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公开(公告)号：CN119897603A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510077017.5
申请日：2025-01-17
Applicant: 湖南大学
IPC: B23K26/362 , H01L21/461 , H10D62/80 , H10D62/17 , H10D30/67 , B23K26/082 , B23K26/70
Abstract: 本发明属于二维场效应晶体管领域，具体涉及一种激光拉曼图案化TMDs及其制备和在场效应晶体管中的应用，所述的制备方法为，采用激光共聚焦显微拉曼光谱仪对TMDs二维材料进行激光拉曼扫描实现图案化处理，其中，激光拉曼扫描阶段的激光波长355～633nm，功率为40～60mw；扫描模式为线聚焦扫描模式；扫描模式中拉曼峰的值为1～1000cm‑1。本发明基于激光拉曼扫描手段对TMDs二维材料进行图案化处理，进一步配合扫描模式以及条件等参数的联合控制，如此能够实现协同，能够实现TMDs的近乎无损的图案化，简化了图案化以及后续场效应晶体管的制备工艺，此外，还能降低场效应晶体管的性能损耗，即使在制备不同沟道的器件时，其仍维持相对稳定的性能。
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公开(公告)号：CN107093560B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710261253.8
申请日：2017-04-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及碘化铋二维材料及其电学、光电学器件的制备方法，所述的碘化铋纳米片拓展了新的二维材料，其垂直异质结及电学、光电学器件的制备为发现新的电子、光电子器件设备提供了新的可能。这一方法包括以下步骤：将盛有碘化铋粉末的瓷舟放置在单温区管式炉的恒温区，设置恒温区温度为305‑360℃，用空的和长有WSe2/WS2纳米片的Si/300nmSiO2作为二维材料的生长基片，置于炉子下游的变温区或室温，设置载气(氩气)的流量为5‑225sccm，恒温10‑15min或借助磁铁移动硅片快速生长即可获得碘化铋二维材料。BiI3二维材料器件是通过电子束曝光沉积Cr(20nm)和Au(80nm)制得的。本发明制备的碘化铋纳米片形貌良好为六边形，厚度为10‑120nm，大小在3‑10μm，为单晶，质量高，异质结制备方法简单可行。
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公开(公告)号：CN108584888B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810270126.9
申请日：2018-03-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种碲化钒二维材料的制备方法，将Te和VCl3的混合原料经加热挥发，并在40‑80sccm的载气流量、在580‑620℃的沉积温度下，在基底表面生长形成VTe2二维材料；所述的载气为保护气。此外。本发明还包括采用所述的制备方法制得的VTe2二维材料以及将其应用于电学器件中的应用。本发明中，在所述的物料种类以及预先混合的原料、所述的沉积温度(本发明也称为生长温度)和保护气的载气以及载气流量的协同下，可制得具有良好形貌、厚度为纳米级的纳米片。
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公开(公告)号：CN108584888A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810270126.9
申请日：2018-03-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种碲化钒二维材料的制备方法，将Te和VCl3的混合原料经加热挥发，并在40-80sccm的载气流量、在580-620℃的沉积温度下，在基底表面生长形成VTe2二维材料；所述的载气为保护气。此外。本发明还包括采用所述的制备方法制得的VTe2二维材料以及将其应用于电学器件中的应用。本发明中，在所述的物料种类以及预先混合的原料、所述的沉积温度(本发明也称为生长温度)和保护气的载气以及载气流量的协同下，可制得具有良好形貌、厚度为纳米级的纳米片。
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公开(公告)号：CN120060970A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510230225.4
申请日：2025-02-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备领域，具体涉及Sb2O3/MX2异质结的制备方法，将Sb2O3源设置在气相沉积管的温区1中，将MX2二维材料基底设置在所述气相沉积管的温区2中；预先在逆向的载气气流下将温区1升温至400～480℃；随后将载气气流变换为正向，使挥发的Sb2O3在MX2二维材料基底进行PVD沉积，制得所述的Sb2O3/MX2异质结；所述的逆向指温区2指向温区1的方向，所述的正向指温区1指向温区2的方向；所述的MX2二维材料中，所述的M为过渡金属；所述的X为S或Se。本发明还包括所述的制备方法制得的材料及其应用。本发明所述的方法可以获得高结晶度、大面积的基底二维材料。以WSe2单晶为例，若直接用单向气流(正向气流)，得到的WSe2单晶尺寸较小，一般在100μm以下，且表面不均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115439877A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210882051.6
