银-介孔二氧化硅-银三明治核壳纳米材料其制备及应用

    公开(公告)号:CN105290394A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510737369.5

    申请日:2015-11-03

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明提供一种稳定的SERS活性高的银-介孔二氧化硅-银三明治核壳纳米材料,该核壳纳米材料由内核、中间层和外壳三部分组成,其中,内核为粒径10-90nm的银纳米颗粒,中间层为厚度10-200nm的介孔二氧化硅层,中间层外侧包覆由粒径10-90nm的银纳米颗粒形成的外壳。本发明采用水热反应法制备的纳米材料,具有内外两层贵金属银纳米颗粒,在外来激发光的作用下,它们产生的表面局域电磁场之间能够发生相互耦合作用,产生具有极高强度的SERS信号输出。本发明制备工艺简单,周期短,产量高,易于推广及大规模生产。

    一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

    公开(公告)号:CN105870164B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201610191581.0

    申请日:2016-03-30

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管,从下至上依次由衬底,GaN缓冲层,沟道层,势垒层,势垒层上的源极、漏极和栅极,栅极与漏极之间的电荷补偿层,电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成,其特征在于:所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料,沟道层和势垒层极化方向相反,势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡,产生了数量相同、类型相反的电荷,形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题,同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题,提升了器件性能。

    具有3D网状构造的负载贵金属纳米簇的SERS基底及制备方法

    公开(公告)号:CN105424673A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510736456.9

    申请日:2015-11-03

    Applicant: 宁波大学

    CPC classification number: G01N21/658

    Abstract: 本发明提供一种新型的具有3D网状构造的负载贵金属纳米簇的SERS基底及其制备方法,利用水热反应法制备负载有钴酸镍纳米棒的碳纤维,使钴酸镍纳米棒在碳纤维上生长为规则的周期性3D网状结构,然后利用磁控溅射技术将贵金属纳米颗粒涂覆于上述负载有钴酸镍纳米棒的碳纤维表面,获得具有3D网状构造的负载贵金属纳米簇的SERS基底。其特点是形成的3D网状立体结构钴酸镍具有丰富的尖端和平整的表面,有利于贵金属纳米颗粒于其上形成大量的团簇结构,产生较强的SERS信号。同时,周期性的结构使得SERS热点均匀分布,在实际检测中具有稳定均一的信号输出。另外,由于承载物为碳纤维,使制备的SERS基底可弯曲,可裁剪,易携带,便于应用于临床生物医药检测。

    银‑介孔二氧化硅‑银三明治核壳纳米材料其制备及应用

    公开(公告)号:CN105290394B

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201510737369.5

    申请日:2015-11-03

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明提供一种稳定的SERS活性高的银‑介孔二氧化硅‑银三明治核壳纳米材料,该核壳纳米材料由内核、中间层和外壳三部分组成,其中,内核为粒径10‑90nm的银纳米颗粒,中间层为厚度10‑200nm的介孔二氧化硅层,中间层外侧包覆由粒径10‑90nm的银纳米颗粒形成的外壳。本发明采用水热反应法制备的纳米材料,具有内外两层贵金属银纳米颗粒,在外来激发光的作用下,它们产生的表面局域电磁场之间能够发生相互耦合作用,产生具有极高强度的SERS信号输出。本发明制备工艺简单,周期短,产量高,易于推广及大规模生产。

    一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

    公开(公告)号:CN105870164A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610191581.0

    申请日:2016-03-30

    Applicant: 宁波大学

    CPC classification number: H01L29/778 H01L29/0684 H01L29/1033 H01L29/2003

    Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管,从下至上依次由衬底,GaN缓冲层,沟道层,势垒层,势垒层上的源极、漏极和栅极,栅极与漏极之间的电荷补偿层,电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成,其特征在于:所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料,沟道层和势垒层极化方向相反,势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡,产生了数量相同、类型相反的电荷,形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题,同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题,提升了器件性能。

    一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管

    公开(公告)号:CN105261643B

    公开(公告)日:2018-04-24

    申请号:CN201510608178.9

    申请日:2015-09-22

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明涉及一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管,从下至上依次主要由衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及在AlGaN势垒层上形成的源极、漏极和栅极组成,其特征在于,还包括位于AlGaN势垒层之上、栅极与漏极之间的Al组分渐变的AlxGa1‑xN极化掺杂层。AlxGa1‑xN极化掺杂层内的Al组分从上至下线性增大,通过Al组分渐变而产生的三维空穴气与沟道二维电子气相互补偿,形成电荷自平衡的超结结构,解决了电荷不平衡问题,提升了器件击穿电压和稳定性。

    具有3D网状构造的负载贵金属纳米簇的SERS基底及制备方法

    公开(公告)号:CN105424673B

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201510736456.9

    申请日:2015-11-03

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明提供一种新型的具有3D网状构造的负载贵金属纳米簇的SERS基底及其制备方法,利用水热反应法制备负载有钴酸镍纳米棒的碳纤维,使钴酸镍纳米棒在碳纤维上生长为规则的周期性3D网状结构,然后利用磁控溅射技术将贵金属纳米颗粒涂覆于上述负载有钴酸镍纳米棒的碳纤维表面,获得具有3D网状构造的负载贵金属纳米簇的SERS基底。其特点是形成的3D网状立体结构钴酸镍具有丰富的尖端和平整的表面,有利于贵金属纳米颗粒于其上形成大量的团簇结构,产生较强的SERS信号。同时,周期性的结构使得SERS热点均匀分布,在实际检测中具有稳定均一的信号输出。另外,由于承载物为碳纤维,使制备的SERS基底可弯曲,可裁剪,易携带,便于应用于临床生物医药检测。

    一种用于SERS检测的纳米材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105562714A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201610076795.3

    申请日:2016-02-03

    Applicant: 宁波大学

    CPC classification number: B22F9/24 B22F1/025 B82Y30/00 B82Y40/00 G01N21/658

    Abstract: 本发明公开了一种用于SERS检测的纳米材料及其制备方法,该纳米材料由内核和包覆于内核外侧的外壳组成,内核为粒径为300~450纳米的微孔二氧化硅颗粒,外壳由粒径为5~80纳米的银纳米颗粒聚集形成;该制备方法包括以下步骤:制备微孔二氧化硅颗粒和制备微孔二氧化硅-银核壳纳米材料;优点是制备得到的纳米材料的内核为粒径为300~450纳米的微孔二氧化硅颗粒,由于微孔二氧化硅颗粒表面的大量微孔可以负载更多的拉曼标记分子,因此在外来激光的作用下,这些拉曼标记分子处于外层的银纳米颗粒产生的表面局域电磁场之中,产生具有极高强度的SERS信号输出,使得该纳米材料具有更高的SERS活性,从而大大提高了SERS检测能力。

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