-
公开(公告)号:CN119125604A
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202411284558.7
申请日:2024-09-13
Applicant: 同济大学
IPC: G01P15/03 , G01P15/097 , G01B11/02
Abstract: 本发明公开了一种基于自溯源光栅的超高线性度MOMES加速度计,属于检测仪表领域,包括MEMS谐振子、自溯源光栅干涉仪和数据处理模块,所述MEMS谐振子包括折叠梁、固定外框和质量块,所述折叠梁外侧壁与所述固定外框内侧壁连接,所述质量块设置在所述折叠梁底部,所述自溯源光栅干涉仪包括自溯源光栅和干涉测量读数头,所述自溯源光栅设置在所述质量块上。本发明采用上述的一种基于自溯源光栅的超高线性度MOMES加速度计,具有极高测量线性度,并且位移测量可实时溯源,相比于传统MOMES加速度计能够提高其位移测量的准确度,减小加速度测量的非线性效应。
-
公开(公告)号:CN119105121A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411227540.3
申请日:2024-09-03
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种高衍射效率的直接溯源型光栅制备方法,属于高精密光栅制造领域,包括以下步骤:1)基于高温热蒸发法在真空中产生中性原子束;2)采用激光多普勒冷却降低中性原子束横向运动速度;3)利用激光驻波场对原子束进行会聚,并使其垂直沉积到基板上并形成直接溯源型光栅结构;4)在直接溯源型光栅表面利用热蒸发法依次蒸镀金属膜与保护膜,获得高衍射效率的直接溯源型光栅标准样板。本发明提供了一种高衍射效率的直接溯源型光栅制备方法,能够显著提高直接溯源型光栅的衍射效率,操作简单,同时能够不破坏直接溯源型光栅的自溯源性。
-
公开(公告)号:CN118884591A
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202411168208.4
申请日:2024-08-23
Abstract: 本发明公开了一种基于光频梳偏频锁定波长的铬原子光刻光栅制备方法及装置,涉及原子光刻技术领域,装置中光学频率梳的输出端与倍频光路连接;连续可调谐激光器的输出端与保偏光纤分束器的输入端连接;倍频光路和和保偏光纤分束器的第一输出端分别与光纤合束器的输入端连接;保偏光纤合束器的输出端与拍频检测光路的输入端连接;拍频检测光路的输出端通过光电接收器与功分器的输入端连接;频率计数器的输入端与功分器的第一输出端连接;偏频锁定系统的输入端与功分器的第二输出端连接;偏频锁定系统的输出端与连续可调谐激光器的控制输入端连接,本发明在实现原子光刻光栅尺寸拓展的同时保证了光栅的高衍射效率。
-
公开(公告)号:CN116793975A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202310777638.5
申请日:2023-06-29
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于计算重构光谱技术领域,具体涉及一种基于石墨烯光电流响应的光谱仪、测量方法及其制备方法。本发明利用场效应对石墨烯进行电学掺杂,即通过调节栅极电压,以调节单层石墨烯的化学势μ,使得入射光中能量小于2|μ|的光子无法通过带间跃迁被石墨烯吸收而形成光电流,并影响石墨烯光电流响应的强度,从而重构入射光光谱,实现高精度光谱探测。本发明方法可以突破传统光谱仪毫米量级尺寸极限,在微米量级的石墨烯中实现光谱探测,为高性能光谱仪的微型化提供了一种完全不同的技术路线。
-
公开(公告)号:CN114967161B
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202210476458.9
申请日:2022-04-29
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种多层膜自由几何超表面元件及制备方法,该元件包括SiO2衬底、高反膜、间隔层和顶部超表面;其中,所述高反膜为HfO2/SiO2多层膜,所述间隔层为HfO2薄膜,所述顶部超表面为周期性HfO2微结构;所述元件的几何形状为依据伴随拓扑优化过程而决定;所述制备过程包括:首先通过伴随拓扑优化算法优化获得多层膜自由几何超表面设计,再利用电子束蒸发离子束辅助、电子束曝光、原子层沉积、反应离子刻蚀技术实际制作。与现有技术相比,本发明具有更强的电磁调控能力和非偏振宽带高效率的优点,仅需1套系统即可实现非偏振激光合成,极大简化了光谱合成装置的体积、重量和复杂程度。
-
公开(公告)号:CN116288154A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310306522.3
申请日:2023-03-27
