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公开(公告)号：CN112805811B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201980065097.5
申请日：2019-10-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , B24B7/00 , B24B49/12
Abstract: 检查装置包括：支承晶片的载置台，其中，晶片在半导体衬底的内部形成有多排改性区域；光源，其输出对于半导体衬底具有透射性的光；和物镜，其使在半导体衬底中传播后的光通过；光检测部，其检测通过了物镜后的光；和检查部，其检查在多排改性区域中的最靠近正面的第1改性区域与最靠近第1改性区域的第2改性区域之间的检查区域中是否存在从1改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端。物镜使焦点从背面侧对焦到检查区域内。光检测部检测在半导体衬底中从正面侧向背面侧传播的光。
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公开(公告)号：CN110945628B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201880048563.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53
Abstract: 层叠工序具有：将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的电路层的第1接合工序；研磨所述第2晶圆的半导体基板的研磨工序；及将所述第3晶圆的电路层接合于所述第2晶圆的所述半导体基板的第2接合工序。在激光照射工序中，通过对于所述第1晶圆的半导体基板照射激光来形成改质区域，并且沿着层叠体的层叠方向使龟裂从所述改质区域伸展。
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公开(公告)号：CN110520968B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201880025364.1
申请日：2018-04-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 坂本刚志
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , H01L21/683
Abstract: 加工对象物切断方法包括：第一步骤，准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物；第二步骤，通过对加工对象物照射激光，分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域，并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列改质区域与加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂；以及第三步骤，通过对加工对象物从第二主面侧实施干式蚀刻，分别沿多条切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。在第三步骤中，从第二主面侧实施干式蚀刻而去除至少1列改质区域，由此在沟槽的内表面形成呈现对应于被去除的改质区域的凹凸形状且使单晶硅露出的凹凸区域。
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公开(公告)号：CN116669895A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180086377.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/351
Abstract: 激光加工方法具备：第1工序，其准备包含以经由分割道而彼此相邻的方式配置的多个功能元件的晶圆；以及第2工序，其在第1工序之后，基于关于分割道的信息来对分割道照射激光，以使在分割道的第1区域去除分割道的表层，且在分割道的第2区域残留表层。关于分割道的信息包含当沿着通过分割道的线在晶圆的内部形成有改质区域的情况下，从改质区域伸展的龟裂，在第1区域未沿着线到达分割道，在第2区域沿着线到达分割道的信息。
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公开(公告)号：CN116242832A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211565370.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明涉及检查装置及检查方法。本发明的检查装置具备：拍摄单元，其通过对晶圆输出具有透过性的光，并检测在晶圆中传播后的光，来拍摄晶圆的内部；驱动单元，其使拍摄单元沿着作为铅垂方向的Z方向移动；以及控制部，其中，控制部构成为执行如下操作：控制驱动单元，使得拍摄单元依次移动到晶圆的规定的拍摄范围内的沿着Z方向的各拍摄区域成为可拍摄的位置；控制拍摄单元，以拍摄各拍摄区域；基于各拍摄区域相关的从检测到光的拍摄单元输出的拍摄图像，对于拍摄范围的激光加工后的内部观察的适当性进行判断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116060781A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211360346.3
申请日：2022-11-02
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/70
Abstract: 在激光加工装置(1)中，对经由器件层(150)与第2晶片(200)接合的第1晶片(100)照射激光L，进行激光加工。器件层(150)包含包括多个芯片的有源区域(160)和以包围有源区域(160)的方式位于有源区域(160)的外侧的周缘部(170)。而且，在激光加工中，通过沿着在该周缘部(170)上环状延伸的第1线(A1)照射激光(L)，形成沿着第1线(A1)的第1改性区域(121)。由此，能够利用第1改性区域(121)和从第1改性区域(121)延伸的第1裂纹(131)，进行将晶片的外缘部分作为不要部分(除去区域E)除去的切边。
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公开(公告)号：CN115812019A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202180049245.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53
Abstract: 激光加工装置包括照射部和控制部。照射部具有空间光调制器和使由空间光调制器调制后的激光聚光于对象物的聚光部。控制部执行第1控制，该第1控制利用空间光调制器调制激光，以使激光分束成多束加工光，并且多束加工光的多个聚光点在与激光的照射方向垂直的方向上位于彼此不同的位置。在第1控制中，调制激光，以使得在照射方向上在激光的非调制光的聚光点与对象物的跟激光入射面相反的一侧的相反面之间，存在从构成改性区域的多个改性点延伸且沿着假想面伸展而相连的裂纹。
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公开(公告)号：CN115803141A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180049263.X
申请日：2021-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/046
Abstract: 激光加工装置包括照射部和控制部。照射部具有：空间光调制器和将由空间光调制器调制了的激光聚光于对象物的聚光部。控制部执行第1控制，该第1控制通过空间光调制器来调制激光，以使激光分束成多束加工光、并且多束加工光的多个聚光点在与激光的照射方向垂直的方向上位于彼此不同的位置。在第1控制中，对激光进行调制，以使得在照射方向上多束加工光各自的聚光点相对于该加工光的理想聚光点位于激光的非调制光的聚光点的相反侧，或者多束加工光各自的聚光点相对于非调制光的聚光点位于该加工光的理想聚光点的相反侧。
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公开(公告)号：CN115428125A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180026221.4
申请日：2021-03-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53
Abstract: 本发明的检查装置，具备：激光照射单元、摄像单元、控制部；控制部，构成为执行：加工处理，以设定为通过对晶圆照射激光而在晶圆的内部形成多个改质区域，并且成为使从改质区域延伸的龟裂到达背面及表面的全切割状态的配方控制激光照射单元；确定处理，基于从摄像单元输出的信号，确定背面的从改质区域延伸的龟裂的状态，以及晶圆的内部的改质区域及龟裂中的至少一者的状态；以及判断处理，基于在确定处理中确定的信息，判断相应于配方对晶圆施加的分割力是否适当。
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公开(公告)号：CN115244653A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180019931.4
申请日：2021-03-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , H01L21/02 , H01L21/66
Abstract: 检查装置具备激光照射单元、对晶圆进行摄像的摄像单元、接收输入的显示器、及控制部，显示器接收：包含晶圆的信息及对该晶圆的激光加工目标的晶圆加工信息的输入，控制部执行：基于通过显示器接收到的晶圆加工信息，决定包含通过激光照射单元的激光的照射条件的配方(加工条件)；以决定的配方对晶圆照射有激光的方式，控制激光照射单元；通过以对晶圆进行摄像的方式控制摄像单元，取得通过激光的照射的晶圆的激光加工结果；及基于激光加工结果，评价配方的方式构成。
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