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公开(公告)号：CN104513335B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201410525122.2
申请日：2014-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F126/06 , C08F220/18 , C08F222/14 , C08F222/20 , C08F2/44 , C08K5/17 , C08K5/50 , C08K5/5397 , C08J5/18 , H01L51/54
Abstract: 本发明提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体‑聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体‑聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体、有机添加剂、和能聚合物质，其中所述组合物在进行聚合之后具有大于或等于约40％的雾度。
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公开(公告)号：CN108219769A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711337199.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发射性纳米晶体颗粒、其制备方法和包括发射性纳米晶体颗粒的器件。所述发射性纳米晶体颗粒包括：包括包含III‑V族化合物的第一半导体纳米晶体的芯和包围所述芯的包含第二半导体纳米晶体的壳，其中所述发射性纳米晶体颗粒包括非发射性I族元素。
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公开(公告)号：CN107057173A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710084565.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08L23/08 , C08K3/30 , C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , H01L51/50 , H01L51/56 , H01L51/54 , H01L33/50 , H01L33/00 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L51/0043 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01P2002/88 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L51/004 , H01L51/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , C08K3/30 , C08K2003/3036 , H01L33/005 , H01L2251/30 , H01L2251/50 , H01L2933/0058 , C08L23/0869
Abstract: 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO‑)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。
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公开(公告)号：CN107017323A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610842472.0
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/48 , H01L33/58 , H01L33/50 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L33/502 , G02F1/133603 , H01L33/44 , H01L33/501 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L33/486 , G02F1/1336 , H01L2933/0091
Abstract: 公开LED封装体、包括其的背光单元和发光装置、及包括背光单元的液晶显示器装置。所述LED封装体包括：LED；包括如下的堆结构体：与所述LED间隔开的光散射结构体，和设置在选自所述光散射结构体的内表面和外表面的至少一个表面上并且配置成将从所述LED发射的光转化成白色光的光转化层，其中所述光转化层包括半导体纳米晶体；和设置在所述光转化层的表面上的有机阻隔层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106957652A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611195503.4
申请日：2016-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , C09K11/025 , C09K11/615 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L33/24 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/34 , C09K11/722 , B82Y30/00 , C08K9/10 , C09K2211/14 , H01L33/502 , C08L35/02
Abstract: 本发明涉及量子点、制造其的方法，包括其的量子点聚合物复合物和器件。量子点包括芯‑壳结构，所述芯‑壳结构包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上并且包括结晶或无定形材料和至少两种不同的卤素的壳，且所述量子点不包括镉。
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公开(公告)号：CN103059393B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210405260.8
申请日：2012-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01P2002/88 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L51/004 , H01L51/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(‑COO‑)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。
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公开(公告)号：CN103080081B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180042256.3
申请日：2011-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G75/045 , C08L81/02 , C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 用于制造发光颗粒-聚合物复合物的组合物，所述组合物包含：发光颗粒；第一单体，其包含至少两个各自位于所述第一单体的末端处的硫醇基团；和第二单体，其包含至少两个各自位于所述第二单体的末端处的不饱和碳-碳键。
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公开(公告)号：CN101200633B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810002850.X
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶-凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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公开(公告)号：CN101974335A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010269829.3
申请日：2004-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C01B19/007 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C09C1/10 , C09C1/12 , C09C1/38 , C09K11/565 , C09K11/883 , C30B7/00 , C30B29/605 , C30B33/00 , H01L51/502 , H05B33/14 , Y10S438/962
Abstract: 一种改善半导体纳米晶体发光效率的方法，通过用还原剂表面处理改善发光效率和量子效率，不改变纳米晶体的发光特性例如发光波长和其分布。
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