-
公开(公告)号：CN114941124A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210617376.1
申请日：2022-06-01
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种真空晶圆镀膜装置，涉及半导体技术领域。真空晶圆镀膜装置包括腔体、盖板及连接件。腔体具有开口，腔体用于容置机械手，机械手用于传递晶圆。盖板设置有连接部，通过连接件固定设置于腔体的外壁，盖板设置有连接部，连接部与连接件活动连接，以使盖板可相对腔体转动，以打开或关闭开口，无需转移盖板，避免了盖板划伤、磕碰而影响其密封性能，且开关方便，便于机械手的维护或拆卸，从而提高了维护效率，节省了大量人力及维护时间，进而提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN111636050B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010503432.X
申请日：2020-06-05
申请人： 合肥工业大学
IPC分类号： C23C14/22
摘要： 本发明公开了一种微孔内壁导电层的制作方法，通过离子发射源发射离子，离子在两片多孔薄电极的电场作用下聚焦，精准进入基片微孔，在孔内发生碰撞，沉积在微孔内壁形成薄膜；方法中的结构有：真空室、离子发射源、聚焦极、加速极、微孔基片；多孔薄电极有：聚焦极、加速极；聚焦极施加高电位电压，加速极施加低电位电压。本发明通过调变电极板孔径、电极板电势差、两极板间距，可以有效的调变离子束聚焦位置和聚焦程度大小，微孔基片在距加速极板3‑20mm内都可以进行有效沉积，可对直径为0.1‑3mm基板孔进行沉积，离子利用率可达到40％‑70％，与传统投影入射相比，离子入孔效率提升一至两个数量级，有效地解决微孔内壁镀膜效率低的难题。
-
公开(公告)号：CN114864984A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210589439.7
申请日：2022-05-26
申请人： 一汽解放汽车有限公司
IPC分类号： H01M8/0228 , C23C14/00 , C23C14/35 , C23C14/32 , C23C14/22
摘要： 本发明提供了一种燃料电池双极板涂层及其制备方法与应用，所述燃料电池双极板涂层包括导电支撑层和导电耐蚀层；所述导电支撑层包括金属M、金属M的碳化物、金属M的氮化物或金属M的氧化物中的任意一种过至少两种的组合；所述导电耐蚀层包括二茂铁基化合物。本发明所述燃料电池双极板涂层能够防腐蚀，还具有高导电性，不仅有效防止了燃料电池工作环境对金属双极板的腐蚀，还提高了燃料电池中金属双极板的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN113445005B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110555105.3
申请日：2021-05-21
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种低应力TiW薄膜的制备方法，它是在待沉积薄膜的基片上，小沉积速率下生长偏薄的种子薄膜层，大沉积速率下生长主要薄膜层，通过控制生长的厚度和速率，使得两层的薄膜达到最优结合，得到低应力的TiW薄膜。本发明在基片上分步沉积TiW薄膜，小沉积速率下生长的种子薄膜层致密度高，通过与基片原子相互融合获得具有高可靠性的界面；大沉积速率下生长的主要薄膜层，在种子层缓冲基础上生长的薄膜附着力增强，使得TiW薄膜厚度稳定、分布均匀，对基片的应力减弱、消散，使其变形量较小并得到低应力高质量的TiW薄膜的制备方法。本发明的TiW薄膜可以通过常用沉积方式进行制备，获得薄膜的稳定性高，膜层应力低，具有较好的可用及推广性。
-
公开(公告)号：CN114717517A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111560611.8
申请日：2021-12-20
申请人： 法国原子能源和替代能源委员会
摘要： 在衬底上沉积有机或杂化有机/无机钙钛矿层(1)的方法，包括以下步骤：a)提供衬底(10)和有机或杂化有机/无机靶，b)将衬底(10)和靶定位在近空间升华炉(100)中，c)通过靶的升华在衬底(10)上沉积有机或杂化有机/无机钙钛矿层(1)，靶和衬底(10)之间的温度差优选地介于50℃至350℃之间，甚至更优选地介于50℃至200℃之间，所沉积的有机或杂化有机/无机钙钛矿层(1)的厚度优选地介于50nm至5000μm之间。
-
公开(公告)号：CN114574804A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210206400.2
申请日：2022-03-03
申请人： 上海应用技术大学
