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公开(公告)号：CN100511714C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710131530.X
申请日：2007-09-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/49 , H01L27/115 , H01L21/28
Abstract: 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。本发明使用硅烷SiH4或乙硅烷Si2H6采用低压化学气相沉积方法LPCVD淀积纳米量级的非晶硅薄膜，然后使用锗烷GeH4采用低压化学气相沉积技术自组织生长得到锗纳米晶粒；取出样品采用选择刻蚀除去锗浸润层，通过高温退火促进锗硅间的互扩散，然后采用化学选择腐蚀剂得到锗硅异质纳米结构。
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公开(公告)号：CN100428410C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN02112514.7
申请日：2002-01-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B25/00
Abstract: 改进氢化物气相外延(HVPE)生长GaN材料均匀性的方法和装置，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN薄膜材料电炉中，将单路金属镓源-HCl-N2管道分成多路金属镓源-HCl-N2管道，改善反应物GaCl-N2的传输均匀性，并将反应物GaCl-N2输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区。两路或多路镓源传输管道使内部气流分布均匀，可以看出改进后沉积的薄膜均匀性也有很大的改善。生长的GaN薄膜面积扩大到5cm×4cm，而厚度均匀的有效薄膜面积可达到4cm×3cm甚至更大。
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公开(公告)号：CN101281863A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810019103.7
申请日：2008-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法，在HVPE生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层。温度为500－800℃，然后升温至生长温度开始生长GaN，生长温度1000－1100℃。生长至合适的厚度后，停止生长；冷却后获得完整的自支撑GaN衬底，铝酸锂衬底自动分离。本发明利用了铝酸锂衬底和GaN之间的小的晶格失配来获得低位错密度的非极性面GaN薄膜；本发明方案充分利用两者之间大的热失配来使得二者相分离，无需按照一定降温速率降温，并且晶体质量明显改善，而且成品率高，采用本发明方案利于规模生产。
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公开(公告)号：CN101179015A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710191199.0
申请日：2007-12-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/20
Abstract: InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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公开(公告)号：CN100359636C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200510095245.8
申请日：2005-11-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268 , B23K26/00
Abstract: 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法，在650-800℃空气气氛中直接用合适波长的紫外激光器透过蓝宝石辐照GaN/蓝宝石样品，界面处的GaN被分解后，蓝宝石可以很容易的被去掉，即可得到GaN自支撑衬底。在高于800℃时在氨气气氛保护下进行激光器透过蓝宝石辐照。本发明经高于650℃激光剥离，GaN和蓝宝石很容易就分离开来，从而得到GaN自支撑衬底。且蓝宝石和衬底之间的应力完全得到释放，得到的GaN衬底平整无翘曲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1327486C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410041443.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量GaN薄膜，在HVPE生长系统或MOCVD系统中，先在较低的400-800℃温度条件下在Si衬底上，以氨气和HCl为气源，生长一层GaN，然后在高温下如1000-1100℃持续生长GaN。低温下生长的GaN层，阻止了氨气对Si衬底的氮化以及高温下Si和HCl的反应，从而使得后续生长的GaN具有较高的质量。
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公开(公告)号：CN1177335C
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN02113088.4
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法，将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子，然后在850-900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入，将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比，能够实现较高的离子掺杂浓度，因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。
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公开(公告)号：CN1174470C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN02113084.1
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365 , C23C16/34
Abstract: 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法，用MOCVD、MBE或其他方法生长GaN籽晶层；在GaN籽晶层上沉积SiO2、Si3N4、W等薄膜，利用光刻方法蚀刻出一定的图形，对于平行长条状，掩摸区宽度2-20μm，GaN窗口区宽度0.2-20μm，平行长条状的开口方向是沿GaN的[1T00]取向；对于正六边形的开口，使GaN的[1T00]取向垂直于正六边形的边，然后用MOCVD或HVPE方法外延生长GaN，直至掩模层被GaN铺满，继续生长得到低位错密度氮化镓薄膜。HVPE生长速率很快。由于在远离界面处位错密度比较低，所以在横向外延薄膜上HVPE厚膜外延，可得到位错密度更低的GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN1172353C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN02113083.3
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 利用溶胶—凝胶(Sol-Gel)法制备p型ZnO薄膜，先制备Ga或N共掺杂的ZnO胶体溶液，在预先清洗好的Si片或其他衬底(石英玻璃、蓝宝石等)上滴加胶体溶液，以旋转衬底的方式使胶体溶液均匀涂覆，然后将薄膜在室温～100℃下放置一段时间再经过240-300℃的热处理，尔后在500～900℃，氨气气氛下热处理1～5小时。溶胶-凝胶法制备薄膜材料具有技术简单，低耗费，易于获得大面积的薄膜等优点。
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公开(公告)号：CN1140930C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02113005.1
申请日：2002-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于AlxGa1-xN/GaN异质结的铁电体/半导体存贮器结构及其制法，在蓝宝石衬底上首先用MOCVD技术生长AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构，然后在AlxGa1-xN上用PLD技术生长PZT铁电薄膜，最后用电子束蒸发技术分别在AlxGa1-xN层上淀积Ti/Al欧姆接触电极和在PZT层上淀积Al电极。这种结构利用了PZT/AlxGa1-xN界面的高温稳定性，避免了普通的铁电体/Si MFS结构的界面互扩散和界面反应问题。同时，这种结构以AlxGa1-xN/GaN异质界面高浓度、高迁移率的二维电子气为沟道载流子，有利于提高存贮器结构的响应速度等性质。
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