公开(公告)号：CN110034176B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910327603.5

申请日：2019-04-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  朱桂闯 ,  李少红 ,  张龙 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 一种解决反向恢复失效的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，N型漂移区被内部填充多晶硅的氧化层沟槽分成两个区域，其中一个区域内设有横向绝缘栅双极型晶体管，另一个区域内设有NMOS，横向绝缘栅双极型晶体管的集电极作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的集电极，横向绝缘栅双极型晶体管的栅极与NMOS的栅极相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的栅极，横向绝缘栅双极型晶体管的P型重掺杂发射区、NMOS的P型重掺杂源区及NMOS的N型重掺杂源区相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的发射极，横向绝缘栅双极型晶体管的N型重掺杂发射区与NMOS的N型重掺杂漏区相连。

公开(公告)号：CN112117905B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201910538741.8

申请日：2019-06-20

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 徐申 ,  陈明刚 ,  杨万青 ,  王德进 ,  蒋瑞 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/38

Abstract: 本发明涉及一种有源钳位反激变换器的控制系统及方法，包括：驱动模块，用于对所述主开关管和钳位开关管进行开关控制；主开关管电压采样电路，用于对所述主开关管的输入端和输出端间的压降进行采样；第一比较器，连接所述主开关管电压采样电路，用于判断采样到的第一采样电压是正电压还是负电压；死区时间计算模块，用于根据所述第一比较器的输出和当前周期的主开关管控制信号，对所述驱动模块输出的下一周期的钳位开关管控制信号进行调整。本发明能够对死区时间进行自适应控制，方案简单、易行、成本低，能够减小开关损耗、电流振荡和开关噪声。

公开(公告)号：CN111354794B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201811583692.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  娄荣程 ,  肖魁 ,  林峰 ,  魏家行 ,  李胜 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漏极金属；漂移区；基区；栅结构；第一导电类型掺杂区，在基区远离栅结构的一侧与基区接触；源区，设于基区中、第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒；源极金属，包裹接触金属，并与源区接触。本发明在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度。

公开(公告)号：CN110190120B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201910370872.X

申请日：2019-05-05

Applicant: 东南大学

Inventor： 张龙 ,  李安康 ,  祝靖 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 一种具有低开启过冲电流的横向绝缘栅双极型晶体管，在维持电流能力，耐压能力不下降的前提下，减小第二个栅脉冲开启时流经器件的电流峰值。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成夹断区。P型体区表面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶硅栅电极，所述多晶硅栅电极由位于P型体区表面上方的第一栅电极和位于夹断区及N型漂移区上方的第二栅电极组成，第一栅电极接第一栅电阻，第二栅电极接第二栅电阻。

公开(公告)号：CN111682780B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010504860.4

申请日：2020-06-05

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐申 ,  李旭涛 ,  曹宇 ,  孙乾坤 ,  陈明刚 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明公开了提高原边反馈有源箝位反激变换器轻载效率的控制方法，属于发电、变电或配电的技术领域。该方法通过包括采样模块和数字控制模块的系统实现，电压均值计算模块、周期控制模块、使能模块与PWM模块组成轻载模式下的控制系统，电压均值计算模块得到当前大周期输出电压均值，周期控制模块判断下一个大周期中两开关管开启周期数的调整方式，使能信号模块给出大周期的使能信号。误差计算模块、PID模块、DAC、比较器与PWM模块组成重载模式下的控制系统。通过实时比较从输出电压采样值中提取出的电流阈值与预设值得到轻载模式和重载模式的切换信号。本发明方案简单易行、成本低，能够减小轻载模式下开关损耗，提高了电路效率。

公开(公告)号：CN109545839B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201811343651.5

