晶体管及液晶元件的多个像素；以及至少对多个像素输入视频信号和复位信号的驱动电路。驱动电路针对每m帧（m为2以上的自然数）反转视频信号的极性并将其输入像素，并在不输入视频信号的期间对像素输入复位信号。
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