-
公开(公告)号：CN112164725A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011036591.X
申请日：2020-09-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/812 , H01L29/06 , H01L21/338
Abstract: 本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法，自下而上顺次包括：漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区；还包括：漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体，沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极；复合柱体是通过在漂移区上依次淀积p型半导体层和n型半导体层而后对其进行刻蚀形成；沟道层和钝化层依次通过淀积形成；由此以上器件被划分为元胞区和终端区，介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极仅存在于元胞区，终端区的钝化层向上延伸并包裹于沟道层外侧。该结构可以提高器件阈值电压、提高器件阻断特性、降低栅电容大小。
-
公开(公告)号：CN101798120A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010106319.4
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种利用钢铁厂废酸洗液回收的氯化亚铁生产纳米氧化铁红的方法，它包括：将质量比5-35％氯化亚铁水溶液、洁净的铁片和铁黄晶种投入到反应釜中，控制反应温度10-40度，向釜中添加沉淀剂；搅拌时间0.5-5小时，搅拌速率30-120转/分钟，向反应釜中通入空气流量2000-10000立方米/小时；等待反应物变成土黄色悬浊液，反应体系pH值在4-5之间时，停止反应；通过压滤、干燥、粉碎和滚筒式程序升温煅烧，即可得到纳米氧化铁红。
-
公开(公告)号：CN112331720B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011234410.4
申请日：2020-11-07
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件，包括：衬底、成核层、漂移区、沟道层、势垒层、第一p型氮化镓帽层、金属源电极、金属漏电极，所述第一p型氮化镓帽层上表面设有第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层、肖特基接触型金属栅电极，同时第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层上表面设有欧姆接触型金属栅电极，肖特基接触型金属栅电极与欧姆接触型金属栅电极侧壁直接接触。本发明在低栅压下可以有效消除电荷存储现象，保证了器件在重复开关工作条件下具有较高的阈值稳定性；在高栅压下可以降低器件的栅漏电，保证器件在高栅压下具有长期稳定的工作状态。
-
公开(公告)号：CN112466927B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202011351448.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种以雪崩抗冲击的异质结半导体器件，该器件包括衬底(1)和第二介质层(23)，在衬底(1)上设有第一介质层(21)，在第二介质层(23)上设有第一半导体层(24)，第一半导体层(24)上设有第二半导体层(3)，第一半导体层(24)与第二半导体层(3)接触形成导电沟道层(25)，在第二半导体层(3)上设有金属源电极(7)、金属栅电极(8)和金属漏电极(9)，在第二半导体层(3)与金属栅电极(8)之间设有第三介质层(10)，其特征在于，在第一介质层(21)与第二介质层(23)之间设有雪崩层且雪崩层分别与金属源电极(7)、金属漏电极(9)连接。该器件具有雪崩能力，浪涌鲁棒性高。
-
公开(公告)号：CN112466927A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011351448.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种以雪崩抗冲击的异质结半导体器件，该器件包括衬底(1)和第二介质层(23)，在衬底(1)上设有第一介质层(21)，在第二介质层(23)上设有第一半导体层(24)，第一半导体层(24)上设有第二半导体层(3)，第一半导体层(24)与第二半导体层(3)接触形成导电沟道层(25)，在第二半导体层(3)上设有金属源电极(7)、金属栅电极(8)和金属漏电极(9)，在第二半导体层(3)与金属栅电极(8)之间设有第三介质层(10)，其特征在于，在第一介质层(21)与第二介质层(23)之间设有雪崩层且雪崩层分别与金属源电极(7)、金属漏电极(9)连接。该器件具有雪崩能力，浪涌鲁棒性高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112331720A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011234410.4
申请日：2020-11-07
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种具有高阈值稳定性型氮化镓功率半导体器件，包括：衬底、成核层、漂移区、沟道层、势垒层、第一p型氮化镓帽层、金属源电极、金属漏电极，所述第一p型氮化镓帽层上表面设有第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层、肖特基接触型金属栅电极，同时第二p型氮化镓帽层与n型氮化镓帽层上表面设有欧姆接触型金属栅电极，肖特基接触型金属栅电极与欧姆接触型金属栅电极侧壁直接接触。本发明在低栅压下可以有效消除电荷存储现象，保证了器件在重复开关工作条件下具有较高的阈值稳定性；在高栅压下可以降低器件的栅漏电，保证器件在高栅压下具有长期稳定的工作状态。
-
公开(公告)号：CN112259605B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202011143648.6
申请日：2020-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底中设有衬底电阻区，在衬底上依次设有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体区，第二半导体层与第三半导体层接触形成电子沟道层，在衬底电阻区上依次设有第一介质区、金属区、第二介质区，在第三半导体层上设有第一金属电极、第三金属电极，在第四半导体区上设有第二金属电极，在衬底下方设有第四金属电极，第一介质区、第二介质区、半导体层呈交替分布，该结构可以提高器件耐瞬时电流冲击的能力，在器件承受瞬时大电流时，对器件起到一定的保护作用。
-
公开(公告)号：CN112164725B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011036591.X
申请日：2020-09-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/812 , H01L29/06 , H01L21/338
Abstract: 本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法，自下而上顺次包括：漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区；还包括：漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体，沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极；复合柱体是通过在漂移区上依次淀积p型半导体层和n型半导体层而后对其进行刻蚀形成；沟道层和钝化层依次通过淀积形成；由此以上器件被划分为元胞区和终端区，介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极仅存在于元胞区，终端区的钝化层向上延伸并包裹于沟道层外侧。该结构可以提高器件阈值电压、提高器件阻断特性、降低栅电容大小。
-
公开(公告)号：CN112259605A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011143648.6
申请日：2020-10-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件，包括：衬底，在衬底中设有衬底电阻区，在衬底上依次设有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体区，第二半导体层与第三半导体层接触形成电子沟道层，在衬底电阻区上依次设有第一介质区、金属区、第二介质区，在第三半导体层上设有第一金属电极、第三金属电极，在第四半导体区上设有第二金属电极，在衬底下方设有第四金属电极，第一介质区、第二介质区、半导体层呈交替分布，该结构可以提高器件耐瞬时电流冲击的能力，在器件承受瞬时大电流时，对器件起到一定的保护作用。
-
公开(公告)号：CN101798120B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010106319.4
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种利用钢铁厂废酸洗液回收的氯化亚铁生产纳米氧化铁红的方法，它包括：将质量比5-35％氯化亚铁水溶液、洁净的铁片和铁黄晶种投入到反应釜中，控制反应温度10-40度，向釜中添加沉淀剂；搅拌时间0.5-5小时，搅拌速率30-120转/分钟，向反应釜中通入空气流量2000-10000立方米/小时；等待反应物变成土黄色悬浊液，反应体系pH值在4-5之间时，停止反应；通过压滤、干燥、粉碎和滚筒式程序升温煅烧，即可得到纳米氧化铁红。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.017 seconds)
