公开(公告)号：CN103219275A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210017889.5

申请日：2012-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  薛忠营 ,  狄增峰 ,  王刚

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法。根据本发明的方法，先在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的超晶格结构的多层材料层；随后，在已形成多层材料层的结构表面低温生长Si1-yGey和/或Si后，进行退火处理，以使表层的Si1-yGey层发生弛豫现象；最后再采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，以形成SGOI或sSOI结构；由此可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层的影响。

公开(公告)号：CN103065937A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210593800.X

申请日：2012-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  复旦大学

Inventor： 狄增峰 ,  郭庆磊 ,  梅永丰 ,  张苗 ,  黄高山

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L24/95 ,  H01L2224/95085

Abstract: 本发明涉及基于图形识别在衬底上集成多种材料的方法，包括通过光刻以及RIE刻蚀过程制备具有微型井图形的衬底以及制备与所述微型井图形互补的、不同材料的微单元的步骤；然后将具有微型井图形的衬底以及与所述微型井图形互补的、不同材料的微单元放入盛有酸性组装液的容器中，利用脉冲湍流系统在容器中产生湍流，从而对微单元产生扰动使得形状互补的微单元与具有微型井图形的衬底通过图形辨认自组装集成一体。本发明最终形成硅基衬底上不同半导体材料集成的结构，即MSMOS（Multi-Semiconductor Materials on Silicon）。这种自组装形成的材料满足国际半导体技术发展路线图(ITRS)所提出的延续摩尔定律以及超越摩尔定律的材料需求；解决了异质生长的失配问题；同时，自组装形成异质材料集成的方法更加简易，成本更低。

公开(公告)号：CN103065932A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110324589.7

申请日：2011-10-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  刘林杰 ,  狄增峰 ,  高晓强 ,  陈达 ,  薛忠营 ,  姜海涛 ,  卞建涛

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出InxGa1-xAs层和顶层Ge薄膜，所述InxGa1-xAs层中In组分x为0﹤x≤1，并使所述InxGa1-xAs层的厚度不超过其生长在所述GaAs衬底上的临界厚度，使所述顶层Ge薄膜的厚度不超过其生长在所述InxGa1-xAs层上的临界厚度，以制备出Ge薄膜的样品；其次，对所述样品进行氦离子或氢离子注入，并使氦离子或氢离子的峰值分布在所述InxGa1-xAs层与GaAs衬底相结合的界面下10～1000nm；最后对所述样品进行快速热退火，退火后得到弛豫的InxGa1-xAs层和张应变Ge薄膜，进而达到了用低成本制备出具有张应变、高迁移率Ge薄膜，并能减小InxGa1-xAs缓冲层的厚度、降低其穿透位错密度的目的。

公开(公告)号：CN103058129A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201310003760.3

申请日：2013-01-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  复旦大学

Inventor： 狄增峰 ,  郭庆磊 ,  梅永丰 ,  张苗 ,  黄高山 ,  郑晓虎

IPC: B81C1/00 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明提供一种基于边缘转移法制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导，将绝缘体上半导体衬底的顶层半导体刻蚀成间隔排列的半导体条结构；采用HF溶液将埋氧层腐蚀成多个支撑结构，使各该半导体条结构的两侧形成悬空的半导体带结构；将一PDMS衬底与各该半导体条结构进行保角性接触；将所述PDMS衬底朝预设方向掀起，使各该半导体带结构与各该半导体条结构脱离而转移至所述PDMS衬底；可通过所制备的半导体亚微米带制作柔性衬底上硅光波导。本发明首次提出通过控制绝缘体上半导体材料边缘腐蚀的方法实现半导体亚微米带向柔性衬底的转移；半导体亚微米带的宽度、排列可控性非常高，可应用于较高精度的器件的制作；方法简易有效且成本较低。

公开(公告)号：CN103021927A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210575312.6

