公开(公告)号：CN206422070U

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201720041034.4

申请日：2017-01-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  李跃 ,  首照宇 ,  李思敏 ,  李琦 ,  陈永和 ,  谢仕锋 ,  马磊 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  翟江辉

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本实用新型公开一种III‑V族环栅场效应晶体管，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。

公开(公告)号：CN214705974U

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202121100659.6

申请日：2021-05-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  高帅 ,  涂杰 ,  宁涛华 ,  石卉 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  肖功利 ,  张法碧

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开了一种阻变存储器结构，其结构由顶电极、阻变介质层和底电极组成，所述顶电极具有指向底电极的锥形结构，所述底电极具有指向顶电极的锥形结构，所述顶电极与底电极锥形结构之间保持一定距离，此结构下的忆阻器具有减小阻变存储器SET及RESET电压的效果，在加载电压后，尖端位置对应的电场强度最高，适合导电细丝的形成，抑制了导电细丝形成的随机性，解决了现有技术中的导电细丝型阻变存储器中阻变介质层导电细丝形成随机且不集中的技术问题。

公开(公告)号：CN214672637U

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202120994785.4

申请日：2021-05-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙堂友 ,  水芙蓉 ,  刘云 ,  石卉 ,  李海鸥 ,  傅涛 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  肖功利 ,  张法碧

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0445 ,  G02B5/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本实用新型公开了一种硅基薄膜太阳能电池，通过TCO膜层与玻璃衬底固定连接，Si层与TCO膜层固定连接，金属纳米颗粒与Si层固定连接，ITO膜层与Si层固定连接，其中Si层表面的三角纹理形态可以有效提高长波段的光吸收，而Si层中的金属纳米颗粒可以有效提高短波段的光吸收，此结构可有效提高硅基薄膜太阳能电池整个波段的光吸收，解决了硅基薄膜太阳能电池光子吸收率低的问题。

公开(公告)号：CN209217173U

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201920010620.1

申请日：2019-01-04

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 傅涛 ,  李南波 ,  李海鸥 ,  李琦 ,  张法碧 ,  肖功利 ,  孙堂友 ,  陈永和

IPC: H01P3/00

Abstract: 本实用新型涉及一种基于费马旋臂结构的人工表面等离激元波导，解决的是电模式表面等离激元波导各方向强度分布不均匀的技术问题，通过采用包括介质基板，以及设置在介质基板单面或对称面的金属费马旋臂结构，可以将表面等离激元束缚在金属费马旋臂结构单元周围，实现人工表面磁等离激元的高效传输。所述金属费马旋臂结构的厚度小于10-4倍工作波长的技术方案，较好的解决了该问题，并应用于等离激元波导中。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207442796U

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201721410659.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  桂林斯壮微电子有限责任公司

Inventor： 李海鸥 ,  谢仕锋 ,  邹锋 ,  首照宇 ,  高喜 ,  李琦 ,  蒋振荣 ,  张法碧 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  李陈成

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/195

Abstract: 本实用新型涉及一种Ka波段MMIC低噪声放大器，主要解决现有技术中的噪声系数高、带内增益平坦度差、线性度差的技术问题。通过采用包括两级放大器、λ/4传输线结构以及三级匹配网络，该两级放大器包括第一级场效应晶体管放大器，第一级栅极偏置网络，第一级漏极偏置网络以及第一级源极的电阻、第一级源极的电容并联网络，第二级放大器，第二级栅极偏置网络，第二级漏极偏置网络以及第二级源极的电阻、电容并联网络；该λ/4传输线结构包括与第一级栅极偏置网络连接的第一传输线网，以及与第一级漏极偏置网络连接的第二传输线网的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于Ka波段的通信领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206422052U

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201720132443.5

申请日：2017-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  丁志华 ,  首照宇 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  李思敏 ,  高喜 ,  傅涛 ,  王晓峰 ,  潘岭峰 ,  张紫辰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 本实用新型公开一种红外探测器薄膜激光退火系统，包括激光器、扩束准直镜、光阑、高反镜、整形镜、平凸柱面镜、载物台和位移平台；红外探测器放置在载物台的表面，载物台安装在位移平台上；激光器、扩束准直镜和光阑位于同一直线上，整形镜、平凸柱面镜和载物台位于同一直线上；激光器产生的激光光束依次经过扩束准直镜和光阑后入射到高反镜，激光光束经高反镜的反射后改变方向，并依次经过整形镜和平凸柱面镜后入射到载物台上的红外探测器的薄膜表面。本实用新型具有加工时间短、效率高、工艺成本低、且不会影响芯片性能的特点。