一种宽水平角窄俯仰角单狭缝天线及其制作方法

    公开(公告)号:CN109687104B

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN201811560725.0

    申请日:2018-12-20

    Abstract: 通过狭缝面向外高效辐射,满足对交汇飞行目标本发明提供了一种宽水平角窄俯仰角单狭 的大范围探测。缝天线,其包括一金属空腔和填充于金属空腔的腔体内的介质层,所述金属空腔具有沿其长度方向延伸的第一壁,在第一壁上开设有多个等间距排布的狭缝,且该金属空腔的一端设有馈电点,另一端的腔体内填充有吸波材料。本发明还提供了该天线的制作方法。本发明的天线通过采用单(56)对比文件陈伟强;丁桂甫;黎滨洪.单向宽带毫米波平面缝隙天线的设计与仿真.上海交通大学学报.2008,(第04期),全文.甘雨辰.基于基片集成脊波导的宽带漏波天线的设计与仿真.真空电子技术.2017,(第03期),全文.

    异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111244188B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202010060088.1

    申请日:2020-01-19

    Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法,该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层;衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中,Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力,同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层,能够有效减小欧姆接触电阻,从而减低二极管的插入损耗,能够有效提高二极管材料的射频性能。

    一种主动毫米波人体图像性别识别方法

    公开(公告)号:CN108108740B

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN201711369674.9

    申请日:2017-12-18

    Abstract: 本发明涉及一种主动毫米波人体图像性别识别方法,其包括:步骤S0,建立主动毫米波人体图像库;步骤S1,采集受检人的主动毫米波人体图像,并对该主动毫米波人体图像进行预处理;步骤S2,对经预处理的主动毫米波人体图像进行分割,获得受检人的躯干主体的分割图像;步骤S3,提取所述分割图像中的性别特征;步骤S4,分别确定所述灰度值直方图、方向梯度直方图特征向量和LBP纹理特征向量的权重;步骤S5,根据所述图像库中的主动毫米波人体图像,绘制性别识别图谱;以及步骤S6,识别出所述步骤S1中采集到的主动毫米波人体图像中受检人的性别。本发明可对海量不同性别人员图像快速分类与筛选,进而便于采取针对性隐私保护措施。

    三维集成微组装雷达前端模块

    公开(公告)号:CN113552540A

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN202110976643.X

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明提供一种三维集成微组装雷达前端模块,包括:载板层,设置有一埋置腔体;信号屏蔽层,设置于所述载板层表面;微波射频电路,设置于所述信号屏蔽层上,且位于所述埋置腔体内;第一层薄膜介质衬底,覆盖于所述信号屏蔽层及所述微波射频电路上;无源传输线,设置于所述第一层薄膜介质衬底上,并通过贯穿所述第一层薄膜介质衬底的通孔与所述微波射频电路电连接;第二层薄膜介质衬底,覆盖于所述无源传输线上;微带贴片天线,设置于所述第二层薄膜介质衬底上,并通过贯穿所述第二层薄膜介质衬底的通孔与所述无源传输线电连接。本发明能实现毫米波探测器收发组件前端模块的小型化与高度集成化。

    一种可调节微波电路测试夹具

    公开(公告)号:CN109669118B

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN201910086217.1

    申请日:2019-01-29

    Abstract: 本发明涉及一种可调节微波电路测试夹具,其为由一平台以及两个分别固定连接在该平台的两个相对的侧面上且相互平行的竖直部共同构成的U形结构,其中,所述平台用于供一被测电路固定放置于其上,每个所述竖直部包括:一框架,其下部与所述平台固定连接;一滑动连接在所述框架中的滑块,其与外部的一射频同轴连接器连接,并供该射频同轴连接器的探针穿过以压接在所述被测电路的输入或输出部分的微带线上;一固定安装在所述滑块顶面上的安装件;以及一从所述框架的顶面竖直向下旋入并与所述安装件卡接的丝杆。本发明具有可独立通用、易于加工、体积小、损耗低,精度高、装卸方便等优点,可轻松地实现微波电路或芯片的测试工作,具有很高的实用性。

    一种基于前倾波束的功率测试装置及其测试方法

    公开(公告)号:CN111366792A

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN202010334240.0

    申请日:2020-04-24

    Abstract: 本发明提供了一种基于前倾波束的功率测试装置,包括支撑平台,安装于支撑平台上且由下至上依次连接的X向移动载台、第一升降支架、三角倾斜支架和天线支架,以及安装于支撑平台上且由下至上依次连接的固定载台、第二升降支架及可切换的激光发射单元和毫米波收发单元,第二升降支架与所述第一升降支架的结构完全相同,天线支架上安装有待测天线,待测天线设置为发射待测毫米波前倾波束。本发明还提供了相应的功率测试方法。本发明的基于前倾波束的功率测试装置采用X向移动载台、升降支架和三角倾斜支架,可以精确调节待测天线在X轴、Z轴的位置和前倾角度θ,实现毫米波的前倾波束与毫米波收发单元的精确对准,可测试毫米波前倾波束的功率。

    异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN111244188A

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN202010060088.1

    申请日:2020-01-19

    Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法,该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层;衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中,Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力,同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层,能够有效减小欧姆接触电阻,从而减低二极管的插入损耗,能够有效提高二极管材料的射频性能。

    一种微型化、低功耗、长寿命资产追踪终端

    公开(公告)号:CN106787104A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611156688.8

    申请日:2016-12-14

    CPC classification number: H02J7/35 G01S19/42

    Abstract: 本发明提供一种微型化、低功耗、长寿命资产追踪终端,包括三维定位装置、远程传输装置、MCU、能量储存装置、能量捕获装置及充电控制电路;MCU设置为控制三维定位装置采集待追踪资产的三维位置信息,并控制远程传输装置将三维位置信息上传至一远程上位机;能量储存装置与MCU连接,设置为给MCU供电;能量捕获装置与能量储存装置连接,设置采集光能并将采集到的光能转换成电能以给能量储存装置充电;充电控制电路与能量储存装置和充电装置连接,设置为采集外部环境光强和能量储存装置电量,并根据外部环境光强和能量储存装置电量控制能量捕获装置进行充电操作。本发明的资产追踪终端体积小、功耗低、寿命长,能够实现对资产的远程实时追踪。

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