申请日：2012-12-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  母志强 ,  薛忠营 ,  陈达 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种混合共平面SOI衬底结构及其制备方法，所述混合共平面SOI衬底结构包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及位于埋氧化层上的顶层硅膜；所述顶层硅膜上形成有若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排列，并通过隔离墙隔离，所述隔离墙底部到达所述顶层硅膜表面或所述顶层硅膜内；所述第一区域包括锗硅缓冲层及位于其上的应变硅层或弛豫的锗层；所述第二区域的材料为锗或III-V族化合物。本发明利用SiGe缓冲层技术、刻蚀工艺以及图形衬底外延等技术制备低缺陷密度、高晶体质量的锗，III-V族材料或者应变硅混合共平面的SOI衬底结构，能同时提升不同类型MOS（PMOS或NMOS）器件的性能，在光电集成领域也有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN102842496A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210376814.6

申请日：2012-09-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  母志强 ,  薛忠营 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  王曦

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合物外延层。此外，本发明的制备工艺简单，成本低，有利于推广使用。

公开(公告)号：CN102651306A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110047282.7

申请日：2011-02-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张苗 ,  薛忠营 ,  张波 ,  魏星 ,  狄增峰

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明公开了一种晶向旋转键合晶片的制备方法，该方法包括以下步骤：首先取两片相同晶向的体硅晶片，在其中一片体硅晶片上生长固定组分的SiGe层，在SiGe层上继续外延生长Si膜层形成器件片，另一片体硅晶片作为支撑片；然后将器件片和支撑片的表面都进行疏水处理；再将器件片与支撑片键合，键合时使器件片与支撑片的主参考面错开一定角度；之后从背面研磨键合片中器件片的体硅晶片部分，然后进行第一选择性腐蚀去除器件片的全部体硅晶片部分，到SiGe层停止，再进行第二选择性腐蚀去除SiGe层，留下Si膜层，从而形成晶向旋转键合硅晶片。该方法制作成本较低，顶层硅厚度可调，晶体质量良好。

公开(公告)号：CN102633258A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210144356.3

申请日：2012-05-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  王刚 ,  张苗 ,  陈达 ,  丁古巧 ,  谢晓明

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明提出了一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法，该方法通过在一衬底上沉积催化金属层，然后利用离子注入技术将碳离子注入所述催化金属层中形成一碳原子饱和面，控制注入的能量使该碳原子饱和面位于靠近所述衬底与催化金属层界面的位置，然后对所述衬底进行高温退火，在所述催化金属层与衬底界面析出碳原子层即为石墨烯薄膜，最后去除所述催化金属层，从而在所述衬底上的制备出石墨烯薄膜。该方法简化了制备石墨烯的工艺步骤，可以无需转移的直接在任何衬底上制备石墨烯，从而不会造成石墨烯结构的破坏和污染，实现了高质量石墨烯直接在所需衬底上的应用，因此该制备方法将能更快地推动石墨烯在不同领域的广泛应用。

公开(公告)号：CN117712202A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311711379.2

申请日：2023-12-13

Applicant: 宁波大学 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王刚 ,  狄增峰 ,  郑理 ,  许文武 ,  赵子奇 ,  吴慧娟 ,  王冰坤 ,  连山水 ,  张金秋 ,  张珊 ,  张光临

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18 ,  G01D5/26

Abstract: 本发明提供了一种光电异质结、制备方法、光电检测装置及应用，在硅衬底上制备三维石墨烯层，在所述三维石墨烯层的表面旋涂硫化铅量子点溶液，由硫化铅量子点对三维石墨烯层的表面进行修饰，以使三维石墨烯层转换成改性三维石墨烯层，以获得光电异质结。

公开(公告)号：CN110065939B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201810062548.7

申请日：2018-01-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  贾鹏飞 ,  薛忠营 ,  郑晓虎 ,  张苗 ,  王曦

IPC: C01B32/186 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；于衬底上表面形成氢钝化层和位于氢钝化层上表面的石墨烯层；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压，以激发探针对应位置的部分氢钝化层转换成氢气，氢气使得其对应位置的石墨烯层凸起以形成包覆氢气的石墨烯气泡。通过上述方案，本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构以及该石墨烯结构的制备方法，本发明的技术方案可以精确地控制石墨烯气泡的形成位置，并实现了石墨烯气泡的大小以及形状等的高度可控，本发明的制备方法操作简单，具有很强的可操作性和实用价值。