公开(公告)号：CN106940310A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201710128016.4

申请日：2017-03-06

Applicant: 宁波大学

Inventor： 曲兆珠 ,  周骏 ,  罗海清 ,  吴冠毅 ,  姜丹 ,  吴莎

IPC: G01N21/65 ,  G01N33/531

Abstract: 本发明提供了一种可控自组装金纳米棒SERS免疫基底的制备方法。所述的SERS免疫基底包括单面抛光的硅片、固定在所述硅片抛光面上的金纳米棒和链接在所述金纳米棒表面的抗体。本发明首先采用双表面活性剂法制备金纳米棒，并将所述的金纳米棒滴加到经亲水处理过的所述硅片的抛光面上，所述的金纳米棒在硅片的抛光面上排列成连续的自组装结构。在制备的过程中，保持硅片相对地面倾斜35～45°，以克服咖啡圈效应，使得自组装金纳米棒SERS免疫基底具有优良的SERS增强特性和可重复性，应用于高灵敏度的免疫检测。此外，所述自组装金纳米棒SERS免疫基底的制备工艺简单、成本低廉、耗时少、产率高，易于推广，便于应用。

公开(公告)号：CN105870164B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201610191581.0

申请日：2016-03-30

Applicant: 宁波大学

Inventor： 曲兆珠 ,  赵子奇 ,  朱超 ,  张后程 ,  姜涛 ,  胡子阳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次由衬底，GaN缓冲层，沟道层，势垒层，势垒层上的源极、漏极和栅极，栅极与漏极之间的电荷补偿层，电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成，其特征在于：所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料，沟道层和势垒层极化方向相反，势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡，产生了数量相同、类型相反的电荷，形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题，同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题，提升了器件性能。

公开(公告)号：CN106940310B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201710128016.4

申请日：2017-03-06

Applicant: 宁波大学

Inventor： 曲兆珠 ,  周骏 ,  罗海清 ,  吴冠毅 ,  姜丹 ,  吴莎

IPC: G01N21/65 ,  G01N33/531

Abstract: 本发明提供了一种可控自组装金纳米棒SERS免疫基底的制备方法。所述的SERS免疫基底包括单面抛光的硅片、固定在所述硅片抛光面上的金纳米棒和链接在所述金纳米棒表面的抗体。本发明首先采用双表面活性剂法制备金纳米棒，并将所述的金纳米棒滴加到经亲水处理过的所述硅片的抛光面上，所述的金纳米棒在硅片的抛光面上排列成连续的自组装结构。在制备的过程中，保持硅片相对地面倾斜35～45°，以克服咖啡圈效应，使得自组装金纳米棒SERS免疫基底具有优良的SERS增强特性和可重复性，应用于高灵敏度的免疫检测。此外，所述自组装金纳米棒SERS免疫基底的制备工艺简单、成本低廉、耗时少、产率高，易于推广，便于应用。

公开(公告)号：CN105870164A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610191581.0

申请日：2016-03-30

Applicant: 宁波大学

Inventor： 曲兆珠 ,  赵子奇 ,  朱超 ,  张后程 ,  姜涛 ,  胡子阳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次由衬底，GaN缓冲层，沟道层，势垒层，势垒层上的源极、漏极和栅极，栅极与漏极之间的电荷补偿层，电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成，其特征在于：所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料，沟道层和势垒层极化方向相反，势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡，产生了数量相同、类型相反的电荷，形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题，同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题，提升了器件性能。

公开(公告)号：CN205723544U

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201620255990.8

申请日：2016-03-30

Applicant: 宁波大学

Inventor： 曲兆珠 ,  赵子奇 ,  朱超 ,  张后程 ,  姜涛 ,  胡子阳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本实用新型涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次由衬底，GaN缓冲层，沟道层，势垒层，势垒层上的源极、漏极和栅极，栅极与漏极之间的电荷补偿层，电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成，其特征在于：所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料，沟道层和势垒层极化方向相反，势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡，产生了数量相同、类型相反的电荷，形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题，同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题，提升了器件性能。