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公开(公告)号：CN110534474A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910828397.6
申请日：2019-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/18
Abstract: 本发明提供了一种衬底上薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供包括第一表面和第二表面的薄膜转移衬底；对第一表面进行离子注入并形成注入损伤层；提供包括第三表面和第四表面的支撑衬底；将薄膜转移衬底与支撑衬底键合并形成键合衬底；在水浴、油浴或盐浴中对键合衬底退火,同时采用超声或兆声功率对所述键合衬底进行处理，使键合衬底沿注入损伤层剥离，得到位于支撑衬底上的薄膜。本发明通过采用水浴、油浴或盐浴作为退火介质对键合衬底进行退火，并在退火时采用超声或兆声功率对键合衬底进行处理，使键合衬底在低于预期剥离温度的条件下剥离，减少了离子注入的剂量，优化异质材料键合时的热应力分布，降低了生产成本，提高了薄膜质量及成品率。
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公开(公告)号：CN110391131A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810368167.1
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种异质薄膜复合结构及制备方法，制备包括：提供键合衬底，具有离子注入面；于离子注入面进行离子注入，以在键合衬底的预设深度处形成缺陷层；提供支撑衬底，且具有刻蚀面，自刻蚀面刻蚀支撑衬底，以在支撑衬底上形成凹槽结构；将离子注入面与刻蚀面进行键合；沿缺陷层剥离部分键合衬底，使键合衬底的一部分转移至支撑衬底上，获得表面无泡且低应力异质薄膜复合结构。本发明在支撑衬底上光刻凹槽结构，增加了键合界面处气体与支撑衬底的接触面积，打开了界面气体向外界释放的通道，使界面处产生的气体更好的扩散进支撑衬底或外界环境，得到表面无泡的键合薄膜，也使转移的键合薄膜的应力得到释放，使异质薄膜结构有利于后期器件制备。
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公开(公告)号：CN110223912A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910537310.X
申请日：2019-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , C30B1/02
Abstract: 本发明提供一种含氧单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供含氧化合物衬底；对含氧化合物衬底进行氢离子注入，以于含氧化合物衬底内预设深度形成缺陷层，缺陷层内形成有氢-氧化学键；提供键合衬底，将键合衬底与氢离子注入后的含氧化合物衬底进行键合，以得到异质键合结构；对异质键合结构进行红外照射处理，以使得异质键合结构自缺陷层发生剥离而得到含氧单晶薄膜。本发明的含氧单晶薄膜的制备方法中，采用红外照射对含有氢-氧化学键的缺陷层进行处理，红外会引起氢-氧化学键的振动，可以在异质键合结构具有较低温度状态下实现自缺陷层发生剥离，热应力较小，不会发生异质键合结构解键合的情况，更不会存在异质键合结构碎裂的问题。
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公开(公告)号：CN109678106A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811347796.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法，包括提供碳化硅单晶晶片，通过氢离子注入在碳化硅单晶晶片中形成注入缺陷层并提供碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶晶片或碳化硅单晶薄膜上外延生长4H-SiC单晶薄膜；将所述4H-SiC单晶薄膜与一硅支撑衬底键合，得到包括碳化硅单晶晶片、4H-SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；剥离，得到包括碳化硅单晶薄膜、4H-SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；表面处理以除去碳化硅单晶薄膜，得到包括4H-SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构。本发明的制备方法得到的集成薄膜结构不存在结晶质量差的问题。
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公开(公告)号：CN105957831A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610527908.7
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法，包括：提供单晶衬底，以所述单晶衬底的一表面为注入面，在所述单晶衬底内进行第一类型离子及第二类型离子的共注入，以在所述单晶衬底的预设深度形成缺陷层；提供支撑衬底，使所述单晶衬底的注入面与所述支撑衬底的表面紧密接触；沿所述缺陷层剥离部分所述单晶衬底，使所述单晶衬底的一部分转移到所述支撑衬底上，以在所述支撑衬底上形成薄层结构。本发明在单晶衬底内采用两种不同类型离子进行共注入，可以制备出单晶材料薄膜，有效地降低剥离及转移单晶材料薄膜层所需的离子总注入剂量，进而缩短了制备周期，节约了生产成本；还可以解决部分材料使用单一离子注入无法实现剥离的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119947209A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411965526.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供了一种氧化镓功率器件及其制备方法，该制备方法通过将氧化镓衬底与器件衬底进行键合处理、退火处理之后，实现了氧化镓和器件衬底的异质集成，从而可以提升氧化镓功率器件的散热能力，之后通过对氧化镓异质结构进行开槽处理，显露部分器件衬底的表面，形成沟道结构，可以控制器件的开关，并可实现天然的增强型功率器件，提升氧化镓器件在模块和电路中的安全性；之后在沟道结构和氧化镓衬底上制备场板结构，能够提高器件的击穿电压、抑制电流崩塌、改善期间性能以及优化电场分布，从而基于异质集成得到了一种增强型、高导热的氧化镓功率器件。
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公开(公告)号：CN116781033B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202310678398.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN115274943B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210932216.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10H20/01 , H10H20/811 , H10H20/857
Abstract: 本发明涉及一种混合集成单光子LED器件的制备方法，包括步骤：S1依次在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P‑I‑N结构，得到第一薄膜；S2沉积第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得第二薄膜；S3对牺牲层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，获得第三薄膜；S4拾起第三薄膜并翻转180°；S5在第二衬底上沉积第二金属图案；S6将第一金属图案与第二金属图案对准与接触，进行金‑金键合，得到第四薄膜；S7沉积第三金属图案，得到混合集成单光子LED器件。本发明的混合集成单光子LED器件的制备方法，利用金‑金键合方式解决了转移后的薄膜与衬底之间的粘附性不足的问题，且后续的电极工艺无需生长绝缘层，有效地简化了工艺流程。
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公开(公告)号：CN119381252A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411509689.0
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L21/306 , H10D84/03
Abstract: 本发明提供了一种阵列化的碳基半导体薄膜材料及其制备方法，首先将经离子注入的半导体晶圆和表面具有牺牲层的支撑衬底，沿牺牲层进行键合，随后对半导体薄膜层进行刻蚀处理，以使半导体薄膜层形成阵列化图案，得到阵列化的半导体薄膜层，以及通过刻蚀处理去除牺牲层，得到包含阵列化的半导体薄膜层和支撑衬底的半导体异质材料，再通过转印技术将阵列化的半导体薄膜层，从支撑衬底上转移至目标碳基衬底上，得到阵列化的碳基半导体薄膜材料。通过该方法可实现半导体与具有优良性能的碳基材料的异质集成，进一步释放半导体半导体材料在功率、射频等领域的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116599481B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310682115.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器。通过利用同一种工艺制备得到两个压电结构；每个压电结构包括由下至上依次设置的支撑衬底和压电薄膜层；两个压电薄膜层的厚度的差值小于或者等于20％的预设压电薄膜层的厚度；预设压电薄膜层为两个压电薄膜层中较厚的压电薄膜层；对两个压电结构进行键合，得到键合结构；两个压电薄膜层位于键合结构的中层区域；去除键合结构中的任一个支撑衬底；在支撑衬底靠近保留的压电结构中的压电薄膜层的区域制备空腔，以使压电薄膜层悬空。本申请提供的该异质集成结构中的对称互补的压电薄膜能够抵消这两个压电薄膜层总体的内部应力，从而提高器件性能。
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