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公开(公告)号：CN114122222B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111558381.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片，通过在LED芯片的外延叠层裸露面设有复合钝化层，其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率，所述钝化底层用于接触LED芯片的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层，用于减少孔洞；从而提升抗高逆压性能，并避免水汽的渗入。
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公开(公告)号：CN115360278A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210997930.3
申请日：2022-08-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了本发明提供了一种微型发光器件及其制备方法，通过将第一金属反射层层叠于具有岛状结构的透明导电层的表面，使得经第一金属反射层向下反射的光在岛状结构处形成漫反射效果，再经第二、第三反射层反射进一步扩大发光角度；所述第一金属反射层和所述透明导电层通过合金工艺与所述第二型半导体层形成欧姆接触的同时，由于第一金属反射层具有导电性能，且其电阻值低于透明导电层，更有利于电流的横向传导，从而降低电压，进一步提升微型发光器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN115000268A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210623876.6
申请日：2022-06-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过外延叠层表面设置绝缘反射层，且所述绝缘反射层具有分别与所述凹槽裸露部和台面裸露部所对应的通孔；同时，在所述通孔内分别设有金属填充层；第一电极，其通过所述通孔层叠于所述凹槽的裸露部所对应的金属填充层表面，并向上延伸至所述绝缘反射层的表面；第二电极，其通过所述通孔层叠于所述台面的裸露部所对应的金属填充层表面，并向上延伸至所述绝缘反射层的表面。从而，通过填孔金属层的设置可以实现绝缘反射层开孔的填平，减少了因绝缘反射层开孔所导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进而解决因其导致的应力失配、热量聚集及电流分布不均匀的技术问题。
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公开(公告)号：CN114975715A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210620906.8
申请日：2022-06-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种mini‑LED芯片及制备方法，在该mini‑LED芯片中，复合透明导电层中的欧姆接触层降低了复合透明导电层的欧姆接触电阻，提升了与P型层的欧姆接触，第一透明导电层提升了电子浓度与电流扩展能力，第二透明导电层提升了导电膜穿透率，两个透明导电层进一步提升了电流传导能力以及抗ESD能力，纳米层提升了粘附性以及芯片的推力可靠性，该复合透明导电层提升了芯片的散热能力，降低了热效应的产生；此外增粘截止层提升了复合DBR反射层与复合透明导电层的粘附性、水汽隔绝层提升了防水汽侵蚀能力，并且采用间歇式离子镀膜，降低了复合DBR反射层的膜层应力，提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN114927417A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210690408.0
申请日：2022-06-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L33/00 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法，通过在所述待刻蚀结构的表面依次形成聚合物层、负性光刻胶，通过曝光、显影形成倒梯形台面的掩膜板，即光刻胶的图形呈上宽下窄，再通过敏感源使所述负性光刻胶两侧表面交联实现光刻胶图形反转，使光刻胶的图形呈上窄下宽后，再结合所述待刻蚀结构相对所述刻蚀增强层的刻蚀选择比不小于1的设置，使所述待刻蚀结构的刻蚀区域形成倾斜度较小的预设图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113078247B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110325072.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，包括覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔。可见，通过绝缘层覆盖电流扩展层、外延片的裸露面及环形区，提升绝缘层对外延片对电流扩展层的侧面及外延片的侧面的保护，有效隔离发光二极管的半导体材料与外界环境的水汽接触，保证发光二极管的可靠性高。
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公开(公告)号：CN112951964B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110200475.5
申请日：2021-02-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：位于所述衬底上的P型金属电极和N型金属电极；所述P型金属电极包括第一电极层、第一金层、第一铝层以及第一合金层；所述N型金属电极包括第二电极层、第二金层、第二铝层以及第二合金层；其中，所述第一合金层和所述第二合金层均为金‑铝合金层。已知金属铝和金‑铝合金均具有很好的抗腐蚀能力，因此位于第一金层上的第一合金层和第一铝层以及位于第二金层上的第二合金层和第二铝层能够避免第一金层和第二金层在盐雾环境中发生电化学腐蚀，进而避免由于所述第一金层和所述第二金层发生电化学腐蚀而破坏所述第一金层和所述第二金层上的布线，导致LED芯片失效。
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公开(公告)号：CN114530534A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210327434.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，其隔离层覆盖所述外延叠层并裸露所述凹槽的部分表面，且沿所述台面表面的隔离层具有至少一通孔；通过所述通孔实现对发光面积的控制；同时，所述通孔是对所述隔离层进行刻蚀工艺而形成，且隔离层为绝缘材料，则刻蚀过程容易控制，藉以更好地实现对发光面积的有效控制；再者，本发明提供的LED芯片，使电流扩展金属正下方的电流扩展层与所述第二型半导体层不直接接触，从而，避免了电流聚集在扩展电极正下方的情况，进而提高LED芯片的抗ESD能力。
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公开(公告)号：CN114284201A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111626631.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L33/00
Abstract: 本申请实施例公开了一种刻蚀托盘及刻蚀方法，该刻蚀托盘包括：下片和上片，上片覆盖下片表面，下片的材料为金、银、铜、铝中的一种，上片的材料为碳化硅、氮化铝、石墨中的一种，使得该刻蚀托盘为由散热能力较好的材料和散热能力较差的材料组成的复合托盘，刻蚀选择比调整范围更大，刻蚀角度的变化范围更大。进行刻蚀时，可以通过调整刻蚀参数，调整刻蚀选择比，实现刻蚀角度的多次变化，且变化范围较大，形成类似漏斗形状的刻蚀沟道，使得刻蚀沟道的坡度较缓。并且，利用该刻蚀托盘进行刻蚀，刻蚀角度从较大到较小，使得刻蚀沟道的底宽较小，且使得小刻蚀角度对于顶宽影响较小，使得刻蚀沟道在所述LED外延芯片的中的占比相对较小。
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公开(公告)号：CN113097361A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110354775.9
申请日：2021-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/42
Abstract: 本发明提供了一种提高LED结构稳定性的方法，包括：将ITO浸泡在包含化学修饰剂的溶液中进行浸泡，得到修饰后的ITO；所述化学修饰剂为包含氨基和\或巯基的有机物；然后在修饰后的ITO表面蒸镀金属层。与现有技术相比，本发明通过在ITO表面形成化学修饰剂自组装单分子层，并且化学修饰剂含有氨基和\或巯基可进一步进行修饰，从而使蒸镀的金属与氨基和\或巯基形成稳定的化学键，提高了ITO与金属层之间的粘附性，进而提高了LED的结构稳定性。
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