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公开(公告)号：CN105810694A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610301877.3
申请日：2016-05-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供一种用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法，所述绝缘体上硅衬底，包括：底层硅；绝缘层，结合于所述底层硅表面，所述绝缘层的下部于对应于制备射频器件的位置具有直至所述底层硅的凹槽，且所述凹槽内的底层硅中具有与不同射频器件所需深度对应的空槽；顶层硅，结合于所述绝缘层表面。本发明基于图形化的绝缘体上硅衬底，对于容易受到低阻衬底影响的射频器件，将其下方的氧化层以及硅衬底进行适当掏空，从而改善了射频器件性能。该衬底材料同时适于制备高性能CMOS器件，从而可将传统CMOS电路与射频电路共集成在该衬底上。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
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公开(公告)号：CN105785507A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410829315.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明提供一种偏振分束旋转器，所述偏振分束旋转器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和非对称Y分支波导；双刻蚀波导包括一端与所述单模输入波导尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，第一刻蚀区的高度大于第二刻蚀区的高度；非对称Y分支波导包括根波导、第一分支波导和第二分支波导，根波导与第一刻蚀区的尾端相连，第一Y分支波导的宽度大于第二Y分支波导的宽度。由于双刻蚀波导的模式转换和非对称Y分支波导的模式分配是宽带的，本发明提供的偏振分束旋转器中利用了这两个基本结构的宽带特性，解决传统偏振分束旋转器带宽较窄的缺点。
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公开(公告)号：CN105742443A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610187620.X
申请日：2016-03-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于表面等离子体的硅基光源，所述硅基光源包括基底及形成于所述基底上的Ω阵列微纳结构；所述Ω阵列微纳结构包括至少两个Ω微纳结构单元；其中，所述Ω微纳结构单元包括：发光部；环绕包裹所述发光部部分表面的波导部，且所述波导部未覆盖所述发光部的出光面；环绕包裹所述波导部部分表面的金属层，用以在所述金属层及所述波导部界面上产生表面等离子体；所述金属层底部与所述基底相接触。本发明通过调控材料来调控本征热发光频带，通过集成一系列不同半径R的内层发光材料实现宽频热发光效率增强，并且可以实现光学模式峰位与本征热发光峰位共振使发光效率达到峰值。
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公开(公告)号：CN103809238B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210446936.8
申请日：2012-11-09
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种亚波长Y分支波导及制备方法。首先，在含氧基底表面沉积硬掩膜；随后，在所述硬掩膜表面制作出Y型周期性光刻胶图形层；接着，以该Y型周期性光刻胶图形层为掩膜制备Y型周期性硬掩膜图形层；最后，以Y型周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的Y型周期性柱体结构，本发明的亚波长Y分支波导结构紧凑，制备方法能与集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号：CN105652371A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410664561.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种偏振分束器，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。本发明提供的偏振分束器具有几百纳米的工作带宽和较为简单的加工工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105629522A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410620813.0
申请日：2014-11-06
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明提供一种硅基光调制器，至少包括：脊型波导，所述脊型波导包括平板部和位于所述平板部中间的凸条，所述凸条高于所述平板部；所述脊型波导中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述第一轻掺杂区形成于所述凸条中间，且沿所述凸条的延伸方向延伸；所述第二轻掺杂区形成于所述第一轻掺杂区两侧的凸条中和与所述凸条两侧相连的平板部中；所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区的掺杂类型相反。在本发明的技术方案中，在脊型波导的凸条内由第一轻掺杂区和第二轻掺杂区形成两个背对背的PN结，在硅基光调制器工作时可以形成两个耗尽区，弥补解决离子注入对准误差的问题，并且提高了硅基光调制器的调制效率。
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公开(公告)号：CN102790253B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110128183.1
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种定向耦合器，利用二维长方晶格柱状光子晶体的自准直效应实现，属于半导体光学技术领域。该定向耦合器通过在相邻两排硅柱的长边中间引入一定数量、相同尺寸的耦合柱体，这样，在一排柱体中传播的自准直光束被引入的中间柱体耦合到另一排柱体中继续自准直传播，通过控制中间柱体的数量可以控制两排柱体中自准直光束传输功率的比例，从而实现相邻两排硅柱间的光耦合。相对于传统定向耦合器，本发明提供的光子晶体定向耦合器能够将器件耦合长度控制在10μm以内甚至更短，这使总体器件的长度极大缩短，结构更为紧凑。同时，通过控制中间柱体的数量可以控制两排柱体中自准直光束传输功率的比例，能够灵活控制耦合效率。
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公开(公告)号：CN102842495B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210376802.3
申请日：2012-09-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合物外延层。此外，本发明的制备工艺简单，成本低，有利于推广使用。
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公开(公告)号：CN104730137A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510141242.7
申请日：2015-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提供一种基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一SOI衬底，所述SOI衬底绝缘层的厚度为20nm~40nm；2）制作器件区域；3）形成源区及漏区及沟道区；4）于所述SOI衬底表面形成介质层；5）形成金属接触开孔，并制作金属接触电极；6）制作电极保护层，并露出栅极传感区域；7）于所述体硅衬底背面制作背栅；8）对栅极传感区域表面进行表面活化修饰。本发明与其他背栅结构相比，SOI衬底中的绝缘层很薄，厚度控制在20nm~40nm，在沟道材料厚度一定的条件下，增加了背栅对沟道的控制能力，增大沟道材料的耗尽从而得到更高的亚阈值斜率，得到更高的灵敏度。因此本发明的生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。
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公开(公告)号：CN104713931A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510141241.2
申请日：2015-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提供一种基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一sSOI衬底，所述sSOI衬底的顶层应变硅的厚度为10nm~50nm；2）制作器件区域；3）形成N+源区及N+漏区及应变沟道区；4）于所述sSOI衬底表面形成介质层；5）形成金属接触开孔，并制作金属接触电极；6）制作电极保护层，并露出栅极传感区域；7）于所述体硅衬底背面制作背栅；8）对栅极传感区域表面进行表面活化修饰。本发明采用应变硅作为沟道，由于应变技术使沟道材料的迁移率增加，得到较高的信噪比；且随着沟道材料的减薄使沟道达到全耗尽状态，其相应器件的亚阈值斜率减小，得到更高的灵敏度。因此本发明的生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。
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