申请日：2022-07-26
Applicant: 湖南大学
IPC: G06V40/10 , G06V10/75 , G06V10/772 , G06V10/44
Abstract: 本发明公开了基于模板匹配的人体骨架识别方法及系统，通过构建人体骨架模型，并获取待识别的坐标散乱稀疏点集；基于人体骨架模型中模板边的长度约束以及模板点的连接约束，从坐标散乱稀疏点集中筛选出每个模板点、模板边对应的候选匹配实时点、候选匹配实时点，以构建匹配字典；基于匹配字典，对人体骨架模型的模板边和模板点进行遍历，从待识别的坐标散乱稀疏点集中识别出人体骨架。本发明利用模板边的长度约束以及模板点的连接约束确定其候选匹配实时点和实时边，从而构建匹配字典，随后逐边逐点地识别模板边和模板点，实现从单帧散乱稀疏点集中识别三维人体骨架，该方法对标记数量和不同动作类型都具有较好的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN111146079B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201911394739.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L21/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/448 , C30B23/00 , C30B28/14 , C30B29/46
Abstract: 本发明涉及一种二维(2D)金属‑半导体垂直范德华异质结(vdWH)阵列合成及其电学器件的制备方法，所述的通过激光刻蚀缺陷来诱导成核和生长2DvdWH阵列的方法可以将不同的材料整合到一起，而不需要满足传统vdWH合成中晶格匹配或者加工兼容性的硬性要求。本发明可以高度灵活地集成具有完全不同的化学成分，晶体结构或晶格取向的材料，以实现奇特的电子特性和新颖的器件功能。
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公开(公告)号：CN113990738A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111233908.3
申请日：2021-10-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于二维材料异质结阵列制备领域，具体公开了二维材料横向马赛克异质结阵列的制备方法，获得材料A的单晶纳米片；依次对材料A的单晶纳米片进行激光刻蚀可控热刻蚀，随后再生长材料B，形成由二维材料A和二维材料B构成的边界清晰的马赛克异质结阵列。本发明还提供了所述的制备方法制得的二维材料横向马赛克异质结阵列及其在制备光电学器件中的应用。本发明制备的相关异质结阵列具有原子层级光滑，异质结界线陡峭且平整，几乎没有掺杂，材料光学、电学性能优异；该方法为大规模功能化二维材料器件集成提供了一个全新的材料平台，标志着为基础研究和发展复杂器件和二维异质结构集成电路奠定坚实的材料基础迈出了关键的一步。
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公开(公告)号：CN111146079A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911394739.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L21/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/448 , C30B23/00 , C30B28/14 , C30B29/46
Abstract: 本发明涉及一种二维(2D)金属-半导体垂直范德华异质结(vdWH)阵列合成及其电学器件的制备方法，所述的通过激光刻蚀缺陷来诱导成核和生长2DvdWH阵列的方法可以将不同的材料整合到一起，而不需要满足传统vdWH合成中晶格匹配或者加工兼容性的硬性要求。本发明可以高度灵活地集成具有完全不同的化学成分，晶体结构或晶格取向的材料，以实现奇特的电子特性和新颖的器件功能。
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公开(公告)号：CN107093560A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710261253.8
申请日：2017-04-19
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及碘化铋二维材料及其电学、光电学器件的制备方法，所述的碘化铋纳米片拓展了新的二维材料，其垂直异质结及电学、光电学器件的制备为发现新的电子、光电子器件设备提供了新的可能。这一方法包括以下步骤：将盛有碘化铋粉末的瓷舟放置在单温区管式炉的恒温区，设置恒温区温度为305‑360℃，用空的和长有WSe2/WS2纳米片的Si/300nmSiO2作为二维材料的生长基片，置于炉子下游的变温区或室温，设置载气(氩气)的流量为5‑225sccm，恒温10‑15min或借助磁铁移动硅片快速生长即可获得碘化铋二维材料。BiI3二维材料器件是通过电子束曝光沉积Cr(20nm)和Au(80nm)制得的。本发明制备的碘化铋纳米片形貌良好为六边形，厚度为10‑120nm，大小在3‑10μm，为单晶，质量高，异质结制备方法简单可行。
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