公开(公告)号：CN105261643B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201510608178.9

申请日：2015-09-22

Applicant: 宁波大学

Inventor： 赵子奇 ,  桂进争 ,  周幸叶 ,  姜涛 ,  张后程 ,  胡子阳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次主要由衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及在AlGaN势垒层上形成的源极、漏极和栅极组成，其特征在于，还包括位于AlGaN势垒层之上、栅极与漏极之间的Al组分渐变的AlxGa1‑xN极化掺杂层。AlxGa1‑xN极化掺杂层内的Al组分从上至下线性增大，通过Al组分渐变而产生的三维空穴气与沟道二维电子气相互补偿，形成电荷自平衡的超结结构，解决了电荷不平衡问题，提升了器件击穿电压和稳定性。

公开(公告)号：CN105261643A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510608178.9

申请日：2015-09-22

Applicant: 宁波大学

Inventor： 赵子奇 ,  桂进争 ,  周幸叶 ,  姜涛 ,  张后程 ,  胡子阳

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0603

Abstract: 本发明涉及一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次主要由衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及在AlGaN势垒层上形成的源极、漏极和栅极组成，其特征在于，还包括位于AlGaN势垒层之上、栅极与漏极之间的Al组分渐变的AlxGa1-xN极化掺杂层。AlxGa1-xN极化掺杂层内的Al组分从上至下线性增大，通过Al组分渐变而产生的三维空穴气与沟道二维电子气相互补偿，形成电荷自平衡的超结结构，解决了电荷不平衡问题，提升了器件击穿电压和稳定性。