公开(公告)号：CN110534474A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910828397.6

申请日：2019-09-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  李忠旭 ,  黄凯 ,  赵晓蒙 ,  李文琴 ,  陈阳 ,  聂峥

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明提供了一种衬底上薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供包括第一表面和第二表面的薄膜转移衬底；对第一表面进行离子注入并形成注入损伤层；提供包括第三表面和第四表面的支撑衬底；将薄膜转移衬底与支撑衬底键合并形成键合衬底；在水浴、油浴或盐浴中对键合衬底退火,同时采用超声或兆声功率对所述键合衬底进行处理，使键合衬底沿注入损伤层剥离，得到位于支撑衬底上的薄膜。本发明通过采用水浴、油浴或盐浴作为退火介质对键合衬底进行退火，并在退火时采用超声或兆声功率对键合衬底进行处理，使键合衬底在低于预期剥离温度的条件下剥离，减少了离子注入的剂量，优化异质材料键合时的热应力分布，降低了生产成本，提高了薄膜质量及成品率。

公开(公告)号：CN110534474B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201910828397.6

申请日：2019-09-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  李忠旭 ,  黄凯 ,  赵晓蒙 ,  李文琴 ,  陈阳 ,  聂峥

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明提供了一种衬底上薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供包括第一表面和第二表面的薄膜转移衬底；对第一表面进行离子注入并形成注入损伤层；提供包括第三表面和第四表面的支撑衬底；将薄膜转移衬底与支撑衬底键合并形成键合衬底；在水浴、油浴或盐浴中对键合衬底退火,同时采用超声或兆声功率对所述键合衬底进行处理，使键合衬底沿注入损伤层剥离，得到位于支撑衬底上的薄膜。本发明通过采用水浴、油浴或盐浴作为退火介质对键合衬底进行退火，并在退火时采用超声或兆声功率对键合衬底进行处理，使键合衬底在低于预期剥离温度的条件下剥离，减少了离子注入的剂量，优化异质材料键合时的热应力分布，降低了生产成本，提高了薄膜质量及成品率。