摘要： 本发明公开了一种TiCrWN高硬梯度复合涂层及其制备方法，包括自内至外依次沉积在基体表面的Ti打底层、TiN过渡层、TiCrN层、TiN层和TiCrWN表面膜层；具体方法包括如下步骤：(1)基体表面预处理；(2)制备Ti打底层；(3)制备TiN过渡层；(4)制备TiCrN层；(5)制备TiN层；(6)制备TiCrWN表面膜层；Ti打底层、TiN过渡层、TiCrN层、TiN层和TiCrWN表面膜层的总体厚度为2.1‑4.1μm；Ti打底层的厚度为0.2‑0.4μm，TiN过渡层的厚度为0.3‑0.6μm，TiCrN过渡层的厚度为0.5‑1μm，TiCrWN表面膜层的厚度为0.8‑1.5μm；本发明通过各过渡层梯度叠加的方法，在TiCrN过渡层和TiCrWN表面膜层之间添加一层TiN层使得TiCrWN纳米涂层牢牢结合在刀具表面之上，使得各层的结合强度进一步提升。
-
公开(公告)号：CN114488171A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210092452.1
申请日：2022-01-26
申请人： 苏州江泓电子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种对直线运动物体进行运动检测和控制的装置，涉及运动控制检测技术领域，包括：光电测距仪、控制器和设置于直线运动物体上的反射面，控制器与光电测距仪通信连接，光电测距仪将检测到的直线运动物体的位置信息传输至控制器中，控制器还用于接收直线运动物体中驱动装置上的编码器的数值，当编码器检测的直线运动物体运行距离与光电测距仪所检测到的位置信息相差超过控制器所设定的阈值时，控制器即发出警报信息；本发明还提供了一种镀膜设备，包括如上所述的对直线运动物体进行运动检测和控制的装置；本发明提供的对直线运动物体进行运动检测和控制的装置及镀膜设备能够降低成本、提高控制准确率以及保证设备运行安全。
-
公开(公告)号：CN109550931B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201710886570.9
申请日：2017-09-26
申请人： 温州生物材料与工程研究所
摘要： 本发明公开了一种简便可控的仿生结构金纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：步骤一：制作胶黏层，得到具有通孔的胶黏层；步骤二：将胶黏层固定在基底上；步骤三：通过胶黏层将AAO膜固定在基座上，且胶黏层通孔位置与AAO膜中心点重合；步骤四：在AAO膜上沉积金纳米颗粒；步骤五：取下带沉积金纳米颗粒的AAO膜；步骤六：将沉积有金纳米颗粒的AAO膜置于氢氧化钠水溶液中，得到金纳米颗粒悬浮液；步骤七：分离悬浊液中的金纳米颗粒得到仿生结构的金纳米颗粒。本发明的制备方案，操作简单，易于控制，同时能够得到类桑葚仿生结构的金纳米颗粒。
-
公开(公告)号：CN111146079B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201911394739.4
申请日：2019-12-30
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L21/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/448 , C30B23/00 , C30B28/14 , C30B29/46
摘要： 本发明涉及一种二维(2D)金属‑半导体垂直范德华异质结(vdWH)阵列合成及其电学器件的制备方法，所述的通过激光刻蚀缺陷来诱导成核和生长2DvdWH阵列的方法可以将不同的材料整合到一起，而不需要满足传统vdWH合成中晶格匹配或者加工兼容性的硬性要求。本发明可以高度灵活地集成具有完全不同的化学成分，晶体结构或晶格取向的材料，以实现奇特的电子特性和新颖的器件功能。
-
公开(公告)号：CN111491746B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201880081409.7
申请日：2018-12-11
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： B05D1/02 , B05D3/00 , B05D3/02 , B05D3/06 , B05D3/10 , B05D3/12 , C23C14/22 , C23C24/04 , G02F1/13
摘要： 本发明的课题在于提供一种在通过气溶胶沉积法进行的成膜中，能够进行高精度地图案化的成膜的成膜方法。通过将包含成膜材料的原料液气溶胶化，向基材供给气溶胶，将成膜材料成膜于基材上时，基材在被成膜面上具有相对于原料液为疏液性的疏液区域及相对于原料液为亲液性的亲液区域，将疏液区域的宽度设为L，将气溶胶的直径设为D时，满足“D≥L/2”来解决课题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
3576 条记录 (耗时 0.025 秒)