申请日：2018-11-12

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  钊雪会 ,  徐浩 ,  童鑫 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种双向耐压VDMOS器件，包括：N型漏极，其上设有第一N型外延层，在第一N型外延层内设有第一P型体区，在第一P型体区两侧设有第二P型体区，其上设有第二N型外延层，在第二N型外延层上设有重掺杂N型源极，其上连接有源极金属层，在第一N型外延层、第二P型体区、第二N型外延层及N型源极内设有栅极沟槽，栅极沟槽起始于N型源极，止于第一N型外延层内，栅极沟槽底部及侧壁设有栅极氧化层，内部设有栅极多晶硅，在栅极多晶硅顶部至N型源极表面之间设有氧化层。本发明简化了传统双向开关器件的结构，大大降低了导通电阻以及损耗，提高器件的电流能力和双向耐压能力，同时其制备方法简单，成本较低。

公开(公告)号：CN112164725A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN202011036591.X

申请日：2020-09-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张弛 ,  辛树轩 ,  李胜 ,  钱乐 ,  葛晨 ,  刘斯扬 ,  时龙兴

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/06 ,  H01L21/338

Abstract: 本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法，自下而上顺次包括：漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区；还包括：漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体，沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极；复合柱体是通过在漂移区上依次淀积p型半导体层和n型半导体层而后对其进行刻蚀形成；沟道层和钝化层依次通过淀积形成；由此以上器件被划分为元胞区和终端区，介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极仅存在于元胞区，终端区的钝化层向上延伸并包裹于沟道层外侧。该结构可以提高器件阈值电压、提高器件阻断特性、降低栅电容大小。

公开(公告)号：CN112103346A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011136918.0

申请日：2020-10-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  隗兆祥 ,  周华 ,  付浩 ,  严晓雯 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提出了一种具有高击穿电压的沟槽碳化硅功率器件，其器件结构包括，N型衬底，N型缓冲层，N型外延层，呈方形阵列排布的多晶硅栅，多晶硅栅的外围设有栅氧化层，栅氧化层两侧设有P型体区和N型源区，P型体区上方设有P型源区，N型源区、P型源区和P型外延柱的上方设有源极金属，N型衬底下表面设有漏极金属。本发明提出的三维器件结构的四个顶角设有P‑外延柱，该外延柱是在衬底外延过程中采用多次离子注入和外延工艺与N型外延层同步形成。P‑外延柱上方与源极金属直接相连，侧壁由栅氧化层与多晶硅栅隔离，底部与N型外延层接触。P‑外延柱的底部与N型外延层形成PN结，器件外接正向压降时，该PN结反偏，可以承受很强的电场，替栅氧化层分担了一部分电场，使沟槽拐角处栅氧化层内的电场强度降低，以提高功率碳化硅器件的击穿电压以及可靠性。

公开(公告)号：CN110138367B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201910406222.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  杨柏炜 ,  余思远 ,  陆扬扬 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H03K17/081 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明公开了降低功率器件反向恢复电流的栅极驱动电路，属于基本电子电路的技术领域。该栅极驱动电路包括高压LDMOS管、导通时构成续流通路的二极管或反并联有体二极管的低压MOS管、电压检测电路，功率器件关断时，电感负载产生续流电流流过续流二极管，电压检测电路检测到续流二极管导通，输出信号经控制电路处理后，使驱动电路输出高电平，从而使功率器件、高压LDMOS管的沟道导通，则续流电流从导电沟道流过，几乎不通过续流二极管，此时续流二极管几乎不存在反向恢复电流，从而达到降低功率器件反向恢复电流的目的。

公开(公告)号：CN109995303B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201711473986.4

申请日：2017-12-29

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  邵为建 ,  张森 ,  肖金玉 ,  苏巍 ,  钟锐 ,  时龙兴

IPC: H02P25/098

Abstract: 本发明公开了一种基于调节电流斩波限降低开关磁阻电机噪声的方法，该方法在低速电流斩波控制(CCC)模式下，使用伪随机方法为每相电流斩波限引入随机偏移量，使得各相电流斩波的上、下限不同，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免其频率与电机定子固有频率一致，从而通过破坏共振，达到降低开关磁阻电机噪声的目的。本发明的特点是无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。