公开(公告)号：CN103159475B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310081346.4

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  成钧 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN103956266A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410146863.X

申请日：2014-04-14

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘勇 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  陈国华 ,  许积文 ,  周星星 ,  张小文

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/08

Abstract: 本发明涉及一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器及其制备方法，包括衬底硅片上溅射金属下电极、溅射Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜中间层、薄膜上溅射金属上电极形成三层结构。Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层具体由(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3（0.01≤x≤0.1）组成；金属上、下电极材料为金属Ag、Au、Pt中的一种。先制备(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3陶瓷靶材，然后采用磁控溅射工艺将其溅射到已溅射有金属下电极的硅片衬底上形成Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层；再在薄膜上使用溅射工艺制备金属上电极。本发明制备的高储能密度薄膜电容器体积小，薄膜层厚度0.5~1.5μm，其储能密度为20~45J/cm3。

公开(公告)号：CN102964119B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210470746.X

申请日：2012-11-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  冯琴 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  洛颖 ,  周昌荣

IPC: H01C7/04 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法，它是先合成(1-x)BiFeO3-xMeMO3粉体，再不掺入或掺入少量SiO2，经压制成型、烧结制成掺SiO2的(1-x)BiFeO3-xMeMO3热敏陶瓷材料。本发明制备的可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料，烧结温度低于950℃且性能稳定，性能测试表明能够获得较好的综合热敏性能：热敏常数β25/85大于5000K，室温电阻率ρ25小于106Ω·cm，老化率η低于5%。制备过程采用传统的陶瓷固相烧结制备工艺，采用工艺相对简单、稳定，因而具有较高的实用性和推广应用前景。

公开(公告)号：CN102320828B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201110162421.0

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周沁 ,  杨华斌 ,  周昌荣 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法，成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示，其中x、y、z和v表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102285794B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110162422.5

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  成钧 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了B位复合钙钛矿结构化合物组成的无铅压电陶瓷，成分以通式(1-x)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3+zMaOb；(1-x)Bi(Li1/3Me2/3)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb；(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)i(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示的无铅压陶瓷，其中x、y、z和v表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102249678B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110162420.6

申请日：2011-06-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  周昌荣 ,  周沁 ,  袁昌来 ,  陈国华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了无铅无铋压电陶瓷，成分以通式(1-x)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2K1/2)NbO3+zMaOb、(1-x)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2Li1/2)NbO3+zMaOb、(1-x-y)Ba(Cu1/4Me3/4)O3-x(Na1/2K1/2)NbO3-yLiTaO3+zMaOb或(1-x-y-u-v)BaCu1/4Me3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2K1/2)NbO3-u(Na1/2Li1/2)NbO3-vLi(Nb,Sb)O3+zMaOb来表示，其中x、y、u、v和z表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN102898135A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210386022.7

申请日：2012-10-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  袁昌来 ,  杨云 ,  周昌荣 ,  彭福伟

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法，该材料主要成分为Ca0.8Sr0.2TiO3和Li0.5Nd0.5TiO3组合固熔体。实现方法为先合成(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Nd0.5)1-xTiO3粉体，所得混合粉体在1050~1150℃保温2~4小时进行预烧，把所得预烧粉体进行二次球磨过筛；再加入少量乙酸锰（Mn(CH3COO)2），并压制成圆柱状坯体，把所得坯体在1200~1350℃温度下保温2~4小时烧结成瓷，即可得到掺Mn的Li补偿(Ca0.8Sr0.2)x(Li0.5Nd0.5)1-xTiO3高介电常数微波介质陶瓷材料。该材料介电常数高、谐振温度系数小、损耗较低，性能测试表明能够获得较好的微波介电性能：介电常数εr>120，谐振温度系数绝对值 1500GHz。制备工艺相对简单、稳定。

公开(公告)号：CN102005273B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010297410.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  马家峰 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明公开了一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法，主要复合成分有两种组合方式：无机相Ⅰ组合方式为：(1-t)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+tBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3，0.4≤t≤0.95(t为摩尔比率)；无机相Ⅱ组合方式为：(1-m-l)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+mBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3+l/2Ag2O，0.3≤m≤0.65，0.05≤l≤0.3，m、l为摩尔比率，将上述复合成分与有机载体按质量比75∶25混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在750～850℃下烧结，保温40～80分钟即可得到无铅负温度系数热敏厚膜。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在10～100μm内，热敏常数值介于2500～5500K之间，室温电阻率处于150Ω·cm～10MΩ·cm范围内，耐老化时间超过800小时。

公开(公告)号：CN101659545B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910114388.7

申请日：2009-09-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  刘心宇 ,  周昌荣

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/04

Abstract: 本发明涉及热敏电阻材料，具体涉及以BaBiO3为基础相的陶瓷材料及其制备方法。所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其化学通式为(Ba1-xAx)(SbyBi1-y)O3，式中A为稀土金属元素，0＜x≤0.01，0＜y＜0.1。该半导体陶瓷可采用传统电子陶瓷制备工艺制备，具体包括配料，焙烧，造粒，压型，烧成和电极制备6个步骤。与现有技术相比，本发明铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷制备工艺简单，导电性能良好，室温电阻率和温度系数可调，克服了现有负温度系数热敏电阻陶瓷材料室温电阻率大的不足，可实现室温电阻率为35Ω·cm，而温度系数B值为3147K的以BaBiO3为基础相的负温度系数热敏电阻半导体陶瓷。

公开(公告)号：CN101826377A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010137147.7

申请日：2010-03-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  刘心宇 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: H01B1/20 ,  H01B13/00 ,  H01C7/04

Abstract: 本发明涉及负温度系数热敏电阻材料技术领域，具体涉及以铋酸钡基材料为功能相的厚膜热敏电阻浆料、其制备方法以及用该厚膜热敏电阻浆料制备的厚膜热敏电阻。所述电阻浆料由功能相和有机载体溶剂组成，功能相和有机载体溶剂的重量比为60～80∶20～40，其中功能相是化学通式为(Ba1-xAx)BiO3的化合物，式中0≤x＜0.01，A为稀土金属元素，选自Y、La、Nd、Sm、Dy和Er元素中的一种。其制备方法为：1)制备功能相；2)制备有机载体；3)制备浆料。与现有技术相比，本发明所述厚膜热敏电阻浆料具有不需加入粘结剂，可实现低温烧结厚膜电阻，电阻性能优异，制备工艺简单的优点。