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公开(公告)号：CN111953211A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910485826.4
申请日：2019-06-05
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明涉及一种准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法，所述控制系统包括：开关管电压采样电路，用于对所述开关管的输出端电压进行采样，得到开关管采样电压；采样计算模块，用于根据所述开关管采样电压和预设关系，得到死区时间；所述预设关系是所述开关管在一个开关周期的导通时间内，所述开关管采样电压低于第一预设值的时长与所述死区时间的对应关系，所述死区时间是所述开关管关断到所述同步整流管打开的时间；控制模块，接收所述死区时间，并根据所述死区时间对所述同步整流管进行开关控制。本发明能够实现死区时间的自适应控制。
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公开(公告)号：CN109995220B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201711474027.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种提高CCM模式下反激式谐振开关电源转换效率的控制方法，基于软开关反激谐振电路的控制系统，包括电流检测模块、状态检测模块、输出反馈模块、PWM模块以及驱动模块构成的控制系统与受控的开关电源连接起来构成闭环，该控制系统基于ONOFF控制方法，在软启动状态或ONOFF状态下对开关电源进行控制。电流检测模块、输出反馈模块采集实现恒压算法的基本参数，状态检测模块用于检测电路工作状态：软启动状态和ONOFF状态，PWM模块基于两个不同的工作状态对开关控制信号duty进行调制，经驱动模块输出合适的占空比，从而实现开关电源效率的提升。
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公开(公告)号：CN111668312A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010541971.2
申请日：2020-06-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提出一种低导通电阻沟槽碳化硅功率器件及制造工艺，其元胞含N型衬底，N型外延层，沟槽，沟槽内设栅氧层和多晶硅栅，沟槽两侧设有P型体区、N型源区和P+体接触区，沟槽下方设P屏蔽层，P屏蔽层侧设N型埋层。N型埋层制造工艺：N型衬底上外延生长N型漂移区第一部分，之上采用离子注入工艺形成P屏蔽层和N型埋层，继续外延形成N型漂移区第二部分，进行后续工艺流程。本发明于P屏蔽层两侧设有N型埋层，将电场尖峰下移，降低了沟槽拐角电场，降低了界面态密度和缺陷，提高了栅氧层可靠性；消除了下方N型埋层，降低了器件栅电荷，改善了开关特性，进一步提高了器件耐压。
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公开(公告)号：CN111585441A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910122147.0
申请日：2019-02-18
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种原边调节有源钳位反激变换器的控制系统及方法，所述方法包括：对所述辅助绕组的电压、所述谐振电感的电流、所述励磁电感的电流进行采样；根据所述谐振电感的电流采样结果，得到所述谐振电感的峰值电流相对于前一时刻的变化量，作为峰值电流差值；通过误差补偿器将采样得到的辅助绕组的电压与参考电压比较并进行误差补偿，得到补偿电流；将所述峰值电流差值和补偿电流叠加后输入比较器的第一输入端，所述采样得到的励磁电感的电流输入所述比较器的第二输入端；驱动模块根据所述比较器的输出对所述主开关管和钳位开关管进行开关控制。本发明能够加快有源钳位反激变换器的负载调整速度。
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公开(公告)号：CN111430465A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010373328.3
申请日：2020-05-06
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本文提出了一种N型垂直槽栅金属氧化物半导体器件栅极引入应力的结构，包括：N型漏极接触，在其上为N型外延层，在N型外延层中设有氧化物埋层，在氧埋层中设有源极多晶硅埋层，在氧埋层上方设有多晶硅栅极，在多晶硅栅极中间设有氮化硅应力层，在栅极两侧设有P型沟道区和N型源极区，在器件上表面有源极区金属接触。其特征在于其特征在于，通过优化工艺流程，无需挖槽，就可以在垂直金属氧化物半导体的栅极处淀积氮化硅应力层来引入应力，可以有效提升垂直沟道器件的性能。在器件击穿电压几乎不变的情况下，有效降低导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110611431B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910939596.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明提出有源钳位反激变换器的原边调节控制系统及控制方法，属于原边调节控制技术领域。包括电感电流采样电路、漏源电压采样电路、辅助绕组电压采样电路、栅驱动器、以控制器为核心的控制电路、微分器。其中，以控制器为核心的控制电路包括电压运算模块，电流运算模块，恒压恒流功能模块。能够在保证系统工作效率的同时，实现有源钳位反激变换器对输出电压和输出电流的原边精确预测和计算，从而实现精确的有源钳位反激拓扑的原边恒压恒流调节。采用此控制系统，减少了光耦及其他隔离元件的使用，提高了系统集成度，可以获得很高的输出电压精度。另外，无论是原边谐振有源钳位反激拓扑，还是副边谐振有源钳位反激拓扑，此控制系统都能适用。
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公开(公告)号：CN111312489A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010104501.X
申请日：2020-02-20
Applicant: 连云港杰瑞电子有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明提出一种变压器绕组排列方法及其位移电流数值分析方法，涉及变压器技术领域。本发明对变压器各绕组排列优化设计，将原边绕组分为第一原边绕组、第二原边绕组和第三原边绕组，按照从磁芯中心柱到磁芯边柱的方向，变压器绕组的排列顺序依次为：第一原边绕组、副边绕组、平衡绕组、辅助绕组、第二原边绕组、第三原边绕组；还构建位移电流的数值分析模型，通过优化绕组参数设计使得产生共模噪声的位移电流为零。本发明同时从噪声源和噪声路径两方面共同减小共模噪声，实现了不采用Y型接线电容的情况下对共模噪声的消除，优化了变压器的EMI性能。
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公开(公告)号：CN111261722A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010072965.7
申请日：2020-01-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，氧化层，N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区，在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区，在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区，在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区，在氧化层内设有第一多晶硅和电容，第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离，所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成，第一金属铝与第一N型重掺杂区连接，第一多晶硅，第二金属铝和P型重掺杂区连接。
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公开(公告)号：CN107342325B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710530003.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括器件部分和终端部分以及P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区、N型漂移区、位于器件部分的P型体区4A1和位于终端部分的由器件部分P型体区4A1扩散形成的P型体区4A2，在高压N型区上方还设有栅氧化层和多晶硅栅场板，器件部分还包括设在N型漏区、N型源区和P型区以及金属接触，其特征在于，在N型漂移区内设有浅槽隔离区，所述浅槽隔离区呈直条形状，浅槽隔离区是由器件部分延伸至终端部分，即浅槽隔离区的宽度与N型漂移区的宽度相同，并且终端部分的P型体区4A2和N型漂移区上方不设有N型漏区、N型源区、P型区和金属接触。本发明可以保持LDMOS器件各性能参数不变的情况下提高其击穿电压。
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公开(公告)号：CN107180865B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201710530001.0
申请日：2017-06-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括：底部设有集电极金属电极的P型衬底，在P型衬底上方设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有N型外延层，在N型外延层内设有一维阵列分布的P型体区，并在其中设有重掺杂N型发射区，在P型体区与N型外延层之间设有N型载流子存储层，所述晶体管还包括按一维阵列分布的侧壁覆盖有隔离氧化层的沟槽，各个沟槽横向贯穿各P型体区、重掺杂N型发射区及N型外延层，在沟槽内设有和金属层相连的二极管，在各沟槽下方分别设有重掺杂P阱；在位于相邻沟槽之间的N型外延层的上方分别设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅极；将各个重掺杂N型发射区、P型体区和第二金属连接层连接，作为器件的发射极。
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