公开(公告)号：CN112239670A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202011062060.8

申请日：2020-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 薛小刚 ,  瞿森林 ,  袁欣 ,  李钰 ,  张小文 ,  袁昌来

IPC: C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B19/00 ,  C09D11/50 ,  B01J27/057 ,  C01B3/04 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种CuInSe2超小量子点及其制备方法和应用，其制备方法步骤为：S1：制备三聚硫氰酸或巯基配位的Cu和In离子前驱体溶液以及硒前驱体溶液；制备CuInSe2量子点前驱体溶液；制备小分子硫氰酸根或巯基包裹的超小CuInSe2量子点水溶液，采用水相一锅法以较简单的工艺和较低的温度在水溶液中制备出目标产物，所得CuInSe2量子点是立方相的超小的纳米晶由小分子硫氰酸根或巯基包裹，近红外发光，本发明的量子点墨水经印制后能够得到稳定的量子点发光层，具有较长的寿命，且具有较好的发光性能。将所述量子点墨水用于印刷制备太阳能电池能够有效提升电池的光学性能和电学性能，量子点具有优异的光催化性能。

公开(公告)号：CN108558391B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201810668020.4

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/628 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数=2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN108516823B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201810668010.0

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  曾卫东 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3‑0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变性及压光特性，最大压电应变系数=353pm/V，在1000N应力下发光波长612nm，制备工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN110937886A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201911336343.4

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  韩飞 ,  刘笑 ,  刘飞 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/26

Abstract: 本发明公开了一种具有光伏效应的K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：K1-xLnxNb1-xFexO3，其中Ln为Ba、Sr、Mg、Zn中的一种，0.01≤x≤0.2；该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(0.5-0.5x)：(0.5-0.5x)：0.5x：x的摩尔比例称取高纯度的K2CO3、Nb2O5、Fe2O、LnO/LnCO3粉体原料，将原料混合均匀，于在高能球磨机中充分球磨，取出烘干，过筛，再煅烧合成K1-xLnxNb1-xFexO3粉体；2）将K1-xLnxNb1-xFexO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体置于马弗炉中，经过600℃保温2h排除PVA，再高温烧结，冷却至室温后，制得K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷。K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷具有优良的宏观铁电特征、低的光学带隙和稀磁特性，且具有显著光伏效应的稀磁铁电半导体特征的功能。

公开(公告)号：CN110877978A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201911336342.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈泽星 ,  蒙柳方 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1-x)/2：(1-x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。

公开(公告)号：CN108117262B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201810151957.4

申请日：2018-02-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  习娟 ,  陈菁菁 ,  姜登辉 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C03C10/02 ,  C03B11/00 ,  C03B32/02

Abstract: 本发明公开了一种超低介低烧微晶玻璃介质材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：10.0～16.0wt%的CuO，16.0～22.0wt%的ZnO，62.0wt%的B2O3，5.0wt%的Li2O，0.5wt%CeO2和0.5wt%Ga2O3。所述介质材料是一种具有超低介电常数、高品质因数以及近零谐振频率温度系数的微晶玻璃介质材料，其在测试频率（～16 GHz）下的相对介电常数（Er）低至2.60‑3.11，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至0 ppm/oC附近，品质因数（Qxf）可以达到5100‑9145 GHz。

公开(公告)号：CN109704757A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910025697.0

申请日：2019-01-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  窦闰镨 ,  周昌荣 ,  王华 ,  袁昌来

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法，所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料，按照化学组成通式(1-y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1-x(W0.5Mg0.5)xO3-yBi2CoMnO6制备所得，其中x、y表示摩尔分数，0.01≤x≤0.05，0.01≤y≤0.05；所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能，生产成本低、实用性好。

公开(公告)号：CN108863358A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810756510.X

申请日：2018-07-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  王华 ,  刘国保 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xSr(In0.5Nb0.5)O3，其中x表示摩尔分数，0.1≤x≤0.2。所述制备方法为固相反应烧结法，将K2CO3、Na2CO3、SrCO3、In2O3和Nb2O5按化学比例称料，然后多种粉体先后经过球磨、预烧、煅烧、造粒、成型和烧结，制备出具有宽温度稳定特性的铌酸钾钠基陶瓷电容器介质材料，在‑60℃至300℃具有稳定的介电性能，且具有制备方法简单、成本低和无铅环保等优势。

公开(公告)号：CN108706971A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810670093.7

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3298

Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成为：Bi0.53Na0.5TiO3+0.05wt%LiVO3+0.1wt%MnO2。用微波快速烧结结合快速水冷制得，产品经实验测量，具有非常优异的压电应变记忆特性，最大压电应变记忆效应ΔS=0.46%，工艺简单，成本低廉，适合大规模工业生产。

公开(公告)号：CN107151138A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710301046.0

申请日：2017-05-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  李子静 ,  彭文 ,  蔡世劲 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  C04B41/88 ,  C04B41/80 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了一种低损耗超高压电性能无铅压电陶瓷材料及其制备方法，配方为：0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3‑0.05Bi2WO6+0.5%Mn+0.5%Cu，通过加入Bi2WO6，促进烧结，获得致密，晶粒均匀的陶瓷材料，结合化学包覆法，在合成的0.95Ba(Ti0.89Sn0.11)O3颗粒表面，采用化学包覆法获得Mn/Cu表面包覆颗粒，合成时形成梯度分级结构，抑制Sn的变价，即克服了该体系漏电流大的问题，也同时提高压电性能，降低介电损耗，解决了该体系绝缘性差，难以极化等难题。该陶瓷材料具有超高压电性能，同时具有超低介电损耗，环境友好型、稳定性好。