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公开(公告)号：CN1140915C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02113080.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜；然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延，获得大面积、低位错密度的GaN厚膜；采用激光扫描辐照剥离技术，将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来，再进行表面抛光处理，就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点：获得高质量的位错密度的GaN薄膜；可以快速生长大面积GaN厚膜；可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。
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公开(公告)号：CN1388567A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02113083.3
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用溶胶－凝胶(Sol－Gel)法制备p型ZnO薄膜,先制备Ga或N共掺杂的ZnO胶体溶液,在预先清洗好的Si片或其他衬底(石英玻璃、蓝宝石等)上滴加胶体溶液,以旋转衬底的方式使胶体溶液均匀涂覆,然后将薄膜在室温～100℃下放置一段时间再经过240－300℃的热处理,尔后在500～900℃,氨气气氛下热处理1～5小时。溶胶－凝胶法制备薄膜材料具有技术简单,低耗费,易于获得大面积的薄膜等优点。
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公开(公告)号：CN1388537A
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：CN02113082.5
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体薄膜的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入GaN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入GaN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可能制备出高居里温度的磁性半导体材料。
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公开(公告)号：CN1384533A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02112514.7
申请日：2002-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/00
Abstract: 改进氢化物气相外延(HVPE)生长GaN材料均匀性的方法和装置,在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN薄膜材料电炉中,将单路金属镓源－HCl－N2管道分成多路金属镓源－HCl－N2管道,改善反应物GaCl－N2的传输均匀性,并将反应物GaCl－N2输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区。两路或多路镓源传输管道使内部气流分布均匀,可以看出改进后沉积的薄膜均匀性也有很大的改善。生长的GaN薄膜面积扩大到5cm×4cm,而厚度均匀的有效薄膜面积可达到4cm×3cm甚至更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1381897A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02113005.1
申请日：2002-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于AlxGa1－xN/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法,在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长AlxGa1－xN/GaN调制掺杂异质结构,然后在AlxGa1－xN上用PLD技术生长PZT铁电薄膜,最后用电子束蒸发技术分别在AlxGa1－xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/AlxGa1－xN界面的高温稳定性,避免了普通的铁电体/SiMFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时,这种结构以AlxGa1－xN/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子,有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。
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公开(公告)号：CN119980456A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510224531.7
申请日：2025-02-27
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明公开了一种基于叔丁醇前驱体的常压MOCVD外延生长α‑ Ga2O3薄膜的方法。包括以下步骤：清洗衬底，将清洗过的衬底置于金属有机化学气相沉积设备的反应室基座上；向反应室中通入氮气，将反应室的气压调至常压；对反应室中的衬底进行高温预处理，高温预处理的条件为1000~1200℃、15~30 min；将衬底降温到570~630℃，以三乙基镓为镓源前驱体，叔丁醇为氧源前驱体，在衬底上生长α‑Ga2O3薄膜样品；对α‑Ga2O3薄膜样品进行降温至室温，同时通入氮气，得到α‑Ga2O3薄膜。利用本发明的方法能够制备得到高质量、高速生长的纯相亚稳态α‑Ga2O3薄膜。
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公开(公告)号：CN119300372A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411797000.9
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构的氧化镓基异质结双极晶体管及其制造方法，晶体管包括从下至上依次排列的Ga2O3集电极、NiO基极和Ga2O3发射极；NiO基极上位于Ga2O3发射极两侧均设置有基极电极；Ga2O3集电极与NiO基极形成n‑p结，NiO基极与Ga2O3发射极形成p‑n结。在有效地提升了电流增益的同时，增强了器件耐压能力。本发明为目前尚缺乏深入研究的氧化镓基双极晶体管提供了基础，有助于高压大功率双极晶体管的发展。
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公开(公告)号：CN118726942A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410728571.0
申请日：2024-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种热丝模组及化学气相沉积设备，属于热丝化学气相沉积领域。本申请的热丝模组，包括第一热丝阵列、第二热丝阵列、第一支撑结构及第二支撑结构；第一支撑结构包括多个第一固定柱，多个第一固定柱沿第二方向间隔排布，第二支撑结构包括多个第二固定柱，多个第二固定柱沿第二方向间隔排布；第一热丝阵列和第二热丝阵列分别形成于多个第一固定柱与多个第二固定柱沿第三方向的两端。本申请提供的热丝模组，可实现基体两面金刚石薄膜的同时生长，极大地提高了HFCVD设备的生长效率，且模块化拓展；进一步采用双层气流技术，可实现金刚石薄膜的高效掺杂，有效降低环保与安全的成本支出。
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公开(公告)号：CN111564504B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202010298336.6
申请日：2020-04-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了日盲紫外探测器及其制备方法。探测元件由上至下包括由金属和氧化物的多周期滤波结构(或称滤波层)，紫外吸收体、叉指电极层、衬底层；多周期滤波结构顶部，底部均为电解质隔离层；由金属薄膜和电介质薄膜交替的多周期滤波结构生长在探测器的电介质隔离层上。多周期滤波结构尤其是交替生长氧化铝和铝。探测器结构采用背电极MSM结构，金属叉指电极制备在紫外吸收体与衬底之间，光信号从器件正面经过滤波结构射入紫外吸收体中，以避免叉指电极的阻挡，有效提高吸收效率。可实现日盲紫外波段的高效探测，同时对可见光、红外波段具有高抑制作用。
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