Applicant: 同济大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/24 , C23C14/22 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , C23C14/54 , G02B1/10
Abstract: 本发明涉及薄膜光学技术领域,尤其是涉及一种氧化铪复合薄膜及其制备方法。本发明旨在解决离子束辅助沉积工艺制备的氧化铪薄膜因易结晶、表面空洞缺陷密集而导致的粗糙度较大的问题,以及离子束轰击引起的薄膜吸收较大的问题。本发明在传统制备的纯氧化铪薄膜制备中插入薄层的氧化硅薄膜,将厚层氧化铪拆分隔离为数层纳米薄层,一方面可以有效抑制氧化铪薄膜的结晶,减少薄膜表面的孔洞缺陷,从而降低薄膜粗糙度;另一方面,部分含量氧化硅的引入也会降低氧化铪薄膜的吸收。与现有技术相比,本发明可以有效降低离子束辅助沉积工艺制备氧化铪薄膜表面粗糙度和吸收,同时制作成本低,易于推广,在超高精度激光测量领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号:CN116184551A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202211612972.7
申请日:2022-12-15
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及光学薄膜技术领域,尤其是涉及兼顾激光波段损伤特性和中波红外高透特性的分色元件及设计方法。本发明采用能带隙宽、热力学稳定性优良的氧化物材料,确保该分色元件在激光波段有高的激光损伤阈值、光谱效率以及能够适应严酷的工作环境。与现有技术相比,本发明可以兼顾激光波段的损伤特性和各个目标波段的光谱效率,具体可实现的技术指标为:532nm和1064nm激光波段的反射率分别为99.5%、99.7%,3.6~4.7μm中红外探测光范围内的平均透射率达到96%以上;该分色元件在532nm和1064nm激光波段的损伤阈值分别为10.4J/cm2、31.6J/cm2。
-
公开(公告)号:CN115747745A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211491382.3
申请日:2022-11-25
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种斜入射高性能窄带滤光薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1:分别制备倾斜沉积的高、低折射率材料的单层膜;步骤2分别测试高、低折射率材料的单层膜的透射率和反射率曲线,根据透射率和反射率分别拟合获取高、低折射率材料的单层膜的厚度和折射率参数;步骤3:根据高、低折射率材料的单层膜的厚度和折射率参数,设计并确定在工作角度下,五腔窄带滤光薄膜的膜系结构;步骤4:根据五腔窄带滤光薄膜的膜系结构,制备斜入射高性能窄带滤光薄膜,并测试斜入射高性能窄带滤光薄膜的透射光谱。与现有技术相比,本发明能够解决现有技术中入射角度大于25°时窄带滤光薄膜的光学特性会发生显著变化的问题,且薄膜透过率高。
-
公开(公告)号:CN115183870A
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN202210907642.4
申请日:2022-07-29
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种宽带编码滤光片阵列,用以将来自目标物体的入射光调制后入射到图像探测器上,包括多个由M个滤波片构成的周期性最小重复单元,每个所述滤波片均包括由下至上依次设置的玻璃衬底、第一金属层、介质层和第二金属层,所述介质层包括多个膜层厚度不一的介质层块,所述第二金属层对应设于多个所述介质层块上。与现有技术相比,本发明同时具有光谱调控能力强、对入射光角度不敏感和制备简单的优点。
-
公开(公告)号:CN114967161A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210476458.9
申请日:2022-04-29
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种多层膜自由几何超表面元件及制备方法,该元件包括SiO2衬底、高反膜、间隔层和顶部超表面;其中,所述高反膜为HfO2/SiO2多层膜,所述间隔层为HfO2薄膜,所述顶部超表面为周期性HfO2微结构;所述元件的几何形状为依据伴随拓扑优化过程而决定;所述制备过程包括:首先通过伴随拓扑优化算法优化获得多层膜自由几何超表面设计,再利用电子束蒸发离子束辅助、电子束曝光、原子层沉积、反应离子刻蚀技术实际制作。与现有技术相比,本发明具有更强的电磁调控能力和非偏振宽带高效率的优点,仅需1套系统即可实现非偏振激光合成,极大简化了光谱合成装置的体积、重量和复杂程度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-